【纯电快充平台：800V高压与IGBT-SiC】
1）【800V高压】纯电快充平台可提高充电速度，降低部分零部件成本，减少能量损耗。例如【小鹏G9】搭载800V高压SiC平台，配合480kW高压充电桩，充电5分钟最高可补充200公里续航。预计2025年国内产电产业市场规模可达到265亿，全球市场规模达到854亿。
2）在新能源车的电驱动系统中，【SiC】具高效高频特性，可替代【IGBT】应用于多个部件，如电源转换、DCDC、OBC及电机电控等。据Yole数据，SiC全球市场将在2025年达到25.6亿美元，CAGR30%。

【中国突破4nm封装技术，能改变国内芯片格局吗？】

相信不少人都已经知道，长电科技已实现4nm手机芯片封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。该技术的应用将填补国内空白，打破国外技术垄断，推动芯片产业发展。去年7月，长电科技发布XDFOI多维先进封装技术，该技术能够为高密度异构集成提供全系列解决方案，也为此次攻克4nm先进工艺制程封装技术打下基础。

众所周知，制程愈短，晶体管愈小，晶体管间间距愈短，线间距愈短。而如何精确地将晶片上的电线与外接接口连接起来，也是一项相当高的技术含量。因此4nm芯片的制造技术难度很大，封装难度也很大。这次实现突破的国产4nm芯片封装技术还是一种多维异构芯片封装技术。

多维异构芯片封装技术要将多种类型的芯片集成在一起，相比于传统的芯片叠加技术，多维异构封装通过导入硅中介层、重布线中介层及其多维结合，来实现更高维度芯片封装。该中介层封装的另一特点是能够优化组合不同的密度布线和互联从而达到性能和成本的有效平衡。

很多人对这一突破不以为然，认为不是光刻机的突破就不算重大好消息，但真的是这样吗？

目前先进制程工艺其实已经无限接近于物理极限了，所以如果想要打造高端芯片，或许要解决的并不是EUV光刻机的问题，而是找到另外的方法，而封装技术可能就会成为一个新的突破口。就目前来看，我国在芯片封装技术领域处于领先水平，4nm封装工艺的突破，给了中国芯一个机会。

中国芯片封装工艺突破，对于中国芯的发展是具有积极意义的。在顶尖的封装工艺加持下，通过多芯片的重组堆叠，我们也能实现和高端芯片同样的性能水平。而这也将降低中国芯对光刻机的依赖，也算是“去美化”进程中的重要一步。

先进封装技术是摆脱光刻机困境的“助推器”。缺少制造高端芯片的EUV光刻机一直是国内芯片发展的最大痛点，但先进制程工艺已经快要接近物理极限，哪怕是荷兰的EUV光刻机，也很难再进一步打造更高端的芯片。而封装技术的突破或许就可以帮助我们实现弯道超车，因为芯片封装技术是提升芯片性能的好帮手，可以真正做到“1+1>2”的效果。此外，先进的封装技术除了可以提升芯片的性能以外，还可以助力先进工艺的研发。台积电能做到今天领先全球的顶尖水平，也得益于其早期在封装业务领域的经验积累，通过封装业务外包，逐渐了解芯片构造，进一步研发技术，积累经验、培养人才，之后再进入芯片制造的领域。

先进封装，价值链的未来重心。先进封装是“超越摩尔时代”的一大技术亮点，当芯片在每个工艺节点上的微缩越来越困难、越来越昂贵之际，工程师们将多个芯片放入先进的封装中，就不必再费力缩小芯片了。

先进制程工艺走到物理极限之后，未来芯片性能对于设计与封装的依赖就会变得越来越大。先进封装工艺已经成为承托未来半导体技术发展的重要依据。研究机构Yole的数据显示，2021年先进封装市场规模已经达到了约350亿美元，到2025年这一数字将上升至420亿美元。市场营收数据在我们看来还不是最紧要的——抛开技术革新不谈，市场层面“先进封装”颇有重新定义封测产业链价值，或转移价值重心的意思。

长电科技去年提出从“封测”到“芯片成品制造”的概念升级，长电CEO郑力提到：“封测”这个词已经不能很好地表达先进封装的含义，以及高密度封装的技术需求和技术实际状态。所以以“成品制造”去描述更为贴切，可以反映当下的集成电路最后一道制造流程中的技术含量和技术内涵。这是对先进封装技术对产业链影响的最佳写照。

不仅中国，美国也意识到了封装业的重要意义，提出美国在先进封装“回流”方面的相关法案与激励措施，发力先进封测技术领域。目前，中国先进封装技术基本与国外持平，市场也非常有发展的潜力，国内先进封装企业推进现有技术成熟，将加大高端先进封装形式产能规模。未来有可能借助此领域的优势实现国产芯片的“弯道超车”，完成全产业链的突破。

找东西的反馈，这次是身份证

不单单只是解，还要分清楚里相和表相，很多人为什么解不准，就是因为只看表面不懂内在。我解都是根据问题，背景，人物，事件，表相和里相进行深入分析，有些时候准确不是看表面，还是需要联想分析，最后下定论。

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