PEALD成功量产,ThermalALD正在研发
ALD 设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在基片 表面,形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于 ALD 设备可以 实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制,实现了芯 片制造工艺中关键尺寸的精度控制,在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑 芯片、DRAM 和 3DNAND 制造中,ALD 是必不可少的核心设备之一。ALD 设备 主要分为 PE-ALD 和 Thermal-ALD。 拓荆科技是国内领先的集成电路 ALD 设备厂商。公司的等离子体增强原子层沉 积设备(PE-ALD),在公司 PECVD 设备核心技术的基础上,根据 ALD 反应原 理,结合理论分析及仿真计算,对反应腔内的气路、关键件、喷淋头等进行创新 设计公司的 ALD 设备可以沉积 SiO2 和 SiN 材料薄膜,目前已适配 55-14nm 逻 辑芯片制造工艺需求。
在 PE-ALD 设备成功量产基础上,为满足 28nm 以下芯片制造所需的 Al2O3、 AlN 等金属化合物薄膜的工艺需要,公司正在研发 ThermalALD 设备。
ALD 设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在基片 表面,形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于 ALD 设备可以 实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制,实现了芯 片制造工艺中关键尺寸的精度控制,在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑 芯片、DRAM 和 3DNAND 制造中,ALD 是必不可少的核心设备之一。ALD 设备 主要分为 PE-ALD 和 Thermal-ALD。 拓荆科技是国内领先的集成电路 ALD 设备厂商。公司的等离子体增强原子层沉 积设备(PE-ALD),在公司 PECVD 设备核心技术的基础上,根据 ALD 反应原 理,结合理论分析及仿真计算,对反应腔内的气路、关键件、喷淋头等进行创新 设计公司的 ALD 设备可以沉积 SiO2 和 SiN 材料薄膜,目前已适配 55-14nm 逻 辑芯片制造工艺需求。
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#每日一善[超话]##阳光信用#
人一生常常在不断奔跑,而奔跑不在于瞬间的爆发,取决于途中的坚持。很多时候成功就是多坚持一分钟,只是我们不知道这一分钟会在什么时候出现。所以,在一切尚未定论之前,我们不要停下脚步。因为我们放弃的不只是一个事业,更是一个梦想!每天送给自己一个礼物,那就是自我鼓励,自我肯定,自我超越。
人一生常常在不断奔跑,而奔跑不在于瞬间的爆发,取决于途中的坚持。很多时候成功就是多坚持一分钟,只是我们不知道这一分钟会在什么时候出现。所以,在一切尚未定论之前,我们不要停下脚步。因为我们放弃的不只是一个事业,更是一个梦想!每天送给自己一个礼物,那就是自我鼓励,自我肯定,自我超越。
早安。
之前羊的那个游戏很火,rs看到几次,我都没有找来玩的欲望。昨晚女儿突然问我懂不懂,原来她同学都在玩。为了亲子关系嘛,就和儿子开始挑战,玩了一晚,没成功过,我放弃了去睡觉。在我将要睡着的时候,两兄妹传来嘻嘻哈哈的声音[哼]
开门冲着他们喊:“我要睡觉!”
女儿:“sorry!”
儿子:“我成功了!”
我很敷衍的夸他:“好棒。不要再大声了哈!” 关门。
之前拍过的野菌,边边掉了,看到底下纹路的一角。
之前羊的那个游戏很火,rs看到几次,我都没有找来玩的欲望。昨晚女儿突然问我懂不懂,原来她同学都在玩。为了亲子关系嘛,就和儿子开始挑战,玩了一晚,没成功过,我放弃了去睡觉。在我将要睡着的时候,两兄妹传来嘻嘻哈哈的声音[哼]
开门冲着他们喊:“我要睡觉!”
女儿:“sorry!”
儿子:“我成功了!”
我很敷衍的夸他:“好棒。不要再大声了哈!” 关门。
之前拍过的野菌,边边掉了,看到底下纹路的一角。
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