光伏TOPCON路线
作为接棒PERC电池的技术路线，HJT一向受到资本的青睐，而TOPCon则相对低调得多，不过近期市场对TOPCon的关注度明显提升。
关于TOPCon，行业有分歧，也比较正常，未来也许确实会市场分层，不同的应用场景由不同的路线主导，不过在当下看，TOPCon的经济性可能已经能看到了，可能在二季度市场会逐步形成共识。
业内晶科能源确实做的早，钧达股份早期的研发进度可能盯着晶科在推动，中来股份路线从N-PERT也转向TOPCon，这几家都有自己的中/大试线。晶科的合肥8GW产线正在调试，而钧达的8GW滁州项目业内反馈，近几个月已经给供应商付款预计可能在5-6月份调试。
市场担心的钧达TOPCon组件销售问题，这个目前是大可不必了，二线组件公司近几年被挤压到墙角，急于依靠新的路线翻身，而且TOPCon组件对perc组件的盈利已经比较可观，这些企业自己又没有研发新电池片能力，未来3-4年应该会主要依靠三方供货，据了解不少二线组件公司都急于锁定钧达（捷泰）TOPCon产线长单。
一、TOPCon 技术工艺
1、TOPCon 技术：TOPCon 采用背面氧化层+掺杂多晶硅的复合结构，形成良好的钝化接触， 全面提升电池的性能。
2、Topcon 工艺流程请看图片
3、原位掺杂和非原位掺杂：两种选择对性能差异不大，但从掺杂之后的后续处理问题来看， 目前原位掺杂是比较折中的选则，是最容易量产、最稳定的选择，可控性较好。
4、PE 和 LP：PE 路线有先天性问题，体现不出 TOPCon 的优势。Poly 沉积快，致密性很差， 用 PE 做的电池效率低。从量产角度看，LP 已经满足需求，后续 LP 将是主流。
5、N 型和 P 型技术路径和难度对比：P 型做 TOPCon 容易很多，但效率提升不太明显，仅比 P 型 PERC 效率高 0.5pct 左右。这主要是载流子的问题，P 型的载流子是空穴，跃迁相对比 较难，而 N 型的载流子是电子，所以目前主流选择 N 型。
6、TOPCon 和 IBC 结合的可行性：今年除了是 TOPCon 的元年，也是 N 型硅片的元年。N 型硅 片具有先天性优势，TOPCon 技术是可以和 HJT 和 IBC 技术融合的，但是目前 TOPCon 尚且处 于能做的阶段，而不是技术很好的阶段。
二、TOPCon 与 PERC 对比
1、优势：
效率高：TOPCon 目前量产效率最高的厂家效率高达 24.8%，当前主流的 PERC 是 23.2%， TOPCon 高 1.6 个百分点。预计到 2023 年下半年，TOPCon 可以达到 26.8%，PERC 的效率在 23.5%左右，效率差能达到 3.3 个百分点。
衰减低：一方面，TOPCon 电池没有掉档的情况，而 PERC 电池目前的测试效率经一段时间后 复测效率掉 1～2 个档；另一方面，对于组件端，TOPCon 发电功率不存在衰减，PERC 首年有接近 8%的功率衰减。
长波响应好：PERC 只是对短波响应好，TOPCon 不管是长波还是短波响应都很好。TOPCon 不 受天气影响，发电量持续保障，而 PERC 发电量受天气影响严重。
2、劣势：
固定投资高：TOPCon 设备投资 2 亿元/GW，而 PERC 是 1.2 亿元/GW。
工艺复杂：TOPCon 工艺是 12 步，而 PERC 是 11 步，TOPCon 新增三道工序，删掉了两道工 序，调整了一道工序，但它新增的几道工序都是比较复杂难以控制的。
非硅成本高：目前来看 TOPCon 非硅成本是 0.26-0.27 元/W，PERC 是在 0.2 元/W 左右，TOPCon 比 PERC 高 30%，预期最终两者成本均有所降低后 TOPCon 成本比 PERC 高 20%。
三、TOPCon 与 HJT 对比
1、优势：
技术成熟，兼容性好：TOPCon 的技术相对成熟，兼容性好，12 道工序中有 8 道工序和 PERC 完全一样，新增的三道工序里面，设计的操作、工艺窗口、参数设置等与原有的 PERC 近似 度非常高。
车间投资低：TOPCon 设备投资 2 亿元/GW，而 HJT 目前来看要做到 3～3.5 亿元/GW。
量产性好：TOPCon 的操作员工和工艺设备都可以直接从 PERC 原有车间无缝衔接，不需要做 额外培训和技能升级。
效率高：目前 TOPCon 比 HJT 效率高 0.4pct，预计到 2023 年效率差可能还会拉大。
非硅成本低：TOPCon 是 0.26-0.27 元，而 HJT 目前是 0.33 元。
电池无衰减：TOPCon 不管是电池端还是组件都没有衰减，但是 HJT 因为使用低温凝胶，效 率逐渐衰减。
2、劣势：
工艺流程长：TOPCon 有 12 步，而 HJT 只有 5 步（清洗制绒、掺杂晶体硅、导电膜、丝网印 刷、测试分选）。工序流程越长，意味着设备对应的人员、工艺复杂度等增加很多。
车间占用面积大：工艺流程长造成需要的设备多，土地占用面积大，同时整个工程车间的设备动力成本等也会相应增加。
硅片厚度降低幅度小：PERC 的硅片厚度在 170～175μm 之间（如果减薄太多，铝背厂的应 力将导致硅片强度不达标），TOPCon 目前主流能做到 150～155μm（要面临硼扩的超高温和 剧烈升降温的考验，后续应该不会减薄太多），HJT 目前主流的实验室批量在 110～120μm 之间，有极个别的厂家能做到 90μm 左右。TOPCon 省了约 20μm 左右的厚度，而 HJT 省 60μm 左右。
硅片尺寸受限：TOPCon 尺寸目前主流是 182，210 目前来看阻力较大，主要的阻力来自于电 池板和组件端的面积。而 HJT 受工艺的限制小，可以优先上 210 尺寸。
3、HJT 量产化遇到的问题：
低温银浆：250 度的超级低温导致银浆的金属化非常差，带来很多的衍生问题，最大的一点 在于组件的焊接拉力完全不达标。
TCO 膜：TCO 膜特别容易老化，老化后性能下降很严重。PERC 和 TOPCon 电池组件寿命一般 是 15～20 年，而 HJT 技术在实验室恶劣条件下，TCO 膜的寿命是 3～5 年。
PVD&RPD 设备：设备来源于半导体，要精准控制，但是它连续作业能力不高。
作为接棒PERC电池的技术路线，HJT一向受到资本的青睐，而TOPCon则相对低调得多，不过近期市场对TOPCon的关注度明显提升。
关于TOPCon，行业有分歧，也比较正常，未来也许确实会市场分层，不同的应用场景由不同的路线主导，不过在当下看，TOPCon的经济性可能已经能看到了，可能在二季度市场会逐步形成共识。
业内晶科能源确实做的早，钧达股份早期的研发进度可能盯着晶科在推动，中来股份路线从N-PERT也转向TOPCon，这几家都有自己的中/大试线。晶科的合肥8GW产线正在调试，而钧达的8GW滁州项目业内反馈，近几个月已经给供应商付款预计可能在5-6月份调试。
市场担心的钧达TOPCon组件销售问题，这个目前是大可不必了，二线组件公司近几年被挤压到墙角，急于依靠新的路线翻身，而且TOPCon组件对perc组件的盈利已经比较可观，这些企业自己又没有研发新电池片能力，未来3-4年应该会主要依靠三方供货，据了解不少二线组件公司都急于锁定钧达（捷泰）TOPCon产线长单。
一、TOPCon 技术工艺
1、TOPCon 技术：TOPCon 采用背面氧化层+掺杂多晶硅的复合结构，形成良好的钝化接触， 全面提升电池的性能。
2、Topcon 工艺流程请看图片
3、原位掺杂和非原位掺杂：两种选择对性能差异不大，但从掺杂之后的后续处理问题来看， 目前原位掺杂是比较折中的选则，是最容易量产、最稳定的选择，可控性较好。
4、PE 和 LP：PE 路线有先天性问题，体现不出 TOPCon 的优势。Poly 沉积快，致密性很差， 用 PE 做的电池效率低。从量产角度看，LP 已经满足需求，后续 LP 将是主流。
5、N 型和 P 型技术路径和难度对比：P 型做 TOPCon 容易很多，但效率提升不太明显，仅比 P 型 PERC 效率高 0.5pct 左右。这主要是载流子的问题，P 型的载流子是空穴，跃迁相对比 较难，而 N 型的载流子是电子，所以目前主流选择 N 型。
6、TOPCon 和 IBC 结合的可行性：今年除了是 TOPCon 的元年，也是 N 型硅片的元年。N 型硅 片具有先天性优势，TOPCon 技术是可以和 HJT 和 IBC 技术融合的，但是目前 TOPCon 尚且处 于能做的阶段，而不是技术很好的阶段。
二、TOPCon 与 PERC 对比
1、优势：
效率高：TOPCon 目前量产效率最高的厂家效率高达 24.8%，当前主流的 PERC 是 23.2%， TOPCon 高 1.6 个百分点。预计到 2023 年下半年，TOPCon 可以达到 26.8%，PERC 的效率在 23.5%左右，效率差能达到 3.3 个百分点。
衰减低：一方面，TOPCon 电池没有掉档的情况，而 PERC 电池目前的测试效率经一段时间后 复测效率掉 1～2 个档；另一方面，对于组件端，TOPCon 发电功率不存在衰减，PERC 首年有接近 8%的功率衰减。
长波响应好：PERC 只是对短波响应好，TOPCon 不管是长波还是短波响应都很好。TOPCon 不 受天气影响，发电量持续保障，而 PERC 发电量受天气影响严重。
2、劣势：
固定投资高：TOPCon 设备投资 2 亿元/GW，而 PERC 是 1.2 亿元/GW。
工艺复杂：TOPCon 工艺是 12 步，而 PERC 是 11 步，TOPCon 新增三道工序，删掉了两道工 序，调整了一道工序，但它新增的几道工序都是比较复杂难以控制的。
非硅成本高：目前来看 TOPCon 非硅成本是 0.26-0.27 元/W，PERC 是在 0.2 元/W 左右，TOPCon 比 PERC 高 30%，预期最终两者成本均有所降低后 TOPCon 成本比 PERC 高 20%。
三、TOPCon 与 HJT 对比
1、优势：
技术成熟，兼容性好：TOPCon 的技术相对成熟，兼容性好，12 道工序中有 8 道工序和 PERC 完全一样，新增的三道工序里面，设计的操作、工艺窗口、参数设置等与原有的 PERC 近似 度非常高。
车间投资低：TOPCon 设备投资 2 亿元/GW，而 HJT 目前来看要做到 3～3.5 亿元/GW。
量产性好：TOPCon 的操作员工和工艺设备都可以直接从 PERC 原有车间无缝衔接，不需要做 额外培训和技能升级。
效率高：目前 TOPCon 比 HJT 效率高 0.4pct，预计到 2023 年效率差可能还会拉大。
非硅成本低：TOPCon 是 0.26-0.27 元，而 HJT 目前是 0.33 元。
电池无衰减：TOPCon 不管是电池端还是组件都没有衰减，但是 HJT 因为使用低温凝胶，效 率逐渐衰减。
2、劣势：
工艺流程长：TOPCon 有 12 步，而 HJT 只有 5 步（清洗制绒、掺杂晶体硅、导电膜、丝网印 刷、测试分选）。工序流程越长，意味着设备对应的人员、工艺复杂度等增加很多。
车间占用面积大：工艺流程长造成需要的设备多，土地占用面积大，同时整个工程车间的设备动力成本等也会相应增加。
硅片厚度降低幅度小：PERC 的硅片厚度在 170～175μm 之间（如果减薄太多，铝背厂的应 力将导致硅片强度不达标），TOPCon 目前主流能做到 150～155μm（要面临硼扩的超高温和 剧烈升降温的考验，后续应该不会减薄太多），HJT 目前主流的实验室批量在 110～120μm 之间，有极个别的厂家能做到 90μm 左右。TOPCon 省了约 20μm 左右的厚度，而 HJT 省 60μm 左右。
硅片尺寸受限：TOPCon 尺寸目前主流是 182，210 目前来看阻力较大，主要的阻力来自于电 池板和组件端的面积。而 HJT 受工艺的限制小，可以优先上 210 尺寸。
3、HJT 量产化遇到的问题：
低温银浆：250 度的超级低温导致银浆的金属化非常差，带来很多的衍生问题，最大的一点 在于组件的焊接拉力完全不达标。
TCO 膜：TCO 膜特别容易老化，老化后性能下降很严重。PERC 和 TOPCon 电池组件寿命一般 是 15～20 年，而 HJT 技术在实验室恶劣条件下，TCO 膜的寿命是 3～5 年。
PVD&RPD 设备：设备来源于半导体，要精准控制，但是它连续作业能力不高。
全球IGBT龙头英飞凌宣布涨价15%-20%，预期2022年全年芯片供需紧张持续
一、行业龙头英飞凌宣布涨价
2月21日，英飞凌向供应商发布涨价预警，预计IGBT芯片此次涨价幅度约为15-20%。
英飞凌是全球IGBT的行业龙头，2019年英飞凌、三菱、富士电机合计占据全球IGBT模块市场份额的58%，国内仅斯达半导一家进入前十，份额仅2.5%。对于国内市场，IGBT的国产渗透率不足15%。
行业现状是供不应求，但是如果2023年IGBT扩产产能释放后，IGBT将会在低端打价格战，因为低端的IGBT国产替代主要还是受益于行业整体的景气度提升。
国产厂商主要还是在低端国产替代，在中高端还是要等技术突破。
涨价主要是2方面原因：
1） 成本端上行：
央视报道，记者了解到，位于上海黄浦区的赛格电子市场，是上海规模最大的半导体交易市场，自汽车芯片短缺以来，就颇受业内关注。记者咨询了一款由意法半导体生产的车身电子稳定系统的核心芯片。此前一年里，这块原价仅为20元左右的芯片，价格大幅上涨。市场商户告诉记者，现在已经被炒到2800元，还不含税。汽车芯片价格全线上涨20元汽车芯片炒到近3000元。
2） 侧面反应旺盛的行业需求。（前期没有预期到新能源的需求爆发）：
根据英飞凌自己的近期透露，2022年积压订单总价值310亿欧元，超过2022年预测收入130亿2倍多，这310亿订单中，有80%是2022年要交付的，所以全年产能供不应求的态势很难缓解。
总结：全球IGBT龙头英飞凌涨价，预期2022年全年IGBT依旧供不应求。
二、国家大基金调仓
2月21日晚间，士兰微发布公告称，大基金二期出资6亿元，认缴士兰集科新增注册资本5.61亿元，增资完成后，大基金二期将持有士兰集科14.655%股权。
国家大基金一期的标的：主要是芯片产业链中下游的制造和设计环节。
国家大基金二期的标的：主要是芯片产业链上游的材料和设备环节，以及第三代半导体。这几个环节，共同点就是：技术门槛相对更高，我国被卡脖子的特征明显，进口替代需求旺盛，长期成长性更佳。
总结：国家大基金调仓。
三、半导体行业扩产情况：
以下是各大厂商扩产情况：
台积电：2022年1月刚刚宣布今年的资本开支会比去年提升46.5%。2022年资本开支计划将达到400-440亿美元。公司此前宣布2021-2023年投资1000亿美元。
日本半导体制造装置协会：2022-2023年的产业增速将保持在40%。
英特尔CEO：2月9日公司预计芯片供应至少到2023年末都将保持紧张，2025-2030年供应形势才会有所好转。
中芯国际：预计2022年资本开支50亿元，较2021年增长25%。
华虹半导体、士兰微、华润微、闻泰科技等厂商均在推进产能爬坡、扩产。
在全球芯片产能紧缺背景下，国内外晶圆厂大规模、持续性扩产，将为上游设备厂商带来至少2-3年的高景气。
目前全世界整个行业，在以20%的速度增长。
总结：未来2022-2023年整个半导体厂商都在扩产，2022年预期供需会保持紧张。
四、英飞凌对IGBT供需预期：
进入2022下半年以后，例如上汽英飞凌正在逐步提升产能，6月份可能翻倍：2.德国英飞凌新工厂爬坡到顶点之后，可能会满足产能需求。2023 整个IGBT 供应链的情况会更好，供需紧张的状况将会环节。
IGBT目前使优质产能却反，而不是总产能缺之。绝大多数新能源品牌，封装模块中的芯片都来自英飞凌。优质模块的资源聚集在英飞凌、安森美等客户。而转化为其他品牌的速度跟不上汽车产能增加的速度。2023 年以后， $时代电气(SH688187)$ 、 $斯达半导(SH603290)$ 等当地品牌的产能会逐步发挥，填补需求的空缺。
目前只有一条产线60+万。2022年6月份左右投产第2条产线，会有120+=万的产能。希望2022上半年爬坡完成，产能和芯片供应都完成。不给中车、斯达等厂商更多介入的机会。目前安森美50万车载IGBT产能是较大的。
总结： $英飞凌(USIFNNF)$ 2022年-2023年IGBT产能将会实现翻倍，优质高端模块资源还是集中在安森美和英飞凌。2023年中车、斯达等当地品牌的产能会逐步发挥，填补需求的空缺，即时也可能供过于求，或者供给平衡。
https://t.cn/A66wnfWp
一、行业龙头英飞凌宣布涨价
2月21日，英飞凌向供应商发布涨价预警，预计IGBT芯片此次涨价幅度约为15-20%。
英飞凌是全球IGBT的行业龙头，2019年英飞凌、三菱、富士电机合计占据全球IGBT模块市场份额的58%，国内仅斯达半导一家进入前十，份额仅2.5%。对于国内市场，IGBT的国产渗透率不足15%。
行业现状是供不应求，但是如果2023年IGBT扩产产能释放后，IGBT将会在低端打价格战，因为低端的IGBT国产替代主要还是受益于行业整体的景气度提升。
国产厂商主要还是在低端国产替代，在中高端还是要等技术突破。
涨价主要是2方面原因：
1） 成本端上行：
央视报道，记者了解到，位于上海黄浦区的赛格电子市场，是上海规模最大的半导体交易市场，自汽车芯片短缺以来，就颇受业内关注。记者咨询了一款由意法半导体生产的车身电子稳定系统的核心芯片。此前一年里，这块原价仅为20元左右的芯片，价格大幅上涨。市场商户告诉记者，现在已经被炒到2800元，还不含税。汽车芯片价格全线上涨20元汽车芯片炒到近3000元。
2） 侧面反应旺盛的行业需求。（前期没有预期到新能源的需求爆发）：
根据英飞凌自己的近期透露，2022年积压订单总价值310亿欧元，超过2022年预测收入130亿2倍多，这310亿订单中，有80%是2022年要交付的，所以全年产能供不应求的态势很难缓解。
总结：全球IGBT龙头英飞凌涨价，预期2022年全年IGBT依旧供不应求。
二、国家大基金调仓
2月21日晚间，士兰微发布公告称，大基金二期出资6亿元，认缴士兰集科新增注册资本5.61亿元，增资完成后，大基金二期将持有士兰集科14.655%股权。
国家大基金一期的标的：主要是芯片产业链中下游的制造和设计环节。
国家大基金二期的标的：主要是芯片产业链上游的材料和设备环节，以及第三代半导体。这几个环节，共同点就是：技术门槛相对更高，我国被卡脖子的特征明显，进口替代需求旺盛，长期成长性更佳。
总结：国家大基金调仓。
三、半导体行业扩产情况：
以下是各大厂商扩产情况：
台积电：2022年1月刚刚宣布今年的资本开支会比去年提升46.5%。2022年资本开支计划将达到400-440亿美元。公司此前宣布2021-2023年投资1000亿美元。
日本半导体制造装置协会：2022-2023年的产业增速将保持在40%。
英特尔CEO：2月9日公司预计芯片供应至少到2023年末都将保持紧张，2025-2030年供应形势才会有所好转。
中芯国际：预计2022年资本开支50亿元，较2021年增长25%。
华虹半导体、士兰微、华润微、闻泰科技等厂商均在推进产能爬坡、扩产。
在全球芯片产能紧缺背景下，国内外晶圆厂大规模、持续性扩产，将为上游设备厂商带来至少2-3年的高景气。
目前全世界整个行业，在以20%的速度增长。
总结：未来2022-2023年整个半导体厂商都在扩产，2022年预期供需会保持紧张。
四、英飞凌对IGBT供需预期：
进入2022下半年以后，例如上汽英飞凌正在逐步提升产能，6月份可能翻倍：2.德国英飞凌新工厂爬坡到顶点之后，可能会满足产能需求。2023 整个IGBT 供应链的情况会更好，供需紧张的状况将会环节。
IGBT目前使优质产能却反，而不是总产能缺之。绝大多数新能源品牌，封装模块中的芯片都来自英飞凌。优质模块的资源聚集在英飞凌、安森美等客户。而转化为其他品牌的速度跟不上汽车产能增加的速度。2023 年以后， $时代电气(SH688187)$ 、 $斯达半导(SH603290)$ 等当地品牌的产能会逐步发挥，填补需求的空缺。
目前只有一条产线60+万。2022年6月份左右投产第2条产线，会有120+=万的产能。希望2022上半年爬坡完成，产能和芯片供应都完成。不给中车、斯达等厂商更多介入的机会。目前安森美50万车载IGBT产能是较大的。
总结： $英飞凌(USIFNNF)$ 2022年-2023年IGBT产能将会实现翻倍，优质高端模块资源还是集中在安森美和英飞凌。2023年中车、斯达等当地品牌的产能会逐步发挥，填补需求的空缺，即时也可能供过于求，或者供给平衡。
https://t.cn/A66wnfWp
NHTSA已就特斯拉汽车幻影制动问题展开调查
美国高速公路安全管理局（NHTSA）2月16日公开的一份文件显示，他们已就特斯拉汽车Autopilot辅助驾驶系统的幻影制动问题展开调查。涉及产品为2021年和2022年生产的Model 3、Model Y，共计约41.6万辆。
本次调查中的幻影制动，指当特斯拉汽车开启Autopilot或FSD Beta辅助驾驶系统后，车辆会在非必要的情况下突然刹车或减速，该问题存在重大安全隐患。此前有数据报告显示，在特斯拉切换为纯视觉自动驾驶技术路线后，幻影制动现象明显增加。
NHTSA公开的文件显示，他们的缺陷调查办公室已经收到了相关投诉354起。投诉内容显示，快速减速可能会在没有警告的情况下随机发生，并且经常在一次驾驶行程中反复发生。
至于幻影制动是否和纯视觉自动驾驶技术有重大关系，暂时无法确定，但目前全球范围内，绝大多数涉及辅助驾驶系统及自动驾驶系统的车企，基本上都选择了雷达参与的方案。
对于纯视觉自动驾驶技术路线，大众汽车集团CEO Herbert Diess昨天刚刚发表过自己的看法，在他看来，激光雷达是L3级自动驾驶的必备条件。目前，大众正在和MobileEye合作开发激光雷达系统。 https://t.cn/A6idUYKp
美国高速公路安全管理局（NHTSA）2月16日公开的一份文件显示，他们已就特斯拉汽车Autopilot辅助驾驶系统的幻影制动问题展开调查。涉及产品为2021年和2022年生产的Model 3、Model Y，共计约41.6万辆。
本次调查中的幻影制动，指当特斯拉汽车开启Autopilot或FSD Beta辅助驾驶系统后，车辆会在非必要的情况下突然刹车或减速，该问题存在重大安全隐患。此前有数据报告显示，在特斯拉切换为纯视觉自动驾驶技术路线后，幻影制动现象明显增加。
NHTSA公开的文件显示，他们的缺陷调查办公室已经收到了相关投诉354起。投诉内容显示，快速减速可能会在没有警告的情况下随机发生，并且经常在一次驾驶行程中反复发生。
至于幻影制动是否和纯视觉自动驾驶技术有重大关系，暂时无法确定，但目前全球范围内，绝大多数涉及辅助驾驶系统及自动驾驶系统的车企，基本上都选择了雷达参与的方案。
对于纯视觉自动驾驶技术路线，大众汽车集团CEO Herbert Diess昨天刚刚发表过自己的看法，在他看来，激光雷达是L3级自动驾驶的必备条件。目前，大众正在和MobileEye合作开发激光雷达系统。 https://t.cn/A6idUYKp
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