$爱旭股份 sh600732$ 关于光伏这个赛道我今年持保留意见，整体行情不如过去两年，爱旭股份作为太阳能电池概念个股这波拉升，受板块轮动影响，其实很多人都是夏天到了光伏、绿色电力以及电力板块应该有行情，你这样的逻辑也没有错，但你要知道过去一年这类板块的炒作有多疯狂，是人都都在做，上方的套牢盘已经形成了，哪有那么简单就能解套啊，游资的操作手法不要去猜，因为猜不透，拉高出货也许是最明显的，爱旭股份上攻无力，我个人觉得下跌调整要开始了，21.3这个位置的压力还是挺大的，倘若不能有效站稳突破，回踩在即，目前风险大于机会！

笔记：知之甚少的天然气氦资源
原创 nancy921 实验Work随笔 2022-05-11
关注公众号“实验Work随笔”获取原文，免费下载文献

一、内容综述

氦气具有强化学惰性和低沸点等独有特征，在高新技术产业和科研实验中具有不可替代的作用。氦在地球上以微量组分广泛分布，但从含氦、富氦天然气藏中提取氦气仍是工业制氦的唯一途径。

目前全球已发现的氦储量主要分布在美国、卡塔尔、阿尔及利亚、俄罗斯和加拿大等国，上述五国氦储量占全球总储量的92%。

天然气藏中的氦气有3个主要来源：大气源、壳源和幔源。目前主要根据3He/4He值来确定氦的来源，通常大气源的3He/4He值为1.4×10-6、壳源的3He/4He值为2×10-8和幔源的3He/4He值为1.1×10-5。

富氦天然气的成藏条件和成藏特征与常规天然气藏既有共性又有明显的差异，一些有利于形成大型油气藏的高生烃强度地区，反而不利于富氦、高氦气藏的形成。而生烃强度相对低的隆起区则有利于富氦、高氦气藏的形成。

全球已发现的氦气资源主要分布于晚元古代—古生代地台背景下的沉积盆地，此外在中—新生代构造—岩浆活动强烈且具有古老花岗岩的基底区也是富氦气藏发育的有利区带。

现有资料表明，中国四川盆地、塔里木盆地、柴达木盆地、鄂尔多斯盆地和东部中新生界含油气盆地中已发现一些富氦气藏。同时非常规天然气领域亦展现出良好的氦资源勘探前景，如渭河盆地水溶气和四川盆地页岩气。中国富氦天然气具有点多、类型多、资源前景较好的特征，但氦气资源整体研究程度很低。
图片
二、全球氦资源整体分布特征

天然气藏中氦的含量低于0.05%，为贫氦气藏，氦含量大于0.1%为富氦天然气藏，当氦含量大于0.3%时，天然气藏中氦就具有很好的经济价值。目前全球可进行工业利用的氦气资源主要赋存于含氦、富氦天然气藏中。

美国是当前世界上最大的氦气生产国和供应国，2016年其氦气产量约占全球总产量的65%，而卡塔尔、阿尔及利亚、澳大利亚、俄罗斯和波兰则分别为22%、6.5%、2.6%、1.9%和1.3%。但卡塔尔发现气藏氦含量较低，需要富集才可利用。全球已发现的氦气资源主要集中在美国、阿尔及利亚和俄罗斯等少数国家和地区。
图片
三、天然气藏中氦气来源及成因判识
1、氦气来源

天然气藏中氦气具有多种来源和成因，利用氦及稀有气体同位素组成可有效判识氦的成因、来源。氦有3He和4He 2种稳定同位素，3He主要来源于地幔脱气，4He主要来源于放射性元素238U、235U和232Th衰变。沉积盆地中氦主要有3个来源，分别为大气源、壳源（放射性来源）和幔源。

大气氦是指赋存于大气圈气中氦，主要来自固体地球脱气作用释放出的氦气，如火山喷发、断裂—岩浆作用的脱气和岩石风化作用释放的氦。

壳源氦是由赋存在岩石（矿物）中的铀、钍衰变产生的。在矿物、岩石中的放射性元素238U、235U和232Th的衰变作用将产生4He。

幔源氦是指地球深部（地幔）赋存的原始氦，即地球形成时赋存于地球内部的氦，具有相对富集3He的特征。幔源氦可通过岩浆、断裂活动等脱气作用释放到地球浅层的沉积圈层中。在沉积盆地油气藏中也可发现相当数量的幔源氦。
2、氦气成因判识

应用氦及其他稀有气体同位素组成特征可以有效地判识氦气成因、来源。不同来源、成因的氦其同位素3He/4He值具有明显的差异，氦的同位素组成特征（3He/4He值）能作为其成因判识的有效指标。大气来源氦的3He/4He值为1.4×10-6；壳源氦的3He/4He值为n×10-8～n×10-9；幔源氦的3He/4He值为1.1×10-5或更高。氦的同位素比值也常用样品氦的3He/4He值与大气氦的3He/4He值的比值表征，即R/Ra=(3He/4He）样品/（3He/4He）大气。在用R/Ra值表示气样氦同位素分布特征时，当R/Ra>1，表示具有明显的幔源氦加入；当R/Ra<0.1时，可以认为天然气中氦基本来自壳源。
四、气藏特征及成藏主要影响因素
1、气藏的化学组成及氦气藏的主要类型

全球已发现的氦气资源基本上均是以伴生组分赋存于烃类为主的天然气藏、以氮气或二氧化碳为主的非烃类天然气藏中，未见以氦气为主的或氦气独立成藏的报道。富氦天然气藏按其组分特征可分为3类：高氮—富氦型气藏；高二氧化碳—富氦型气藏；高烃类—富氦型气藏。

对富氦、高氦气藏的组分研究表明，氦含量与氮气具有良好的正相关趋势，氦含量高，则氮气含量也高，但反之未必成立。在一些富氦、高氦天然气藏中Ar/N2值与Ar/He值具有较好的线性关系，当He浓度增加时，Ar/He值有下降趋势。

氦气的富集、保存及富氦天然气成藏条件、主控因素与常规天然气藏既有一些共性也有其独特性；一些有利于形成大型油气藏的高生烃强度地区，可能不利于富氦、高氦天然气藏的形成；而生烃强度相对低的隆起区则可能有利于富氦、高氦天然气的形成，目前对氦气资源的成藏条件、主控因素、成藏机制还未形成较为成熟的认识，全球已探明的氦资源大多是在进行油气勘探过程中偶然发现的。
2、区域地质及盆地基底

全球氦气资源主要分布于晚元古代—古生代地台背景下的沉积盆地中，这些沉积盆地一般埋深小于3 500 m，且具有前元古界的花岗岩基底。目前已探明的氦资源主要分布区具有下述明显的特征：一方面发育高含U、Th的烃源岩或盆地基底中发育高含U、Th的花岗岩；另一方面这些地区深层具有强烈的岩浆和断裂活动。沉积盆地中天然气藏中氦含量与其大地构造背景、基底岩石、矿物特征具有密切的关系。
3、氦源（岩）及释放机制

富氦天然气藏中氦气的主要来源和成因存在不同的认识，是有待进一步深入探讨的关键问题：目前多数学者认为具有商业价值的氦主要为“壳源氦” 。烃源岩能否作为有效“氦源岩”有待进一步研究，也有研究认为盆地基底花岗岩中的铀、钍元素衰变生成的氦是富氦天然气藏中最重要的氦来源。

研究认为构造抬升、隆起、岩浆活动（热力作用）、断裂作用可有效地促进氦从源岩中释放。氦气从岩石/矿物的晶格中逃逸、释放的过程就是氦气的初次运移过程。但目前还不清楚氦如何有效地从岩石、矿物的晶格中释放出来。目前有2种不同的观点：(1)稳定释放机制，主要来自于漫长的地质历史时期稳定释放；(2)幕式释放机制，非稳定地质条件下（如岩浆/火山活动），不仅存在大量的幔源氦（相对富3He）释放，随着地温的升高可促进壳源放射性氦从母源中的释放。
4、运移富集过程

一些学者认为富氦天然气的成藏具有2个重要的环节：(1)氦源岩中由U、Th衰变生成的氦经扩散作用进入地层水；(2)含氦的地层水在浅层适当的条件下充分地析出聚集成藏。一些学者认为深部的断裂系统是氦气运移的主要通道。对于氦气的溶解/解析—交换特征，前人也做了相应的研究，利用“亨利定律”提出了氦气富集机理和模型。

氦气在地层流体的运移、聚集过程中除流体的温度、盐度外，地层水动力强度和地层压力也具有关键的控制作用。氦气在地层中的二次运移过程中一方面与常规油气运移具有相同之处，受岩石的孔隙度、渗透率和毛细管压力的影响；另一方面，由于氦气是微量组分且具有惰性特征，所以更具有其独特机制。
5、盖层特征及封盖条件

现有资料表明从盖层条件来看，富氦、高氦气藏均具有致密膏盐层，灰岩层、页岩层作为封盖层；此外，异常高压层也是良好的盖层，这些致密盖层能形成良好的封闭条件。
图片
五、我国氦资源前景

目前我国氦气资源研究、评价、勘探程度均很低，资源量和储量情况基本不明。一方面由于我国几乎没有专项课题对我国氦资源进行评价和研究；另一方面过去对天然气藏中氦含量的分析方法和标准不够规范，部分地区同一气藏、甚至同一单井产出的天然气，不同文献报道的氦含量存在数量级的差异，其原因主要在于：(1)样品采集或分析过程中可能存在空气污染；(2)氦含量分析方法不当；(3)样品在运输、保存过程中可能存在泄漏。

因此，目前我国已报道的氦气含量资料，需要对其可靠性进行甄别和进一步证实。整体而言，四川盆威远气田天然气、部分塔里木盆地天然气、渭河盆地水溶气及部分郯庐断裂带附近天然气中氦含量数据较为可靠。由于我国以前对氦气资源总体关注不够，使得我国氦资源的评价、富集成藏条件、分布规律研究工作十分欠缺，造成对我国氦气资源的分布情况缺乏认识，氦气产业基本未得到应有的发展，完全不能满足国家对氦资源的需求。因此我国氦资源的评价、富集成藏条件、规律研究工作亟待。

汉源高科16路4-20mA电流模拟量光端机HY5700-16mA(Z)产品手册
1. 产品概述
HY5700-16mA(Z)是汉源高科（北京）科技有限公司研发生产的一款16路单向4～20mA电流模拟量光端机；光端机分为发射机和接收机两部分，成对使用。发射机实现对4-20ma的电流信号转换为光纤信号传输，16路模拟量可同时输入；接收机把光纤信号还原为4-20mA的电流信号。
汉源高科电流模拟量光端机为工业自动化控制系统、PLC/DCS系统、信号测量及数据采集系统的现场各种PLC/DCS、仪器仪表、电流、电量、温度、湿度、风速、光照、压力、重量、流量、液位、距离、位移、气体浓度、化学元素含量检测等等各种传感器、变送器、编码器、计数器、变频器、伺服器、执行器、分析仪以及各种模拟信号设备输出的模拟电流信号进行远距离光纤传输和供电配电而设计。模拟电流输入输出范围支持4～20mA，支持可选HART协议。支持二线、三线信号输入，支持独立供电、总线供电等灵活的供电输入可选方式。支持24VDC配电输出，以便对模拟量设备提供配电输入供电。支持输入、输出及电源三端隔离，采用高速数字隔离技术，其传输速度快、稳定性高；内置静电保护及防雷保护电路，可有效防止设备之间由于地不平衡引起的串口损坏及静电击穿、能够降低和抑制雷电、浪涌信号冲击。所有保护电路都采用高可靠、低残压、低寄生电容及快速响应保护时间的防护电子元器件。
汉源高科电流模拟量光端机应用于仪器仪表及控制设备后能将采集到的模拟电流信号通过光纤可实现超远距离的无失真传输，方便用户远程监控。设备内部集成了模拟放大与变换电路、可编程MCU、信号隔离控制电路等，特别适用于工业现场模拟信号的AD隔离变送，现场总线、以太网物联网、PLC/DCS、工控机上位机对传感器、变送器信号的远程采集分析。具有使用方便、体积小巧、维护简单等优点。适用于环境恶劣，传输可靠性要求场合：冶金采矿、石油化工、电力设备、医疗仪器、工业自动化、新能源设施及科研等领域。
2. 产品特色
1，支持16路4-20mA的电流信号转换为光纤信号传输，接收机把光纤信号还原为发射端输入的4-20mA的电流信号（单模单纤，光口FC，传输距离20公里）；
2，输入电压：DC12-48V（双电源冗余备份），电源支持过载保护，防反接保护；
3，防护等级：IP40、防雷防浪涌防静电干扰、DIN卡轨式、金属外壳、无风扇设计；
4，工作温度：-40 ℃ ~ + 85℃（工业级物料）
3. 产品规格
光纤部份
光口：1
光纤：单纤双纤
光纤接口：FC/SC/ST/LC(SFP)
波长：850nm/1310nm多模；1310nm/1550nm单模
无中继传输距离：20~120Km
典型发射功率:

单模1310/1550nm：≥-9dBm

多模850nm：-18dBm

多模1310nm: -25dBm
接受灵敏度范围：-28dBm~- 40dBm
电流模拟量

输入输出范围： 0~20mA(包含 4~20mA)
分辨率：

12位
采样速率： 20K 次/秒
时间延迟： <0.1ms
最大负载能力： 600Ω
输入电阻： 125Ω
精度：

0.4%(常温)
电压模拟量

输入输出范围： 0~10V(包含 0~5V)
分辨率：

12位
采样速率： 20K 次/秒
时间延迟： <1ms
最大负载能力： 600Ω
输入电阻： 100ΚΩ
精度：

0.4%(常温))
环境指标

工作温度：-40℃—+85℃
储存温度：-40℃—+85℃
工作湿度：0%—95%（无凝结）
MTBF：

＞100,000小时
电源需求
电源输入 : DC12-48V
过载保护：支持；反接保护：支持；
接入端子：4芯5.08mm间距插入式端子
尺寸大小
216（宽）X140（深）X31（高）
4. 面板示意

图1. 汉源高科16路模拟量光端机设备前面板图

图2.

汉源高科16路模拟量光端机设备电源面板图
5. 指示灯说明
名称 颜色 状态 描述
PWR1 绿色 亮 本端设备电源1已接上
灭 本端设备电源1没有接上
PWR2 绿色 亮 本端设备电源2已接上
灭 本端设备电源2没有接上
SYN1 绿色 亮 光纤信号接收正常
灭 光纤信号丢失
SYN2 绿色 灭 保留
1 绿色 亮 检测到1或2路有模拟量输入
灭 1和2路均无模拟量输入
2 绿色 亮 检测到3或4路有模拟量输入
灭 3和4路均无模拟量输入
3 绿色 亮 检测到5或6路有模拟量输入
灭 5和6路均无模拟量输入
4 绿色 亮 检测到7或8路有模拟量输入
灭 7和8路均无模拟量输入
5 绿色 亮 DIP1为OFF时 : 检测到9或10路有模拟量输入
DIP1为ON时 : 模拟量类型为电压量(0-5V/0-10V)
灭 9和10路均无模拟量输入
6 绿色 亮 DIP1为OFF时 : 检测到11或12路有模拟量输入
DIP1为ON时 : 模拟量类型为电流4-20mA
灭 11和12路均无模拟量输入
7 绿色 亮 DIP1为OFF时 : 检测到13或14路有模拟量输入
DIP1为ON时 : 模拟量类型为电流0-20mA
灭 13和14路均无模拟量输入
8 绿色 亮 DIP1为OFF时 : 检测到15或16路有模拟量输入
DIP1为ON时 : 模拟量类型为电流0-24mA
灭 15和16路均无模拟量输入
注 : 4-20mA模式下输入的电流大于4mA模拟量检测灯才会亮起。
6.DIP开关
DIP1-5 状态 描述
1 ON LED5-LED8作为模式指示灯
OFF LED5-LED8作为数据指示灯(默认)
2-4 保留
5 ON 光纤断纤或输入端设备掉电后，模拟量输出保持最近断纤前的数值
OFF 不保持(默认)

DIP6-8: 模拟量模式设置
6 7 8

模式
ON ON ON 0-5V电压输入/输出
ON ON OFF 0-10V 电压量输入/输出
OFF ON OFF 4-20Ma电流输入/输出
OFF OFF ON 0-20Ma电流输入/输出
OFF OFF OFF 0-24Ma电流输入/输出
注 : 电流量和电压量模块不同，在出厂前已经指定，更改模式设置后需要重启设备。

7. 光纤接口
后面板有光纤出口，FC或SC头
TX为光信号输出口

RX为光信号输入口
8. 模拟量接口
.
16路模拟量接口定义为：
发射机1-8组为16路模拟量输入; 接收机1-8组为16路模拟量输出。
(1)模拟量输入接线图

(2)模拟量输出接线图

9. 电源部分
电源口：设备支持冗余双电源输入DC9-48V/AC9-48V，功耗<10W
注：设备具有极性保护措施，电源正负极接反时设备不会因此损坏，且可正常工作，便于设备维护及安装。
过载保护：支持；反接保护：支持；冗余保护：支持
接入端子：4芯5.08mm间距插入式端子
11. 售后服务
对于公司所生产的系列光端机产品，公司承诺三年保修。
产品保修期内，本公司提供免费维修服务，但如有以下情形者，得酌收材料成本工时费用：
☆ 不按用户手册之规定所致之损坏情形。
☆ 擅自拆机而导致之不良情形。
☆ 雷击、火灾及遇不可抗拒之天灾。
☆ 因其它家产品设计不良而产生匹配问题造成的损坏。
12. 公司声明
☆ 由于我们不断采用新技术，产品参数如有变化恕不另行通知。
☆ 本用户手册的最终解释权归公司。