#李昇基[超话]#
【图片】211213 李昇基《金唱片》更新李昇基图文
公开'第36届金唱片颁奖典礼'的MC阵容!
李昇基 Lee SeungGi
成始璄 Sung Si Kyung
李多喜 LeeDaHee
请期待三位MC为我们带来难忘的快乐。 ♥
The 36th Golden Disc Awards
2021.01.08(六) 韩国时间下午3点
李mc
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2021.01.08(六) 韩国时间下午3点
李mc
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摘要
利用NH3/SiH4气体混合物,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)平行配置在多晶体硅(mc-Si)上生长氢、非晶态氮化硅。 二次离子质谱学采用Rutherford背散射光谱(RBS)、俄歇电子能谱(AES)和能量色散x射线分析了氮化物氧化物堆中的化学成分和化学计量学。 研究了退火温度对结构化学组成的影响。在SiNx的热氧化过程中,O、N、Si在该结构中重新分布。 氧气扩散到了氮层在干氧化过程中生成二氧化硅。
关键词:SiNx: H; 氧化; PECVD; " 退火温度; 元素分析
介绍
非晶态氮化硅薄膜是已知的材料科学的不同方面是非常有用的。 这些薄膜是一种很好的材料用于技术应用,包括太阳能电池,辐射冷却,栅电介质等。 可以沉积氮化硅(SiNx)薄膜通过不同的CVD技术 PECVD是其中之一最常用的方法。
实验
图1所示 Si, O, N和H在700°C火的ON结构 的深度分布
结果与讨论
SIMS被用来确认存在的原始元素和不需要的el 元素,如碳杂质,在整个ON结构中,元素含量是均匀的。 图1 显示了一个ON样品的SIMS结果在700°C下30分钟的氮气环境。
图2所示 在不同温度下退火的样品,氧浓度的SIMS深度分布。
图3所示 SIMS的Si/N比的深度分布
摘要
利用NH3/SiH4气体混合物,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)平行配置在多晶体硅(mc-Si)上生长氢、非晶态氮化硅。 二次离子质谱学采用Rutherford背散射光谱(RBS)、俄歇电子能谱(AES)和能量色散x射线分析了氮化物氧化物堆中的化学成分和化学计量学。 研究了退火温度对结构化学组成的影响。在SiNx的热氧化过程中,O、N、Si在该结构中重新分布。 氧气扩散到了氮层在干氧化过程中生成二氧化硅。
关键词:SiNx: H; 氧化; PECVD; " 退火温度; 元素分析
介绍
非晶态氮化硅薄膜是已知的材料科学的不同方面是非常有用的。 这些薄膜是一种很好的材料用于技术应用,包括太阳能电池,辐射冷却,栅电介质等。 可以沉积氮化硅(SiNx)薄膜通过不同的CVD技术 PECVD是其中之一最常用的方法。
实验
图1所示 Si, O, N和H在700°C火的ON结构 的深度分布
结果与讨论
SIMS被用来确认存在的原始元素和不需要的el 元素,如碳杂质,在整个ON结构中,元素含量是均匀的。 图1 显示了一个ON样品的SIMS结果在700°C下30分钟的氮气环境。
图2所示 在不同温度下退火的样品,氧浓度的SIMS深度分布。
图3所示 SIMS的Si/N比的深度分布
氧化硅、氮化硅薄膜的成分分析#蔡某某演唱会违规演出#
摘要
利用NH3/SiH4气体混合物,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)平行配置在多晶体硅(mc-Si)上生长氢、非晶态氮化硅。 二次离子质谱学采用Rutherford背散射光谱(RBS)、俄歇电子能谱(AES)和能量色散x射线分析了氮化物氧化物堆中的化学成分和化学计量学。 研究了退火温度对结构化学组成的影响。在SiNx的热氧化过程中,O、N、Si在该结构中重新分布。 氧气扩散到了氮层在干氧化过程中生成二氧化硅。
关键词:SiNx: H; 氧化; PECVD; " 退火温度; 元素分析
介绍
非晶态氮化硅薄膜是已知的材料科学的不同方面是非常有用的。 这些薄膜是一种很好的材料用于技术应用,包括太阳能电池,辐射冷却,栅电介质等。 可以沉积氮化硅(SiNx)薄膜通过不同的CVD技术 PECVD是其中之一最常用的方法。
实验
图1所示 Si, O, N和H在700°C火的ON结构 的深度分布
结果与讨论
SIMS被用来确认存在的原始元素和不需要的el 元素,如碳杂质,在整个ON结构中,元素含量是均匀的。 图1 显示了一个ON样品的SIMS结果在700°C下30分钟的氮气环境。
图2所示 在不同温度下退火的样品,氧浓度的SIMS深度分布。
图3所示 SIMS的Si/N比的深度分布
摘要
利用NH3/SiH4气体混合物,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)平行配置在多晶体硅(mc-Si)上生长氢、非晶态氮化硅。 二次离子质谱学采用Rutherford背散射光谱(RBS)、俄歇电子能谱(AES)和能量色散x射线分析了氮化物氧化物堆中的化学成分和化学计量学。 研究了退火温度对结构化学组成的影响。在SiNx的热氧化过程中,O、N、Si在该结构中重新分布。 氧气扩散到了氮层在干氧化过程中生成二氧化硅。
关键词:SiNx: H; 氧化; PECVD; " 退火温度; 元素分析
介绍
非晶态氮化硅薄膜是已知的材料科学的不同方面是非常有用的。 这些薄膜是一种很好的材料用于技术应用,包括太阳能电池,辐射冷却,栅电介质等。 可以沉积氮化硅(SiNx)薄膜通过不同的CVD技术 PECVD是其中之一最常用的方法。
实验
图1所示 Si, O, N和H在700°C火的ON结构 的深度分布
结果与讨论
SIMS被用来确认存在的原始元素和不需要的el 元素,如碳杂质,在整个ON结构中,元素含量是均匀的。 图1 显示了一个ON样品的SIMS结果在700°C下30分钟的氮气环境。
图2所示 在不同温度下退火的样品,氧浓度的SIMS深度分布。
图3所示 SIMS的Si/N比的深度分布
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