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【第三代半导体投资收购不断 产业链加速成熟】
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。
近年来第三代半导体风起，2022年投资、整合、扩产不断。
8月15日，氮化镓龙头纳微半导体宣布收购碳化硅企业GeneSiC，业务线拓展至碳化硅市场。据悉，GeneSiC在碳化硅功率器件领域排名前十，主要提供650V-6500V全系列车规级碳化硅MOS，收购总额约19亿美元。
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。在当前的半导体世界中，硅器件仍占据九成市场，第三代半导体规模仍小、技术也需要再突破，但是整体成长速度飞快。
在2022集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上，集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄表示：“在全球疫情反复等客观因素的影响下，消费电子等终端市场需求有所下滑，但应用于功率元件的第三代半导体在各领域的渗透率仍然呈现持续攀升之势，其中，800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等领域的快速发展，推升了2022年SiC(碳化硅)/GaN(氮化镓)功率半导体市场需求。”
国内企业也纷纷落子第三代半导体，布局新能源、新基建等增长型市场，同时也面临着挑战。龚瑞骄告诉21世纪经济报道记者，整体来看，国内第三代半导体的困境体现在两方面，其一是器件技术方面，比如碳化硅MOS芯片和海外有较大差距，并且主要依靠海外代工;其二，原材料领域，国际上碳化硅衬底已经进入8英寸，中国才刚刚步入6英寸量产。
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氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场。视觉中国
碳化硅加速上车
经过十多年的发展，碳化硅早已走向商用，而随着全球低碳化趋势，以及新能源汽车的崛起，碳化硅乘上了新东风，尤其是在汽车领域，按下了上车的加速度。
根据TrendForce集邦咨询最新报告《2022第三代半导体功率应用市场报告》显示，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。
Wolfspeed中国区销售与市场副总裁张三岭谈道，终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。
他举例道，以电动汽车的22kW OBC(车载充电器)应用为例，SiC器件有助于减少30%的功率损耗、缩短充电时间，并将功率密度提升50%，带动系统效率的提升及系统成本的下降。同时SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开发展空间。
谈及碳化硅在汽车领域的挑战，龚瑞骄接受记者采访时表示：“核心挑战在于主驱逆变器的可靠性要求很高，成本高。产业链也在通过多个方式降低成本，其中在衬底领域有不小空间，比如切割环节，普通晶体切割工艺会损失大量产能，使用新型的激光切割等方法来减少损失。此外，国内芯片良率上，和国外还有差距。”
面对电动汽车等市场机遇，全球厂商们不断扩大碳化硅产能、投入研发。今年4月，全球SiC材料龙头Wolfspeed全球最大的首座8英寸(200mm)SiC工厂正式开业，该工厂预计2024年达产，届时产能将达2017年的30倍。除了Wolfspeed，今年英飞凌计划斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品。同时，更多的企业在8英寸领域进行突破，比如法国企业Soitec发布了首款8英寸碳化硅晶圆、中国电科材料烁科公司研制出8英寸碳化硅晶体。
当前，国内的碳化硅项目也层出不穷，并且汽车领域竞争激烈，除了国外大厂，国内的上汽、北汽、广汽、吉利等大型汽车集团正在加大本土碳化硅产业链的投资力度。在泰科天润应用测试中心主任高远看来，国产碳化硅芯片项目面临多方面的问题。比如对于6英寸、8英寸的选择上，短期内仍以6英寸为主，可以谨慎布局英8寸技术，未来瓶颈在国产8英寸衬底供应，同时芯片制造工艺上也亟待突破。
高远还指出，二极管已成红海市场，碳化硅二极管成为国产化的突破口，但随着价格的不断下降，导致新进玩家门槛越来越高。在碳化硅器件的主战场主逆变器方面，国产器件需要在工业领域、OBC、车载DC-DC充分验证后才能放心上主驱逆变器，预计还需要3-5年时间。
氮化镓急拓新市场
再看热门的氮化镓领域，龚瑞骄介绍道，氮化镓材料被广泛应用在功率半导体、微波射频元件、光电子元件。在Power(电源)领域，目前主流的衬底类型是硅基氮化镓，Transphorm、Navitas(纳微半导体)、Innoscience(英诺赛科)等厂商均是采用这类的结构。另外在RF元件市场，主要以碳化硅基氮化镓为主流的结构，相关厂商有住友电工、科沃、NXP、Wolfspeed等。
当前，氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场，厂商们也在不遗余力地往数据中心、电动汽车等新市场拓展。
目前在全球氮化镓市场上，英诺赛科排名前三，并采用IDM模式，在苏州和珠海建有8英寸硅基氮化镓量产线。英诺赛科首席营销官冯雷向21世纪经济报道记者表示，氮化镓的优势不仅在充电器领域，还包括数据中心和车载市场。以数据中心电源应用为例，英诺赛科已经和国内外头部厂商进行合作，比如已经和英伟达进入到验证阶段。
他进一步说道，美国厂商在经历架构变化，谷歌提倡服务器电源从12V到48V的转换，会减少电源损失，氮化镓的优势非常明显。
同时，在新能源汽车领域，英诺赛科也已经进行布局。冯雷介绍道：“进入量产的是在激光雷达的驱动激光板的开关，只有氮化镓才可以实现需求。下一步，更高压的氮化镓是否能做核心驱动，还在验证阶段。”
谈及产能，冯雷告诉记者，目前英诺赛科的产能可以满足今年和明年需求，在他看来：“2023年是氮化镓增长元年，2024年将开始指数级增长。氮化镓从试产到量产应用，已经走过一个循环，市场还会不断增长，数据中心、服务器大厂家都在明确地投入，开发氮化镓高效率的解决方案。”
从全球产业看，氮化镓企业也在加快研发脚步，据介绍，在材料领域，丰田开发出超过6英寸的氮化镓单晶衬底，韩国IVWorks收购法国Saint-Gobain的氮化镓单晶衬底业务;器件领域，Nanowin产品进入三星快速充电器，今年成立首个电动汽车氮化镓IC设计中心。
龚瑞骄表示：“车身的OBC、DC/DC、激光雷达中氮化镓有非常好的应用，我们预估氮化镓的功率元件市场规模将在今年达到2.6亿美元，2026年成长至17.7亿美元，复合增长率达到61%。”
不过，他也指出，目前氮化镓材料的成本还非常高，可以看到4英寸的氮化镓单晶衬底大概是1500美金，折算回同尺寸的碳化硅大概是四倍的价格。
冯雷则向记者表示：“成本上，氮化镓近三年内快速降低，同样功率等级的情况下和硅产品相比，已经从5、6倍降至1.5倍的水平，接下来还会进一步下降。”
随着氮化镓产业链的成熟和成本的不断降低，氮化镓功率器件的应用场景将会进一步拓展。
【第三代半导体投资收购不断 产业链加速成熟】
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。
近年来第三代半导体风起，2022年投资、整合、扩产不断。
8月15日，氮化镓龙头纳微半导体宣布收购碳化硅企业GeneSiC，业务线拓展至碳化硅市场。据悉，GeneSiC在碳化硅功率器件领域排名前十，主要提供650V-6500V全系列车规级碳化硅MOS，收购总额约19亿美元。
目前，碳化硅和氮化镓是第三代半导体中应用最广的两类材料，其中碳化硅商用更加成熟，氮化镓市场初起步。在当前的半导体世界中，硅器件仍占据九成市场，第三代半导体规模仍小、技术也需要再突破，但是整体成长速度飞快。
在2022集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上，集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄表示：“在全球疫情反复等客观因素的影响下，消费电子等终端市场需求有所下滑，但应用于功率元件的第三代半导体在各领域的渗透率仍然呈现持续攀升之势，其中，800V汽车电驱系统、高压快充桩、消费电子适配器、数据中心及通讯基站电源等领域的快速发展，推升了2022年SiC(碳化硅)/GaN(氮化镓)功率半导体市场需求。”
国内企业也纷纷落子第三代半导体，布局新能源、新基建等增长型市场，同时也面临着挑战。龚瑞骄告诉21世纪经济报道记者，整体来看，国内第三代半导体的困境体现在两方面，其一是器件技术方面，比如碳化硅MOS芯片和海外有较大差距，并且主要依靠海外代工;其二，原材料领域，国际上碳化硅衬底已经进入8英寸，中国才刚刚步入6英寸量产。
2.jpg
氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场。视觉中国
碳化硅加速上车
经过十多年的发展，碳化硅早已走向商用，而随着全球低碳化趋势，以及新能源汽车的崛起，碳化硅乘上了新东风，尤其是在汽车领域，按下了上车的加速度。
根据TrendForce集邦咨询最新报告《2022第三代半导体功率应用市场报告》显示，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。
Wolfspeed中国区销售与市场副总裁张三岭谈道，终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不同的应用领域发光发热。
他举例道，以电动汽车的22kW OBC(车载充电器)应用为例，SiC器件有助于减少30%的功率损耗、缩短充电时间，并将功率密度提升50%，带动系统效率的提升及系统成本的下降。同时SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景，接下来将逐步打开发展空间。
谈及碳化硅在汽车领域的挑战，龚瑞骄接受记者采访时表示：“核心挑战在于主驱逆变器的可靠性要求很高，成本高。产业链也在通过多个方式降低成本，其中在衬底领域有不小空间，比如切割环节，普通晶体切割工艺会损失大量产能，使用新型的激光切割等方法来减少损失。此外，国内芯片良率上，和国外还有差距。”
面对电动汽车等市场机遇，全球厂商们不断扩大碳化硅产能、投入研发。今年4月，全球SiC材料龙头Wolfspeed全球最大的首座8英寸(200mm)SiC工厂正式开业，该工厂预计2024年达产，届时产能将达2017年的30倍。除了Wolfspeed，今年英飞凌计划斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品。同时，更多的企业在8英寸领域进行突破，比如法国企业Soitec发布了首款8英寸碳化硅晶圆、中国电科材料烁科公司研制出8英寸碳化硅晶体。
当前，国内的碳化硅项目也层出不穷，并且汽车领域竞争激烈，除了国外大厂，国内的上汽、北汽、广汽、吉利等大型汽车集团正在加大本土碳化硅产业链的投资力度。在泰科天润应用测试中心主任高远看来，国产碳化硅芯片项目面临多方面的问题。比如对于6英寸、8英寸的选择上，短期内仍以6英寸为主，可以谨慎布局英8寸技术，未来瓶颈在国产8英寸衬底供应，同时芯片制造工艺上也亟待突破。
高远还指出，二极管已成红海市场，碳化硅二极管成为国产化的突破口，但随着价格的不断下降，导致新进玩家门槛越来越高。在碳化硅器件的主战场主逆变器方面，国产器件需要在工业领域、OBC、车载DC-DC充分验证后才能放心上主驱逆变器，预计还需要3-5年时间。
氮化镓急拓新市场
再看热门的氮化镓领域，龚瑞骄介绍道，氮化镓材料被广泛应用在功率半导体、微波射频元件、光电子元件。在Power(电源)领域，目前主流的衬底类型是硅基氮化镓，Transphorm、Navitas(纳微半导体)、Innoscience(英诺赛科)等厂商均是采用这类的结构。另外在RF元件市场，主要以碳化硅基氮化镓为主流的结构，相关厂商有住友电工、科沃、NXP、Wolfspeed等。
当前，氮化镓的主要应用场景仍在消费电子端的充电器领域，快充为其提供了商用市场，厂商们也在不遗余力地往数据中心、电动汽车等新市场拓展。
目前在全球氮化镓市场上，英诺赛科排名前三，并采用IDM模式，在苏州和珠海建有8英寸硅基氮化镓量产线。英诺赛科首席营销官冯雷向21世纪经济报道记者表示，氮化镓的优势不仅在充电器领域，还包括数据中心和车载市场。以数据中心电源应用为例，英诺赛科已经和国内外头部厂商进行合作，比如已经和英伟达进入到验证阶段。
他进一步说道，美国厂商在经历架构变化，谷歌提倡服务器电源从12V到48V的转换，会减少电源损失，氮化镓的优势非常明显。
同时，在新能源汽车领域，英诺赛科也已经进行布局。冯雷介绍道：“进入量产的是在激光雷达的驱动激光板的开关，只有氮化镓才可以实现需求。下一步，更高压的氮化镓是否能做核心驱动，还在验证阶段。”
谈及产能，冯雷告诉记者，目前英诺赛科的产能可以满足今年和明年需求，在他看来：“2023年是氮化镓增长元年，2024年将开始指数级增长。氮化镓从试产到量产应用，已经走过一个循环，市场还会不断增长，数据中心、服务器大厂家都在明确地投入，开发氮化镓高效率的解决方案。”
从全球产业看，氮化镓企业也在加快研发脚步，据介绍，在材料领域，丰田开发出超过6英寸的氮化镓单晶衬底，韩国IVWorks收购法国Saint-Gobain的氮化镓单晶衬底业务;器件领域，Nanowin产品进入三星快速充电器，今年成立首个电动汽车氮化镓IC设计中心。
龚瑞骄表示：“车身的OBC、DC/DC、激光雷达中氮化镓有非常好的应用，我们预估氮化镓的功率元件市场规模将在今年达到2.6亿美元，2026年成长至17.7亿美元，复合增长率达到61%。”
不过，他也指出，目前氮化镓材料的成本还非常高，可以看到4英寸的氮化镓单晶衬底大概是1500美金，折算回同尺寸的碳化硅大概是四倍的价格。
冯雷则向记者表示：“成本上，氮化镓近三年内快速降低，同样功率等级的情况下和硅产品相比，已经从5、6倍降至1.5倍的水平，接下来还会进一步下降。”
随着氮化镓产业链的成熟和成本的不断降低，氮化镓功率器件的应用场景将会进一步拓展。
进相器用在立磨/球磨机上该如何调试
一、接线（断开一次电源）
1、转子三相电缆接入进相器Ma、Mb、Mc三相铜排接线处（此三根铜排上均串有电流传感器），进相器Qa、Ｑb、Qc三相（KM1主触头接线端子）接入起动器主回路。（注意：转子一相电缆为多芯并接时，要注意相序）。
2、进相器电源线接入：需A、C两相及N线接入（最小选用4平方的铜芯线）
3、进相器电流信号线为01、03号，应串接在高压柜电流互感器二次回路中。
4、进相器所取电压信号线为04、05号，应并接在高压柜电压互感器二次回路中。(注意：进相柜所取一相电流信号与两相的相电压信号应不同相，即：电流取Ｃ相，电压就取Ａ、Ｂ两相)
5、进相柜Ｗ、１１１两端子处，需接入起动柜星点接触器辅助常开点上。 注意：检查电流表是否符合一次柜量程，功率因数表电压等级是否符合要求。 二、电机起动前的常规检查 1、可控硅联接情况检查
把控制单元的两个驱动板抽出（抽离后接线插槽即可，拔插电路板时注意平行方向轻插轻拔以保护插槽的完好），用万用表的欧姆档检查：
a、各可控硅极间正常电阻值：
阴（K）与触发（G）―――几十欧姆（通常在15~30Ω之间）； 阴（K）与阳极（A）―――开路（几十千欧）
b、各可控硅之间，可控硅与柜体间有无短路情况。
二、铜排、接触器各螺丝有无松动现象，焊线有无脱焊现象，铜排与柜体不能太近。
3、大变压器TM的输入端是否接在合适的电压档位上并接牢。
4、检查三块板子各芯片插接是否到位。
5、前述各项检查完毕后，把控制板复位、插好。
注意：主板的上拔码开关要全部打向“关断”位置―――即“ON”相反位置，拨码开关位于中间一块主板的左上部，为四联拨码开关，示意图如下：
（1）进相器空机试验状态时1在下，2、3、4在上
（2）主机负荷运行状态时1、2、3、4均在下方
进相器用在立磨/球磨机上该如何调试
三、给进相器供电，空试动作情况。
1、连锁情况：进、退相是否正常，并试与一次柜的各个联锁情况，如开路或柜内停电时主机无法起动或跳停，起动完毕给入进相回路一个运行信号。
2、检测数据： a、控制变压器TC的输出电压是否符合标称值，固态继电器控制电压是否合乎要求（一般在10VDC左右）； b、各个可控硅触发电压是否符合要求，退相时触发电压一般在0.2~0.6V/DC之间，进相时一般在0.2~0.8V/DC之间变化：
四、电机带负荷运转后的调试与检查。（通常电机带够80%以上负荷才能投入）
1、控制单元的检查：电机起动完毕后，控制单元开始得电，控制板上指示灯如下显示，则表明控制板正常（注意拨码开关必须打在合适的档位）：
a、主板上L1、L2、L3（从上向下数）循环闪亮，主板上其它灯全亮L4~L8（其中，L1~L3分别是转子三相电流检测，L4是主板+5VDC电源指示，L5是热故障指示，L6是缺相及自动故障保护指示，L7是+15VDC电源指示，L8是-15VDC电源指示）。
b、两块驱动板上的12个灯均显轻微闪动并一直亮着，分别代表十二只可控硅的触发信号。同时测量各路触发电压是否在0.2~0.6范围内）
2、功率因数表相序调试
a、设备带载80%开起后，功率因数表应处在“滞后0.8左右”区域，若功率因数表不动。 如果电流表有电流指示，同时功率因数表B、C间电压等于电压互感器二次侧电压，则说明功率因表坏，需电机停机后检查检修或更换之。 注意：电机未停的情况下，不得断开电流回路，即不得拆卸表。
b、若指针处于超前区域 调换XT2端子上的“电压信号”两线的位置即可，若调换后指仍不对，则表明电流信号与电压信号有重相的情况，需停机后重新检查，联接电流、电压信号线。
c、若进相功率因数后退的，则检查接线及用户计量线是否有误。 五、进相调试 在检查完控制单元正常，且功率因数表调试完后，才可进行进相调试。
a、注意观察电流表，按一下“进相”按钮。电流减小，表明相序正确，进相器已可以进相。
b、若电流增大，则需立即“退相”，调换同步变压器（TC）上两根0V、6V信号线的位置，之后再进相则电流应减小，而功率因数则提高。
c、若进相后，功率因数偏低，可在退相的情况下，换接TM大变压器的输入线，提高电压等级。
注：进相器的所有调整和检修必须在退相状态下进行，电流互感器二次侧不得开路，电压互感器二次侧不得短路。
故障排除方法：
一、 强电故障维修：
1、 电机不能起动：
① 确认柜内有无送电；
② 检查KM1接触器是否通电细合；
③ 检查KM1辅助触头的121及123是否闭合或接触良好； ④ 检查其他设备的起动连锁。
2、按进相能够进相，但松手后立即退相：
① 检查螺旋保险FU是否正常或接触良好；
② 检查KM3是否完好，如线圈，辅助常闭触头是否粘连；
③ 检查KM4是否完好，如线圈，辅助常开触头有无接触不好，辅助常闭触头有无粘连； ④ 检查KM2是否通电后有反复细合现象，接入KM4线圈的KM1常闭点是否细合不好。
3、 进相后停主机：
① 确认转子线有无动过，如接到KM1和KM2的电缆有无混淆，以及电源及转子电缆相序是否动过；
② 确认电源电压是否正常；
③ 停主机后，关断一次主回路电源进行连动试验：关断主板电源QF2并将主板拨码开关调至试验状态（再送上QF2主板应该正常显示），然后模拟开启一次柜至起动完毕后投入进相，如果进相仍然停主机一次柜则将跳闸联锁屏蔽（如从进相器接线端子上短接131-133或分断125-129号线）并再次起动完并投入进相，如果能正常投入且不再停主机则可判断为KM2辅助触头出现问题，如果不能进相则说明控制回路出现问题，此时应该根据故障现象按照上述“第一项”检查。
④ 如果进相后KM2反复吸合（此现象一般存在与消声节能型线圈），则应检查接触器线圈回路所接分压电容容量是否下降，如是应该先用1-2цF/（≥630VAC）的电容更换使用，该电容与辅助触头常闭点是并联的，如过换电容后仍然故障存在则应检查线圈整流回路。
4、 进相后电流大幅度摆动：
①、 确认电源电压是否正常，电机电流在退相时是否有大幅度摆动，如有则属于电源、电机或负载 问题，否则请按照如下步骤进行；
②、 确认控制电源及转子相序是否动过，否则请还原；
③、 检查控制板后面焊线是否有脱焊、漏焊、虚焊现象；
④、 检查KM2主触头及转子回路及电缆有无绝缘不良的现象；
⑤、 检查轴流风机是否运转正常，KM4及KM3触头有无接触不良现象；
⑥、 分别在退相和进相状态下观察主板L1，L2，L3指示灯是否有规律的循环闪亮，如不正常则应 检查传感器输出电压是否有0～5ＶＤＣ的脉动电压，如正常则更换主板试试，更换后正常则检修主板；如果传感器输出电压异常则是传感器出现问题；
⑦、 在关断ＱＦ２空气开关时，测量十二只可控硅的阴阳极电阻是否偏小，阴极与触发极电阻是否 合乎要求；
⑧、 检查主板C205电容容量有无过大或过小，一般在1.8～２.２μＦ之间；
⑨、 如上述检查均无问题，则应该询问现场有无变频器等干扰源，如有需要使电源避开干扰源或增 加隔离装置。
二、 弱电故障维修：（观察三块电路板的指示灯如有显示不正常则属于弱电故障）
1、三块板子均不正常
a、三块板均有部分灯不正常，则： ①换主板上的IC210（LM324）； ②如仍然不行则更换驱动板的2004。
b、三块板只有个别灯亮，则： ①检查控制板是否插好，否则稍微用力插紧； ②如仍不行，更换两驱动板的555芯片。
C、三块扳灯全不亮，则：
①确认电机是否起动完毕，星点接触器及其辅助触点是否吸合良好； ②检查三块控制板是否完全插好；
2、主控板故障（中间一块，L1～Ｌ３应该循环闪亮，L４～Ｌ８应该常亮）
Ａ、L1～Ｌ３三灯中有的循环有的不循环，而其他正常，则更换ＩＣ２１１（ＬＭ３２４）；
① 如Ｌ６不亮，，其他灯亮，则检查转子是否开路，电机是否在带负荷运行（不含起动状态）；
② 更换ＩＣ２１０；
③ 如仍然是同一个灯不亮则应该根据传感器输出电压来判断传感器故障并更换。
Ｂ、Ｌ１～Ｌ３全都不循环：
①、 如Ｌ４～Ｌ８均亮则更换ＩＣ２１１；
②、 如Ｌ６不亮，其他灯亮，则观察电机是否在带负荷运行（不含起动状态）；如一切正常则更换ＩＣ2１０，ＩＣ２０５（ＭＣ１４５２８），ＩＣ２０７（２０５１）；
Ｃ、主板上Ｌ６不亮，其他正常：
①、 检查主板上的四位拨码开关是否调在合适的档位；
②、 更换芯片ＩＣ２０９（４Ｎ３５）；
③、 更换主芯片ＩＣ２０７（２０５１）。
Ｄ、主板上Ｌ５、Ｌ６不亮，其他灯均正常：
①、 ＴＭ输出铜排温度是否低于７５℃，否则应检查： Ⅰ、轴流风机是否运转正常； Ⅱ、可控硅是否有接近击穿的。
②、 如低于７５℃，则检查温度开关是否开路（断开ＱＦ２时测量温度开关管脚是否相通）。
３、 主控板板正常，驱动板不正常：
①、 一块驱动板上部分灯不亮，其余灯正常，则则更换２００４；
②、 一块驱动板上的灯全不亮，则更换该板上的５５５；
③、 两块板上的等全亮，个别灯没有快速闪亮或灯非常微弱，则抽出该板，检查插针有无异常和氧化现象，如无则重新插好，如仍有个别灯不闪，则驱动板坏。
进相器用在立磨/球磨机上该如何调试
襄阳源创工业控制有限公司https://t.cn/RzEgZbj
技术咨询热线：13508662630 张工
联系电话：0710-3403558 0710-3425868
联系地址：襄阳市樊城区春园西路贾洼工业园
一、接线（断开一次电源）
1、转子三相电缆接入进相器Ma、Mb、Mc三相铜排接线处（此三根铜排上均串有电流传感器），进相器Qa、Ｑb、Qc三相（KM1主触头接线端子）接入起动器主回路。（注意：转子一相电缆为多芯并接时，要注意相序）。
2、进相器电源线接入：需A、C两相及N线接入（最小选用4平方的铜芯线）
3、进相器电流信号线为01、03号，应串接在高压柜电流互感器二次回路中。
4、进相器所取电压信号线为04、05号，应并接在高压柜电压互感器二次回路中。(注意：进相柜所取一相电流信号与两相的相电压信号应不同相，即：电流取Ｃ相，电压就取Ａ、Ｂ两相)
5、进相柜Ｗ、１１１两端子处，需接入起动柜星点接触器辅助常开点上。 注意：检查电流表是否符合一次柜量程，功率因数表电压等级是否符合要求。 二、电机起动前的常规检查 1、可控硅联接情况检查
把控制单元的两个驱动板抽出（抽离后接线插槽即可，拔插电路板时注意平行方向轻插轻拔以保护插槽的完好），用万用表的欧姆档检查：
a、各可控硅极间正常电阻值：
阴（K）与触发（G）―――几十欧姆（通常在15~30Ω之间）； 阴（K）与阳极（A）―――开路（几十千欧）
b、各可控硅之间，可控硅与柜体间有无短路情况。
二、铜排、接触器各螺丝有无松动现象，焊线有无脱焊现象，铜排与柜体不能太近。
3、大变压器TM的输入端是否接在合适的电压档位上并接牢。
4、检查三块板子各芯片插接是否到位。
5、前述各项检查完毕后，把控制板复位、插好。
注意：主板的上拔码开关要全部打向“关断”位置―――即“ON”相反位置，拨码开关位于中间一块主板的左上部，为四联拨码开关，示意图如下：
（1）进相器空机试验状态时1在下，2、3、4在上
（2）主机负荷运行状态时1、2、3、4均在下方
进相器用在立磨/球磨机上该如何调试
三、给进相器供电，空试动作情况。
1、连锁情况：进、退相是否正常，并试与一次柜的各个联锁情况，如开路或柜内停电时主机无法起动或跳停，起动完毕给入进相回路一个运行信号。
2、检测数据： a、控制变压器TC的输出电压是否符合标称值，固态继电器控制电压是否合乎要求（一般在10VDC左右）； b、各个可控硅触发电压是否符合要求，退相时触发电压一般在0.2~0.6V/DC之间，进相时一般在0.2~0.8V/DC之间变化：
四、电机带负荷运转后的调试与检查。（通常电机带够80%以上负荷才能投入）
1、控制单元的检查：电机起动完毕后，控制单元开始得电，控制板上指示灯如下显示，则表明控制板正常（注意拨码开关必须打在合适的档位）：
a、主板上L1、L2、L3（从上向下数）循环闪亮，主板上其它灯全亮L4~L8（其中，L1~L3分别是转子三相电流检测，L4是主板+5VDC电源指示，L5是热故障指示，L6是缺相及自动故障保护指示，L7是+15VDC电源指示，L8是-15VDC电源指示）。
b、两块驱动板上的12个灯均显轻微闪动并一直亮着，分别代表十二只可控硅的触发信号。同时测量各路触发电压是否在0.2~0.6范围内）
2、功率因数表相序调试
a、设备带载80%开起后，功率因数表应处在“滞后0.8左右”区域，若功率因数表不动。 如果电流表有电流指示，同时功率因数表B、C间电压等于电压互感器二次侧电压，则说明功率因表坏，需电机停机后检查检修或更换之。 注意：电机未停的情况下，不得断开电流回路，即不得拆卸表。
b、若指针处于超前区域 调换XT2端子上的“电压信号”两线的位置即可，若调换后指仍不对，则表明电流信号与电压信号有重相的情况，需停机后重新检查，联接电流、电压信号线。
c、若进相功率因数后退的，则检查接线及用户计量线是否有误。 五、进相调试 在检查完控制单元正常，且功率因数表调试完后，才可进行进相调试。
a、注意观察电流表，按一下“进相”按钮。电流减小，表明相序正确，进相器已可以进相。
b、若电流增大，则需立即“退相”，调换同步变压器（TC）上两根0V、6V信号线的位置，之后再进相则电流应减小，而功率因数则提高。
c、若进相后，功率因数偏低，可在退相的情况下，换接TM大变压器的输入线，提高电压等级。
注：进相器的所有调整和检修必须在退相状态下进行，电流互感器二次侧不得开路，电压互感器二次侧不得短路。
故障排除方法：
一、 强电故障维修：
1、 电机不能起动：
① 确认柜内有无送电；
② 检查KM1接触器是否通电细合；
③ 检查KM1辅助触头的121及123是否闭合或接触良好； ④ 检查其他设备的起动连锁。
2、按进相能够进相，但松手后立即退相：
① 检查螺旋保险FU是否正常或接触良好；
② 检查KM3是否完好，如线圈，辅助常闭触头是否粘连；
③ 检查KM4是否完好，如线圈，辅助常开触头有无接触不好，辅助常闭触头有无粘连； ④ 检查KM2是否通电后有反复细合现象，接入KM4线圈的KM1常闭点是否细合不好。
3、 进相后停主机：
① 确认转子线有无动过，如接到KM1和KM2的电缆有无混淆，以及电源及转子电缆相序是否动过；
② 确认电源电压是否正常；
③ 停主机后，关断一次主回路电源进行连动试验：关断主板电源QF2并将主板拨码开关调至试验状态（再送上QF2主板应该正常显示），然后模拟开启一次柜至起动完毕后投入进相，如果进相仍然停主机一次柜则将跳闸联锁屏蔽（如从进相器接线端子上短接131-133或分断125-129号线）并再次起动完并投入进相，如果能正常投入且不再停主机则可判断为KM2辅助触头出现问题，如果不能进相则说明控制回路出现问题，此时应该根据故障现象按照上述“第一项”检查。
④ 如果进相后KM2反复吸合（此现象一般存在与消声节能型线圈），则应检查接触器线圈回路所接分压电容容量是否下降，如是应该先用1-2цF/（≥630VAC）的电容更换使用，该电容与辅助触头常闭点是并联的，如过换电容后仍然故障存在则应检查线圈整流回路。
4、 进相后电流大幅度摆动：
①、 确认电源电压是否正常，电机电流在退相时是否有大幅度摆动，如有则属于电源、电机或负载 问题，否则请按照如下步骤进行；
②、 确认控制电源及转子相序是否动过，否则请还原；
③、 检查控制板后面焊线是否有脱焊、漏焊、虚焊现象；
④、 检查KM2主触头及转子回路及电缆有无绝缘不良的现象；
⑤、 检查轴流风机是否运转正常，KM4及KM3触头有无接触不良现象；
⑥、 分别在退相和进相状态下观察主板L1，L2，L3指示灯是否有规律的循环闪亮，如不正常则应 检查传感器输出电压是否有0～5ＶＤＣ的脉动电压，如正常则更换主板试试，更换后正常则检修主板；如果传感器输出电压异常则是传感器出现问题；
⑦、 在关断ＱＦ２空气开关时，测量十二只可控硅的阴阳极电阻是否偏小，阴极与触发极电阻是否 合乎要求；
⑧、 检查主板C205电容容量有无过大或过小，一般在1.8～２.２μＦ之间；
⑨、 如上述检查均无问题，则应该询问现场有无变频器等干扰源，如有需要使电源避开干扰源或增 加隔离装置。
二、 弱电故障维修：（观察三块电路板的指示灯如有显示不正常则属于弱电故障）
1、三块板子均不正常
a、三块板均有部分灯不正常，则： ①换主板上的IC210（LM324）； ②如仍然不行则更换驱动板的2004。
b、三块板只有个别灯亮，则： ①检查控制板是否插好，否则稍微用力插紧； ②如仍不行，更换两驱动板的555芯片。
C、三块扳灯全不亮，则：
①确认电机是否起动完毕，星点接触器及其辅助触点是否吸合良好； ②检查三块控制板是否完全插好；
2、主控板故障（中间一块，L1～Ｌ３应该循环闪亮，L４～Ｌ８应该常亮）
Ａ、L1～Ｌ３三灯中有的循环有的不循环，而其他正常，则更换ＩＣ２１１（ＬＭ３２４）；
① 如Ｌ６不亮，，其他灯亮，则检查转子是否开路，电机是否在带负荷运行（不含起动状态）；
② 更换ＩＣ２１０；
③ 如仍然是同一个灯不亮则应该根据传感器输出电压来判断传感器故障并更换。
Ｂ、Ｌ１～Ｌ３全都不循环：
①、 如Ｌ４～Ｌ８均亮则更换ＩＣ２１１；
②、 如Ｌ６不亮，其他灯亮，则观察电机是否在带负荷运行（不含起动状态）；如一切正常则更换ＩＣ2１０，ＩＣ２０５（ＭＣ１４５２８），ＩＣ２０７（２０５１）；
Ｃ、主板上Ｌ６不亮，其他正常：
①、 检查主板上的四位拨码开关是否调在合适的档位；
②、 更换芯片ＩＣ２０９（４Ｎ３５）；
③、 更换主芯片ＩＣ２０７（２０５１）。
Ｄ、主板上Ｌ５、Ｌ６不亮，其他灯均正常：
①、 ＴＭ输出铜排温度是否低于７５℃，否则应检查： Ⅰ、轴流风机是否运转正常； Ⅱ、可控硅是否有接近击穿的。
②、 如低于７５℃，则检查温度开关是否开路（断开ＱＦ２时测量温度开关管脚是否相通）。
３、 主控板板正常，驱动板不正常：
①、 一块驱动板上部分灯不亮，其余灯正常，则则更换２００４；
②、 一块驱动板上的灯全不亮，则更换该板上的５５５；
③、 两块板上的等全亮，个别灯没有快速闪亮或灯非常微弱，则抽出该板，检查插针有无异常和氧化现象，如无则重新插好，如仍有个别灯不闪，则驱动板坏。
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