分享一段俺也不知道算不算灵异事件的经历，反正不恐怖
故事地点是俺们那层流病房8号舱，因为是等同手术室的无菌环境嘛，有两道感应门，平时都会把靠近护士站的那道门打开方便我们工作，但是捏，现任八号屋主嫌外面吵一直要求两道门都关上，通过呼叫铃来找我们。
今天上午，我们的呼叫铃突然显示了“99”床呼叫，灰色的图标，但系，我们只有30张床啊，叫了师傅来修，他说修好了我们以为这事就过去了。到了中午，99号呼叫狂响，但是闪烁的图标是9床，我去9床瞅了一眼，9床睡可香了，离铃十万八千里，后来又接了99号呼叫的电话，我问了也没人回答，于是我们以为是铃坏了，来一个按一个，结果隐约听到了女人的尖叫…我就去找哪床在叫呗，结果发现了已经精神崩溃的八号……她这两天过敏，脸上本来就红肿，声嘶力竭的呐喊、叫天天不应的崩溃、高烧40度的痛苦让她更肿了[允悲][允悲][允悲]下午她打铃的时候，一边狂闪99号一边朝外面挥手，真是辛苦她了然后我下午给她量血压，本来大家学乖了，外面的门给打开了，结果我转头出来的时候发现门关了…踢了感应处，无反应，又踢，还是无反应，好家伙，我给关里面了[黑线][困]我狂拍门召唤老师，最后是外面的人硬把门拉开才出来的，我老师下午跟修理师傅说的时候还笑“小朋友下午被关里面了哈哈哈哈哈”[悲伤]女人，你有没有心[悲伤]此前八号舱还发生过“厕所半夜狂抖导致全屋玻璃共振”这样的事情，而且修也没修好，过几天还是这样。
啊怎么说呢，如果不是八号舱整体是个豆腐渣工程，就是现任八号舱患者霉运值满点，不管怎么想，她都太倒霉了吧[允悲]
故事地点是俺们那层流病房8号舱，因为是等同手术室的无菌环境嘛，有两道感应门，平时都会把靠近护士站的那道门打开方便我们工作，但是捏，现任八号屋主嫌外面吵一直要求两道门都关上，通过呼叫铃来找我们。
今天上午，我们的呼叫铃突然显示了“99”床呼叫，灰色的图标，但系，我们只有30张床啊，叫了师傅来修，他说修好了我们以为这事就过去了。到了中午，99号呼叫狂响，但是闪烁的图标是9床，我去9床瞅了一眼，9床睡可香了，离铃十万八千里，后来又接了99号呼叫的电话，我问了也没人回答，于是我们以为是铃坏了，来一个按一个，结果隐约听到了女人的尖叫…我就去找哪床在叫呗，结果发现了已经精神崩溃的八号……她这两天过敏，脸上本来就红肿，声嘶力竭的呐喊、叫天天不应的崩溃、高烧40度的痛苦让她更肿了[允悲][允悲][允悲]下午她打铃的时候，一边狂闪99号一边朝外面挥手，真是辛苦她了然后我下午给她量血压，本来大家学乖了，外面的门给打开了，结果我转头出来的时候发现门关了…踢了感应处，无反应，又踢，还是无反应，好家伙，我给关里面了[黑线][困]我狂拍门召唤老师，最后是外面的人硬把门拉开才出来的，我老师下午跟修理师傅说的时候还笑“小朋友下午被关里面了哈哈哈哈哈”[悲伤]女人，你有没有心[悲伤]此前八号舱还发生过“厕所半夜狂抖导致全屋玻璃共振”这样的事情，而且修也没修好，过几天还是这样。
啊怎么说呢，如果不是八号舱整体是个豆腐渣工程，就是现任八号舱患者霉运值满点，不管怎么想，她都太倒霉了吧[允悲]
绕城半圈，差不多200公里，疫情变化让大学的管理更加严格，校外的商户都很冷清，大半铺位都关着门，校内商业还是很兴旺，围墙边隔一段就能看到各种翻越的简易工具，靠近时监控摄像头那边的喇叭就响起，会提醒不要靠近[笑cry]
校外后街基本上都村落，夜幕降临时五颜六色的招牌亮起，在寂静无人的街道上空显得特别无力。
校外后街基本上都村落，夜幕降临时五颜六色的招牌亮起，在寂静无人的街道上空显得特别无力。
《激光芯片封装部落-半导体激光器失效的内部因素 篇八》
对于光纤激光器的技术问题主要表现在光子暗化、受激拉曼散射及横向模式不稳定性等方面。解决问题的有效途径：减少光子暗化引起的损耗，可以采用降低光纤掺杂浓度；提升受激拉曼散射阈值，可以采用大芯径光纤、增大模场面积；减小光纤盘绕半径，提供双向泵浦能有效抑制横向模式不稳定现象。
半导体激光器在使用一段时间也会出现不同程度的退化现象，大功率半导体激光器在各种不同应用场合下,激光器的可靠性是至关重要的考量。对于大功率半导体激光器,在高光功率密度工作时,器件工作稳定性发生退化,最大输出功率受到限制,器件使用寿命将会缩短。
量子阱结构激光器来说，量子阱是由带隙较窄的材料被夹在带隙较宽的材料中间形成的。当在导带量子阱中的电子与价带量子阱中的空穴复合时，就会放出一个光子，从而实现了光的产生。这种有源区结构的缺点是不可避免地造成一定比例的载流子从量子阱泄漏出去，然后在量子阱区域外进行非辐射复合，从而降低了半导体激光器的量子效率，阈值电流也会增加。对于外延结构设计开发者来说，外延结构生长工艺要有针对性的改善。
主要失效模式及机理：
随着工作时间的增加,半导体激光器的工作性能将会劣化,最明显的变化是在保持输出功率不变的情况下,工作电流会增加以及斜率效率会下降,有时还会发生突然失效的灾变性损坏。对半导体激光器来说,除了工作温度、使用条件等环境因素会影响其工作可靠性和寿命外,其本身的内部的因素也是造成其退化的主要原因。
介绍下暗线缺陷（DLD）：
暗线缺陷（DLD）是激光器工作时形成的位错网络,这些缺陷一旦侵人光腔一有源区,就会增加载流子非辐射复合速率,形成强烈的光吸收,使阑值电流不断增加, 光转换效率下降,发射功率下降。暗线缺陷的形成除了材料衬底、外延生长和工 艺过程中引人之外,它还与非辐射电子一空穴复合引起的结构微观变化有关,非辐射复合产生的能量可传递给其它电子或以声子的形式释放,引起缺陷中心附近 的晶格构造发生改变,促使缺陷发生攀移或滑移,最终形成暗线缺陷。因此暗线缺陷的形成过程与温度有很大的关系,它所引起的退化速率强烈地依赖于温度。
材料内部晶体缺陷和应力位于半导体激光器有源区所产生的缺陷,或者是由其 它区域迁移扩散到有源区的位错会引起缺陷并在腔面造成主要缺陷。这些缺陷 可以分为两类：发生于有源区的均勾退化；因为有源区光吸收所产生的暗线缺陷 （DLD）和暗点缺陷（DSD）。这些缺陷的形成一方面是衬底和外延层在生长还有 工艺等过程中所造成的,另 一方面则受到激光器非辖射复合的影响。除此之外, 杂质也会引起器件发生退化,并且发生这些过程的程度均受温度影响,每次退化速率都强烈的依赖于温度的变化。材料内部缺陷会随着温度的升高而逐步扩大 , 最终影响到腔面。
暗线和暗点：
当半导体激光器在高功率密度工作时,有源区会产生许多非福射复合吸收强烈 的区域,随着半导体激光器发生退化,它们的尺寸会随着退化的过程而不断的增加,最终形成与。线位错是造成与的主要潜在因素。一方面,在外延材料生长时线 位错会形成于晶格缺陷的周围。当晶格中的杂质浓度达到时,线位错就会发生攀移并形成，另一方面,当器件工作时,有源区内缺陷相互作用,导致线位错发生攀移。激光器在高功率密度工作时,有源区局部焴融,溶化区域会由腔面慢慢向有源 区深入蔓延,最终在该处形成密集的点缺陷,造成器件失效。
非福射俄歇复合使半导体激光器对温度灵敏度升高,器件的阈值电流等性能参 数受温度影响显著。同时,对于三-五族的半导体激光器,其半导体材料的价带存在自旋轨道分裂带，电子吸收光子后跃迁到重空穴带会造成的光损耗,并会随着温度的升高而加剧,最终引起半导体激光器的阈值电流增加、量子效率降低、可 靠性变差,最后造成器件失效。
腔面损伤退化：
腔面损伤退化一般引起退化的腔面是指半导体激光器谐振腔面的解理面,它是激光器的重要组成部分，腔面的损伤退化一般有灾变性腔面损伤退化和腔面的化学腐蚀损伤退化。在高功率密度激光特别是在激光脉冲工作条件下的高峰值功率密度的作用下,由于近场的不均匀、局部过热、氧化、腐蚀、介质膜的针孔和杂质等因素使腔面遭受损伤,增加表面态复合或光吸收,使注人电流密度增加,局部大量发热,造成解理面局部熔融、分解,而且温度的增加又使吸收系数加大,形成恶性循环,最终导致灾变性的损伤,使器件完全失效。腔面的化学腐蚀是由于光化学作用使腔面表面发生氧化,并在腔面上形成局部缺陷,导致腔面局部的反射系数 的变化,影响激射光丝位置的稳定性,增加了非辐射复合速率。特别是含铝的Ga
As/AlGaAs材料半导体激光器,铝元素吸附水汽和氧而使端面氧化形成局部缺陷,影响表面对光的吸收,导致局部大量发热,使激光器性能退化甚至失效。
光学灾变损伤即COD（catastrophic optical damage）的发生对于激光器来说是及其危害的。COD的发生涉及到三个阶段：第一阶段,是激光器达到临界性腔面温度,在长时 连续波工作发生逐渐退化或者高强度电流脉冲作用下,激光器腔面温度超过设定范围，然后诱导热失控引起了最主要的腔面损害的发生,包括腔面培融、氧化和损伤；第三阶段,靠近腔面附近的缺陷蔓延扩散造成了继发性损害，最终发生损毁器件失效。而这一时刻的输出功率即为激光器的阈值。它表明了器件的最大输出功率和寿命。
电极退化：
电极退化高功率半导体激光器的欧姆接触退化和热阻退化与其它电子器件的电极退化类似,电极金属和半导体材料之间存在互扩散,在烧结的部位,孔洞和晶须 的生长现象是常见的退化模式飞，另外,作为三-五簇复合半导体材料,对电极材料间热膨胀和热匹配的要求是很高的,热应力导致的损伤比其它光电子器件更常见。 由于电极远离器件的有源区,电极退化对器件特性的影响一般在老化或工作一定时间后再表现出来。
主要失效模式及机理与芯片烧结工艺的关系：
半导体激光器的工作性能对温度非常敏感,温度升高将加速暗线曲线的产生和生长、腔面氧化等失效机理的失效进程,严重影响激光器的寿命。由于激光器因其转换效率不高,自身的功耗很大,降低热阻是提高激光器寿命和可靠性的主要方法之一。芯片电极烧结的质量好坏不但影响了热阻的大小,而且还关系到电极的电阻,因为激光器在正常工作时,其一般工作电流为几十甚至上百安培,即使很小的电极电阻,也将产生很大的热功耗,减小电极电阻可以减小激光器本身的热功耗。所以电极的烧结质量与半导体激光器的性能、稳定性和可靠性紧密相关。
半导体激光器在实际应用中，制作工艺过程至关重要。
激光芯片在烧结焊接过程中，焊料会引起PN结短路、烧结空洞、沾污腔面等是导致半导体激光器退化的主要方面，在激光器实际生产过程中值得多加注意。
对于光纤激光器的技术问题主要表现在光子暗化、受激拉曼散射及横向模式不稳定性等方面。解决问题的有效途径：减少光子暗化引起的损耗，可以采用降低光纤掺杂浓度；提升受激拉曼散射阈值，可以采用大芯径光纤、增大模场面积；减小光纤盘绕半径，提供双向泵浦能有效抑制横向模式不稳定现象。
半导体激光器在使用一段时间也会出现不同程度的退化现象，大功率半导体激光器在各种不同应用场合下,激光器的可靠性是至关重要的考量。对于大功率半导体激光器,在高光功率密度工作时,器件工作稳定性发生退化,最大输出功率受到限制,器件使用寿命将会缩短。
量子阱结构激光器来说，量子阱是由带隙较窄的材料被夹在带隙较宽的材料中间形成的。当在导带量子阱中的电子与价带量子阱中的空穴复合时，就会放出一个光子，从而实现了光的产生。这种有源区结构的缺点是不可避免地造成一定比例的载流子从量子阱泄漏出去，然后在量子阱区域外进行非辐射复合，从而降低了半导体激光器的量子效率，阈值电流也会增加。对于外延结构设计开发者来说，外延结构生长工艺要有针对性的改善。
主要失效模式及机理：
随着工作时间的增加,半导体激光器的工作性能将会劣化,最明显的变化是在保持输出功率不变的情况下,工作电流会增加以及斜率效率会下降,有时还会发生突然失效的灾变性损坏。对半导体激光器来说,除了工作温度、使用条件等环境因素会影响其工作可靠性和寿命外,其本身的内部的因素也是造成其退化的主要原因。
介绍下暗线缺陷（DLD）：
暗线缺陷（DLD）是激光器工作时形成的位错网络,这些缺陷一旦侵人光腔一有源区,就会增加载流子非辐射复合速率,形成强烈的光吸收,使阑值电流不断增加, 光转换效率下降,发射功率下降。暗线缺陷的形成除了材料衬底、外延生长和工 艺过程中引人之外,它还与非辐射电子一空穴复合引起的结构微观变化有关,非辐射复合产生的能量可传递给其它电子或以声子的形式释放,引起缺陷中心附近 的晶格构造发生改变,促使缺陷发生攀移或滑移,最终形成暗线缺陷。因此暗线缺陷的形成过程与温度有很大的关系,它所引起的退化速率强烈地依赖于温度。
材料内部晶体缺陷和应力位于半导体激光器有源区所产生的缺陷,或者是由其 它区域迁移扩散到有源区的位错会引起缺陷并在腔面造成主要缺陷。这些缺陷 可以分为两类：发生于有源区的均勾退化；因为有源区光吸收所产生的暗线缺陷 （DLD）和暗点缺陷（DSD）。这些缺陷的形成一方面是衬底和外延层在生长还有 工艺等过程中所造成的,另 一方面则受到激光器非辖射复合的影响。除此之外, 杂质也会引起器件发生退化,并且发生这些过程的程度均受温度影响,每次退化速率都强烈的依赖于温度的变化。材料内部缺陷会随着温度的升高而逐步扩大 , 最终影响到腔面。
暗线和暗点：
当半导体激光器在高功率密度工作时,有源区会产生许多非福射复合吸收强烈 的区域,随着半导体激光器发生退化,它们的尺寸会随着退化的过程而不断的增加,最终形成与。线位错是造成与的主要潜在因素。一方面,在外延材料生长时线 位错会形成于晶格缺陷的周围。当晶格中的杂质浓度达到时,线位错就会发生攀移并形成，另一方面,当器件工作时,有源区内缺陷相互作用,导致线位错发生攀移。激光器在高功率密度工作时,有源区局部焴融,溶化区域会由腔面慢慢向有源 区深入蔓延,最终在该处形成密集的点缺陷,造成器件失效。
非福射俄歇复合使半导体激光器对温度灵敏度升高,器件的阈值电流等性能参 数受温度影响显著。同时,对于三-五族的半导体激光器,其半导体材料的价带存在自旋轨道分裂带，电子吸收光子后跃迁到重空穴带会造成的光损耗,并会随着温度的升高而加剧,最终引起半导体激光器的阈值电流增加、量子效率降低、可 靠性变差,最后造成器件失效。
腔面损伤退化：
腔面损伤退化一般引起退化的腔面是指半导体激光器谐振腔面的解理面,它是激光器的重要组成部分，腔面的损伤退化一般有灾变性腔面损伤退化和腔面的化学腐蚀损伤退化。在高功率密度激光特别是在激光脉冲工作条件下的高峰值功率密度的作用下,由于近场的不均匀、局部过热、氧化、腐蚀、介质膜的针孔和杂质等因素使腔面遭受损伤,增加表面态复合或光吸收,使注人电流密度增加,局部大量发热,造成解理面局部熔融、分解,而且温度的增加又使吸收系数加大,形成恶性循环,最终导致灾变性的损伤,使器件完全失效。腔面的化学腐蚀是由于光化学作用使腔面表面发生氧化,并在腔面上形成局部缺陷,导致腔面局部的反射系数 的变化,影响激射光丝位置的稳定性,增加了非辐射复合速率。特别是含铝的Ga
As/AlGaAs材料半导体激光器,铝元素吸附水汽和氧而使端面氧化形成局部缺陷,影响表面对光的吸收,导致局部大量发热,使激光器性能退化甚至失效。
光学灾变损伤即COD（catastrophic optical damage）的发生对于激光器来说是及其危害的。COD的发生涉及到三个阶段：第一阶段,是激光器达到临界性腔面温度,在长时 连续波工作发生逐渐退化或者高强度电流脉冲作用下,激光器腔面温度超过设定范围，然后诱导热失控引起了最主要的腔面损害的发生,包括腔面培融、氧化和损伤；第三阶段,靠近腔面附近的缺陷蔓延扩散造成了继发性损害，最终发生损毁器件失效。而这一时刻的输出功率即为激光器的阈值。它表明了器件的最大输出功率和寿命。
电极退化：
电极退化高功率半导体激光器的欧姆接触退化和热阻退化与其它电子器件的电极退化类似,电极金属和半导体材料之间存在互扩散,在烧结的部位,孔洞和晶须 的生长现象是常见的退化模式飞，另外,作为三-五簇复合半导体材料,对电极材料间热膨胀和热匹配的要求是很高的,热应力导致的损伤比其它光电子器件更常见。 由于电极远离器件的有源区,电极退化对器件特性的影响一般在老化或工作一定时间后再表现出来。
主要失效模式及机理与芯片烧结工艺的关系：
半导体激光器的工作性能对温度非常敏感,温度升高将加速暗线曲线的产生和生长、腔面氧化等失效机理的失效进程,严重影响激光器的寿命。由于激光器因其转换效率不高,自身的功耗很大,降低热阻是提高激光器寿命和可靠性的主要方法之一。芯片电极烧结的质量好坏不但影响了热阻的大小,而且还关系到电极的电阻,因为激光器在正常工作时,其一般工作电流为几十甚至上百安培,即使很小的电极电阻,也将产生很大的热功耗,减小电极电阻可以减小激光器本身的热功耗。所以电极的烧结质量与半导体激光器的性能、稳定性和可靠性紧密相关。
半导体激光器在实际应用中，制作工艺过程至关重要。
激光芯片在烧结焊接过程中，焊料会引起PN结短路、烧结空洞、沾污腔面等是导致半导体激光器退化的主要方面，在激光器实际生产过程中值得多加注意。
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