#kimhanbin[超话]# #金韩彬1118全球ep回归#

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彬吧双十一狂欢，往期特典余量折扣大放送～

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️时间：～11.18
购̠买̠条̠件̠：凭̠K̠4̠购̠买̠专̠辑̠截̠图̠（̠需̠包̠含̠订̠购̠日̠期̠/̠订̠单̠号̠/̠专̠辑̠页̠面̠）̠
运̱费̱：1̠1̠.̠1̠1̠前̠拍̠下̠包̠邮̠（偏远地区8r）。̠1̠1̠.̠1̠1̠后̠拍̠下̠运̲̠费̲̠五折/一̠件̠4̠R̠（偏̠远̠地̠区̠10R̠）̠
发̱货̱时̱间̱：11.18专辑预售结束后陆续发货。
拍下不退不换不改地址，请填写可以收货的正确地址。

❇️特典内容
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行李箱（余3
羊羔绒毛毯（余18
床品四件套（余4
保温杯（余15
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奶盐碎冰冰https://t.cn/A6fkgeqc
睡衣短款（55
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化妆套刷（余4

﹡以上均人工清点库存可能有误差，若出现实际发货数量不足的情况，届时将安排退款，还请大家谅解。
﹡本次余量活动盈⃣利⃣全部用于本次回归拆卡中。

⚠️ 未成年人请在监护人同意下进行，参与购买即视为已阅读注意事项！请大家理智消费，量力而行。

#老虎粉丝聚集地[超话]#
三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：
业界最高位密度，I/O速率达2.4Gbps

三星近日宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。

第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4 Gbps，比上一代产品提高了1.2倍，这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示，第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石，不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量，而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。 https://t.cn/RI7nYAL

【三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存】三星电子日前宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4 Gbps，比上一代产品提高了1.2倍，这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示，第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石，不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量，而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。