2022-10-03：给定一个正数n，比如6
表示数 2022-10-03：给定一个正数n，比如6
表示数轴上有 0,1,2,3,4,5,6
<0 或者 >6 的位置认为无法到达
给定两个数字x和y，0<= x，y <= n
表示小人一开始在x的位置，它的目的地是y的位置，比如x = 1, y = 3
给定一个字符串s，比如 : rrlrlr
任何一个s的子序列，对应着一种运动轨迹，r表示向右，l表示向左
比如一开始小人在1位置，"rlr"是s的一个子序列
那么运动轨迹是：1 -> 2 -> 1 -> 2
求，s中有多少个字面值不同的子序列，能让小人从x走到y，
走的过程中完全不走出0到n的区域。
比如，s = "rrlrlr", n = 6, x = 1, y = 3
有如下5个字面值不同的子序列
rr : 1 -> 2 -> 3
rrlr : 1 -> 2 -> 3 -> 2 -> 3
rrrl : 1 -> 2 -> 3 -> 4 -> 3
rlrr : 1 -> 2 -> 1 -> 2 -> 3
rrlrlr : 1 -> 2 -> 3 -> 2 -> 3 -> 2 -> 3
注意：一定要是字面值不同的子序列！相同字面值的子序列算一种，
比如s中，有很多个rr的子序列，但是算一个，
数据规模 : s串长度 <= 1000, x,y,n <= 2500。
来自SnowFlake。#福大大架构师每日一题# https://t.cn/A6o2qYB0 https://t.cn/8FlsDfZ
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表示数轴上有 0,1,2,3,4,5,6
<0 或者 >6 的位置认为无法到达
给定两个数字x和y，0<= x，y <= n
表示小人一开始在x的位置，它的目的地是y的位置，比如x = 1, y = 3
给定一个字符串s，比如 : rrlrlr
任何一个s的子序列，对应着一种运动轨迹，r表示向右，l表示向左
比如一开始小人在1位置，"rlr"是s的一个子序列
那么运动轨迹是：1 -> 2 -> 1 -> 2
求，s中有多少个字面值不同的子序列，能让小人从x走到y，
走的过程中完全不走出0到n的区域。
比如，s = "rrlrlr", n = 6, x = 1, y = 3
有如下5个字面值不同的子序列
rr : 1 -> 2 -> 3
rrlr : 1 -> 2 -> 3 -> 2 -> 3
rrrl : 1 -> 2 -> 3 -> 4 -> 3
rlrr : 1 -> 2 -> 1 -> 2 -> 3
rrlrlr : 1 -> 2 -> 3 -> 2 -> 3 -> 2 -> 3
注意：一定要是字面值不同的子序列！相同字面值的子序列算一种，
比如s中，有很多个rr的子序列，但是算一个，
数据规模 : s串长度 <= 1000, x,y,n <= 2500。
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整流二极管（rectifier diode）一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴，N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V），称为正向导通状态。若加相反的电压，使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。
整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
整流二极管选用，整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。
整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大，多数采用面接触性料封装的二极管。另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。
整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
整流二极管选用，整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。
整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大，多数采用面接触性料封装的二极管。另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。
导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。
若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。
这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
开关稳压电源的整流电路和脉冲整流电路中使用的整流二极管应选择工作频率高、反向恢复时间短的整流二极管（如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。
若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。
这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。
开关稳压电源的整流电路和脉冲整流电路中使用的整流二极管应选择工作频率高、反向恢复时间短的整流二极管（如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。
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