【Techinsights逆向分析长江存储128层NAND：快赶上三巨头了】https://t.cn/A6McBcrv 日前，Techinsights拆解了来自Asgard Memory的PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD，发现这款产品搭载长江存储的128层Xtacking 2.0 TLC NAND Flash。号称最先进的三星176L V-NAND和SK海力士176L 4D PUC NAND SSD尚未在商用市场上出现，在与同级别NAND Flash对比后发现，长江存储的产品已极具竞争力……

【长江存储128层TLC闪存芯片，技术已赶上业内领跑者】Tech Insights对Asgard（阿斯加特）最新的AN4 1TB SSD（基于PCIe 4.0标准）进行了拆解和分析，这款产品是长江存储128层堆叠3D NAND闪存的首次商业应用。

长江存储的128层堆叠产品采用的Xtacking架构已经全面升级至2.0，可进一步释放3D闪存的潜能，其基于电荷俘获型（Charge-Trap）存储技术，可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率。目前长江存储的Xtacking 2.0架构用于制造128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片，以及128层堆叠的3D QLC NAND闪存芯片。

拆解的AN4 1TB SSD采用了长江存储128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片，尺寸为60.42平方毫米，位密度增加到8.48 Gb/平方毫米，相比Xtacking 1.0架构的芯片（256Gb）提高了92%。长江存储Xtacking混合键合技术使用了两片晶圆来集成3D NAND器件，因此可以找到两个die，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。其单元结构是由两个层板组成，通过层板接口缓冲层连接，与铠侠的112层堆叠的BiCS 3D NAND闪存在结构上的工艺相同。

与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK海力士（4D PUC）现有的128层堆叠512Gb 3D TLC NAND闪存产品相比，长江存储的裸片尺寸更小，这使得它拥有最高的密度。Tech Insights认为，长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面都足以与其他产品竞争，技术上已赶上其他领跑者。

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