#成为妈妈后你变了吗#
啊!这就是我去年的状态啊[苦涩]
“焦虑了!”“抑郁了!”“很暴躁!”“很不安!”
又有谁不想成为独立女性呢?生活独立、精神独立、经济独立想想就很飒的状态啊!
其实为什么我要选择【自救】就是因为我独立过!我的落差太大了!我知道做了妈妈之后想做到面面俱全这样的状态真的很难 但是我一定要尝试!姐妹们记住 孩子不可怕 全职妈妈不可怕 可怕的是你自己连自救的意识都没有!
你不化妆不打扮不出门不社交 把自己封闭起来久了之后就变成【哑巴】慢慢消耗自己是若干年之后你想要自救都救不起来的!
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柠檬酸清洗液对金属去除效果的评价
我们华林科纳研究了基于柠檬酸(CA)的清洗液来去除金属污染物硅片表面。 采用旋涂法对硅片进行Fe、Ca、Zn、Na、Al、Cu等标准污染,并在各种添加Ca的清洗液中进行清洗。 金属的浓度采用气相分解耦合等离子体质谱仪(VPD/ICP-MS)对清洗前后硅片表面的污染物进行分析。 并对其表面微粗糙度进行了测量通过原子力显微镜(AFM)来评估清洗溶液的效果。 结果表明:CA/H2O溶液呈酸性能去除硅表面的金属污染物。 硅表面的Fe、Ca、Zn和Na从1012个原子/cm2的数量级下降到大约是109个原子/平方厘米即使在低CA浓度,低温度下CA溶液,浸渍时间短。 CA在碱清洗溶液中也有很好的效果。 铁,钙,锌,钠和铜被还原为109个原子/平方厘米在CA加入NH4OH/H2O2/H2O溶液中不降解表面。
关键词:柠檬酸,硅片,金属污染物,气相分解 。
介绍
随着 integrated (ULSI)设备超大规模工艺对污染物的要求越来越严格,清洁工艺变得更加重要。 晶圆片表面的金属污染物是其性能的主要,例如增加p-n结漏电,降低氧化物击穿电压,加速载流子寿命的测定。据报道硅表面的金属污染需要加以抑制小于1×1010原子/cm2用于制造64兆DRAM以防止上述故障的发生。 在未来,这个级别应该精确到1×109原子/平方厘米。首次提出了基于H2O2化学的湿法清洗技术通过Kern仍然主要用于半导体设备制造去除污染物,并已在最近几年的各种方法,以提高清洁效果或减少化学物质的消耗。略
结果与讨论 略
详细可以关注获取#成为妈妈后你变了吗#
我们华林科纳研究了基于柠檬酸(CA)的清洗液来去除金属污染物硅片表面。 采用旋涂法对硅片进行Fe、Ca、Zn、Na、Al、Cu等标准污染,并在各种添加Ca的清洗液中进行清洗。 金属的浓度采用气相分解耦合等离子体质谱仪(VPD/ICP-MS)对清洗前后硅片表面的污染物进行分析。 并对其表面微粗糙度进行了测量通过原子力显微镜(AFM)来评估清洗溶液的效果。 结果表明:CA/H2O溶液呈酸性能去除硅表面的金属污染物。 硅表面的Fe、Ca、Zn和Na从1012个原子/cm2的数量级下降到大约是109个原子/平方厘米即使在低CA浓度,低温度下CA溶液,浸渍时间短。 CA在碱清洗溶液中也有很好的效果。 铁,钙,锌,钠和铜被还原为109个原子/平方厘米在CA加入NH4OH/H2O2/H2O溶液中不降解表面。
关键词:柠檬酸,硅片,金属污染物,气相分解 。
介绍
随着 integrated (ULSI)设备超大规模工艺对污染物的要求越来越严格,清洁工艺变得更加重要。 晶圆片表面的金属污染物是其性能的主要,例如增加p-n结漏电,降低氧化物击穿电压,加速载流子寿命的测定。据报道硅表面的金属污染需要加以抑制小于1×1010原子/cm2用于制造64兆DRAM以防止上述故障的发生。 在未来,这个级别应该精确到1×109原子/平方厘米。首次提出了基于H2O2化学的湿法清洗技术通过Kern仍然主要用于半导体设备制造去除污染物,并已在最近几年的各种方法,以提高清洁效果或减少化学物质的消耗。略
结果与讨论 略
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#成为妈妈后你变了吗#小朋友还有十天就两岁整了,我也在妈妈这条路上摸爬滚打到现在。孕前我以为我永远可以做到风一样自由,孕期我认为我永远可以做到坚持自己,知道她真的出生,成为一个新的人,仿佛是一件顺其自然有不可抗拒的事。她在慢慢长大,我也在努力的慢慢回归,不止想做一个好妈妈。也想做一个更加独立漂亮让你骄傲的妈妈。
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