【#王威琪院士逝世#[蜡烛]】生物医学工程学家（医学电子学），中国工程院院士，复旦大学首席教授王威琪，因病医治无效，于2022年8月26日在上海病逝。

王威琪，1939年5月30日生于上海，祖籍江苏省海门市。1961年毕业于复旦大学物理系，后留校。曾任复旦大学生物医学工程研究所所长、复旦大学电子科学与技术博士后流动站站长、上海市突出贡献专家协会副会长等。1999年当选中国工程院院士。

王威琪在医学电子学的理论、方法、技术和应用方面取得多项首创或优秀的成果。他长期致力于医学超声和医学电子学的理论、技术和应用等方面的研究，取得多项首创或优秀的成果；主持研发了基于超声、心电、计算机的无损伤诊断的方法和系统，等等。他数十年专注科研工作，曾提出：“当今科学发展的一个重要趋势是边缘科学、交叉科学不断涌现，我们应善于在边缘科学、交叉科学领域实现创新。”（光明日报）

【安徽省委决定：#王守国任安徽大学副校长#】据安徽大学官网消息，近日，安徽省委决定，王守国同志担任安徽大学党委委员、常委、副校长。

为加快安徽大学“双一流”建设及材料科学与工程一流学科发展，经安徽省委组织部、省委教育工委与北京科技大学党委协商推荐、组织考察，任命王守国同志为安徽大学党委委员、常委、副校长。

王守国教授1996年本科毕业于安徽大学物理系；2001年毕业于中国科学院固体物理研究所，获凝聚态物理博士学位。国家杰出青年基金获得者，国家重点研发计划首席科学家，长期从事磁性材料与应用开发研究，目前兼任中国电子学会应用磁学分会副主任委员兼秘书长、中国材料研究学会纳米材料与器件分会副理事长、中国物理学会科普工作委员会副主任、中国材料研究学会青年工作委员会高级理事等。

【中美团队证明立方砷化硼具有高载流子迁移率，超越硅的导热导电性能，有望成为硅基元器件的替代方案】

是否有新材料可解决#芯片# 散热问题，成为替代硅的作为#半导体材料# 呢？

硅作为目前应用最广泛的半导体材料，经过科研和业界几十年的不断研发与努力，达到芯片制造所需要的 99.99999999% 纯度。与此同时，随着芯片小型化发展，硅的短板与市场需求的矛盾也日益突出，例如传导热量性能不佳、空穴迁移率不够高等。

科学家一直在探索半导体新材料，例如砷化镓、氮化镓、碳化硅、金刚石、氧化锌、氮化铝等。前不久，国家纳米科学中心与休斯顿大学团队验证了一种比硅导电导热性能更佳、甚至有望替代硅的材料——立方砷化硼（c-BAs）。他们首次实验确认了立方砷化硼的高载流子迁移率 1550cm2 V−1 s−1，其结果和理论预测值一致。

“从业界角度来看，芯片的散热问题严重阻碍了其运算速度，立方砷化硼首次从实验上被证实同时具有高的载流子迁移率和热导率，所以有望利用该材料缓解当前芯片散热的瓶颈问题。”国家纳米科学中心研究员刘新风表示。

近日， 相关论文以《瞬态反射显微成像测定立方砷化硼的高双极性迁移率》（High ambipolar mobility in cubic boron arsenide revealed by transient reflectivity microscopy）为题发表在 Science 上[1]。

#休斯顿大学# 和#电子科技大学# 联合博士后岳帅（现国家纳米科学中心副研究员）、休斯顿大学田非博士（现#中山大学# 教授）为该论文共同第一作者，国家纳米科学中心刘新风研究员、休斯顿大学电气与计算机工程系包吉明教授和物理系任志锋教授为该论文共同通讯作者。

此外，#麻省理工学院# 陈刚团队与休斯顿大学任志锋团队的另一篇关于立方砷化硼的论文《立方砷化硼中的高双极性迁移率》（High ambipolar mobility in cubic boron arsenide）也在 Science 同日发布[2]。

一直以来，科学家寻找各向同性热导率高材料的道路上充满了挑战，而寻找同时兼具高热导率、高载流子迁移率的材料则难上加难。举例来说，金刚石在室温下的热导率在 2200 W m−1 K−1 以上，其次常见的是铜、银、金等，在室温下各向同性的热导率在400 W m−1 K−1 左右。

最近发现氮化硼（10BN 或 11BN）在室温下的热导率约为 1600 W m−1 K−1，BN 的热导率低于 1000 W m−1 K−1，但其高温高压合成的难度与金刚石一样，无法大规模制造。

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