#科技晚报# 国内首次！我国学者制备出晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件
近日，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。

中科院微电子研究所官方消息显示，该课题组联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司，基于8英寸CMOS先导工艺研发线，自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块，在国内首次实现了晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件制备，为新型定制化STT-MRAM非挥发存储器的研制奠定了基础。
https://t.cn/A62TJGUh

【国内首次！我国学者制备出晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件】#我国存储新突破#

近日，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。在国内首次实现了晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件制备，为新型定制化STT-MRAM非挥发存储器的研制奠定了基础。https://t.cn/A62lFMLl

#点赞无锡# 【江阴：16个项目！195亿元！】红五月的最后一天，江阴集成电路设计创新中心揭幕，31日上午，总投资195亿元的16个“主题产业园”项目集中签约。江阴集成电路设计创新中心由江阴市人民政府、中科院微电子研究所、江阴高新区等共同发起设立，当前，国内集成电路产业发展进入到以产品为中心、以行业解决方案为突破口的新阶段，微电子研究所将与江阴及新潮集团强强联手，推动江阴集成电路技术创新与产业发展，共同打造一个以江阴为中心、辐射长三角、影响全国的产业生态。https://t.cn/A62CWHcH