Reno8 Pro+ SuperVOOC 80w快充测试，的确你可以相信OPPO的快充哪怕是线下机。
充电头型号VCB8JACH，相对体积较大，密度不高，并非GAN方案，走低压大电流方案，最大11V输出电压。

测试温度25摄氏度，恒流阶段总共持续24分30秒，共5个不同电流段

8V-8.8V 7.3A 61w 线上功率，持续1分20秒
8.7V-8.8V 6.5A 57w 线上功率，持续2分钟
8.7V-8.8V 6A 52w 线上功率，持续2分钟
8.6V-8.8V 5A 43w 线上功率，持续6分钟
8.5V-9.3V 4A 35w线上功率，持续13分30秒

恒压阶段比较奇怪，感觉有多段降压过程直至平稳

从24分20秒开始电压开始稳定，电流阶段性逐级下降至1.5A
最终34分前台充满，36分钟后台退回1倍压，电流低于0.1A
总的来说R8PP上的80w双电芯做了一个非常好的兼顾了温度与充电速度的方案，36分钟后台充满，前台更早几分钟，整体充电体验优秀，也没有感受到机身过热[求关注]

#读模型论文#GAN——生成对抗网络，训练两个模型生成器G和辨别器D，价值函数V(G, D) 包含两项：采样真实分布的数据x，放入辨别器D，采样噪音的分布z，利用生成器G生成，再放入辨别器D。
要辨别器完美分类两项的话，要最大化V(G, D)。两个模型相互对抗，D尽量使得把真假数据分开，G尽量使辨别器犯错（最小化minG), 使得生成数据令D分不开——博弈论里的two-player-minmax游戏。如果D和G都不能再往前进步了，就达到了一个均衡—纳什均衡。
ps：昨晚偶然发现的highlights用来提取PDF笔记好棒啊~ 完美符合我的需求

根据 Infineon 数据，对于 Si 基 MOSFET 和 IGBT，工作电压范围为 25V-6500V，其中， MOSFET 工作电压范围大约为 25V-900V，IGBT 分立器件工作电压范围为大约为 600V1700V，IGBT模组则可实现 1200V-6500V 电压范围。对于 SiC 和 GaN 器件，SiC 器件（SiC MOSFET）工作电压更大，目前工作电压范围为大约为 650V-3300V，未来计划做到 4500V、 甚至 6500V。

SiC 在电动车中主要用在逆变器中，此外还有车载充电机（OBC）、DC/DC 转换器等，绝大 部分将用于逆变器，SiC 在上述零组件中的应用将越来越多。新能源车领域，SiC 器件已被 国际知名车企应用在其电动车上，特斯拉 Model 3 的主逆变器采用了意法半导体生产的 24 个 SiC MOSFET 功率模块，是全球第一家将 SiC MOSFET 应用于商用车主逆变器的 OEM 厂商；比亚迪在推出首款采用 SiC 技术的车型“比亚迪·汉”的同时，还宣布到 2023 年将 实现 SiC 功率器件对 Si 基 IGBT 的全面替代；蔚来在 2022 年交付的新款 ET7 车型上，采用 了基于 SiC 技术的电驱系统；2020 年 12 月丰田也首次在其电动车上使用 SiC 器件。

根据 Yole 数据，2021-2027 年，全球 SiC 功率器件市场规模将由 10.9 亿美元增长到 62.97 亿美元，CAGR 为 34%；其中电动车用 SiC 市场规模将由 6.85 亿美元增长到 49.86 亿美元， CAGR 为 39.2%，电动车（逆变器+OBC+DC/DC 转换器）是 SiC 最大的下游应用，占比由 62.8%增长到 79.2%，市场份额持续提升。

SiC 衬底方面，根据 Yole 数据，全球导电型 SiC 衬底市场规模由 2018 年的 1.73 亿美元增 长至 2020 年的 2.76 亿美元，CAGR 为 26.36%；全球半绝缘型 SiC 衬底市场规模由 2019 年的 1.54 亿美元增长至 2020 年的 1.82 亿美元，同比增长 18.2%。