https://t.cn/A6zj3fH3 3月16日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板。此高速子板结合了GaN Systems的两个650 V氮化镓 (GaN) E-HEMT和安森美半导体的NCP51820栅极驱动器,可为现有或新的离线电源转换设计提供高性价比半桥解决方案。
【VisIC推出基于D3GaN, 800V电源总线的100kW电机逆变器参考设计】VisIC Technologies Ltd.是GaN(氮化镓)功率半导体器件在快速发展的新能源汽车行业、数据中心和工业市场应用中的领导者,该公司今天宣布了一重大突破,即将氮化镓用于800V电源总线电动机逆变器,这一突破可用于经济高效的电动汽车电动机驱动 。https://t.cn/A6zjzjyr
汽车领域,现行汽车的特点和功能是耗电和电子驱动,给传统的 12V 配电总线带来了额外负担。对于 48V 总线系统,GaN技术可提高效率、缩小尺寸并降低系统成本。
光线式距离保持和测量功能(激光雷达)使用脉冲激光快速提供车辆周围环境的高分辨率 360°三维图像,GaN技术可使激光信号发送速度远高于同类硅 MOSFET 器件。基于GaN的激光雷达使自主驾驶车辆能够看得更远、更快、更好,从而成为车辆眼睛。
此外,GaN FET 工作效率高,能以低成本实现最大的无线电源系统效率。用于高强度LED前照灯时,GaN技术可提高效率,改善热管理并降低系统成本。而更高的开关频率允许在AM 波段以上工作并降低 EMI.GaN在汽车电子方面拥有丰富的应用场景。
下一代充电器领域,GaN在未来几年将在许多应用中取代硅,快充是第一个可以大规模生产的应用。在600伏特左右的电压下,GaN在芯片面积、电路效率和开关频率方面的表现明显好于硅,因此在壁式充电器中可以用GaN来替代硅。5G 智能手机的屏幕越来越大,与之对应的是手机续航的需求越来越高,这意味着电池容量的增加。GaN快充技术可以很好地解决大电池带来的充电时长问题。
光线式距离保持和测量功能(激光雷达)使用脉冲激光快速提供车辆周围环境的高分辨率 360°三维图像,GaN技术可使激光信号发送速度远高于同类硅 MOSFET 器件。基于GaN的激光雷达使自主驾驶车辆能够看得更远、更快、更好,从而成为车辆眼睛。
此外,GaN FET 工作效率高,能以低成本实现最大的无线电源系统效率。用于高强度LED前照灯时,GaN技术可提高效率,改善热管理并降低系统成本。而更高的开关频率允许在AM 波段以上工作并降低 EMI.GaN在汽车电子方面拥有丰富的应用场景。
下一代充电器领域,GaN在未来几年将在许多应用中取代硅,快充是第一个可以大规模生产的应用。在600伏特左右的电压下,GaN在芯片面积、电路效率和开关频率方面的表现明显好于硅,因此在壁式充电器中可以用GaN来替代硅。5G 智能手机的屏幕越来越大,与之对应的是手机续航的需求越来越高,这意味着电池容量的增加。GaN快充技术可以很好地解决大电池带来的充电时长问题。
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