#黄金[超话]#
黄金上周呈震荡上行，最低1770，最高1807，周线收阳于1801，从周线看连续四周收阳，本周还有上涨的空间，上方重点关注1830和1840，若1840不破则金价新一轮的下跌，从日线看金价处于上轨附近，呈多头震荡上行，周初见看1810的突破情况，破位再上看，而从MACD看，红色能量柱减量，上涨动能在所减弱，固本周思路看多不追多，上方以1840为分水岭，日内，从四小时线看，金价呈震荡上行，小时线，连续两阴，有回调的迹象，下方关注1790和1780，日内操作思路先看回调多震荡。
#原油[超话]#
原油上周整体呈震荡上行，下跌87.2受阻后开始反弹，最高到达95，周线收阳于91.8，从周线看虽油价处于下行通道，但下跌力度有所减弱，本周仍重点关注87的突破情况，下破则看85-80，则上方则看95得失，上破油价则有见100，从日线看，油价触及下轨反弹，而上涨到中轨受阻，本周重点看95和87两点的突破情况，综述本周思路看空不追空，先看区间，区间内看震荡，突破看顺延，日内，从四小时线看，布林轨平行呈区间震荡，油价处于中轨处，MACD初见死叉，油价有进一步下跌的势头，下方关注91和87，小时线布林轨向下呈震荡下行，上方93.5和95，日内操作思路以反弹空震荡为主。
黄金上周呈震荡上行，最低1770，最高1807，周线收阳于1801，从周线看连续四周收阳，本周还有上涨的空间，上方重点关注1830和1840，若1840不破则金价新一轮的下跌，从日线看金价处于上轨附近，呈多头震荡上行，周初见看1810的突破情况，破位再上看，而从MACD看，红色能量柱减量，上涨动能在所减弱，固本周思路看多不追多，上方以1840为分水岭，日内，从四小时线看，金价呈震荡上行，小时线，连续两阴，有回调的迹象，下方关注1790和1780，日内操作思路先看回调多震荡。
#原油[超话]#
原油上周整体呈震荡上行，下跌87.2受阻后开始反弹，最高到达95，周线收阳于91.8，从周线看虽油价处于下行通道，但下跌力度有所减弱，本周仍重点关注87的突破情况，下破则看85-80，则上方则看95得失，上破油价则有见100，从日线看，油价触及下轨反弹，而上涨到中轨受阻，本周重点看95和87两点的突破情况，综述本周思路看空不追空，先看区间，区间内看震荡，突破看顺延，日内，从四小时线看，布林轨平行呈区间震荡，油价处于中轨处，MACD初见死叉，油价有进一步下跌的势头，下方关注91和87，小时线布林轨向下呈震荡下行，上方93.5和95，日内操作思路以反弹空震荡为主。
【又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅 如何跑得更快更远 - 原创 ZeR0 芯东西 2022-7-04 发表于北京】
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
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碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
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建仓过程中的砸盘
建仓过程中的砸盘，庄家是为了获得更多筹码，而且能够缩短建仓的时间周期，因为个股长期处于底部，个股走势较弱，每日成交较为低迷，每天成交买卖较低，所以在建仓阶段的庄家机构只每天只能够获得少量筹码，如果大量持续性的买入后，必然导致股价出现持续性的上涨，提高接下来的建仓成本，并且很多投资者看到股票启动后，短期出现了较为明显的上涨也好选择跟风买入，跟庄家抢筹码，导致庄家建仓的失败 ，所以在底部建仓的时候主要分为几种类型：
第一，砸盘之前，首先庄家要有一定的筹码，砸盘相当于庄家短期抛售手中的股票，导致股票短期出现下跌，所以在砸盘之前庄家会率先开始选择建仓，按照个股每天的成交情况，每天买入一点，当感觉每天能够买到的筹码越来越少的时候，个股的活跃度越来越低很多庄家会采用拉升股价方法，但拉升并不持续性的拉升，而是运用小部分资金拉升股价，比较个股趋势较弱，市场的抛压盘较小，很容易让股价短期出现上涨。
当拉升到一部分持股的投资者出现解套的情况，会选择买入，并且的尚未解套的投资者仍旧不愿意卖出的情况下，此时庄家建仓并未完成，肯定会选择短期的砸盘，让一部分的被套的投资者，感觉该股短期拉升后又开始出现明显的下跌，认为该股后期会继续出现下跌的情况，这时候很多投资者会选择卖出股票，并且短期个股的活跃度大大增强，接下来庄家可以拉升后砸盘继续完成吸筹的动作，具体参考下图案例，方便大家理解：
图1
通过上图案例我们发现该股庄家在底部建仓的时候，多次采用拉升后砸盘的动作，拉拉升后砸盘后市场的成交量出现明显的放出，短期个股的活跃度远高于之前，接下来的建仓会想对较多容易，具体我们参考下图成交量：
图2
所以建仓阶段庄家会采用小幅度的拉升后砸盘的动作，主要是为了增加个股的活跃度，而且小幅度拉升后砸盘到之前的建仓的震荡区间底部，不再跌破个股震荡的底部区间，也会让市场的投资者抢到比自己成本成本更低的筹码。
第二，很多庄家机构在选择建仓的时候，虽然该股的处于长期底部震荡的区间中，但是可能感觉仍旧目前的价位过高，想着可以让股价再下跌一会后选择建仓，首先会选择在底部震荡时候买入一部分筹码，让持有一定的筹码后，就选择大量卖出砸盘，让股价出现回落，当股价下跌到认为可以建仓的位置的时候，开始完成接下来的建仓的行为，这样建仓成本更低，砸盘的主要目的也只是为了获得更多的筹码，也不会担心其他机构资金抄底买入，自己短期也不会出现短期被套的状态的，具体我们参考下图案例：
图3
第三，目前底部震荡的价位符合的庄家机构的心理价位，认为该价位建仓合理，当庄家机构采用建仓后，发现该股筹码很难获得，大部分持有该股的投资者不愿意卖出，这时候的选择会选择直接砸盘的动作，让股票股价短期出现回落后，回落后很多投资者感觉股价跌破了底部震荡区间的底部，认为该股后期可能会近一步出现下跌的情况，纷纷卖出筹码，这时候庄家能够短期获得廉价筹码，砸盘的目的就是继续吸筹，缩短建仓的时间，具体参考下图案例：
图4
小结：以上三种情况时庄家建仓阶段采用的砸盘手法，主要是为了获得更多筹码和缩短建仓时间，但砸出什么状态，第一种砸出的状态是让市场的活跃度增加，第二种砸到庄家认为合理的建仓位置，第三种砸盘时候发现市场有大量散户投资者卖出筹码。但这三种情况很多庄家会混合使用，并不是在建仓过程中只采用一种，并且在建仓结束后也会采砸盘的动作，下面我们重点讲解。
建仓结束后的砸盘
当庄家建仓结束后，并不知道底部有多少投资者跟风抄底买入，如果大量的短线投资者或者其他机构跟风买入后，必然会影响后期的拉升，并且之前长期被套的投资者，但是被套幅度不大的投资者，后期拉升出现解套或者赚钱情况下，也会选择卖出，所以在拉升之前必须要完成一次砸盘建仓。
反正建仓结束后，庄家手中已经持有大量的筹码，让股价短期出现快速回落那是轻而易举，但毕竟建仓结束，所以砸盘让股价出现快速回落后，庄家是不会允许股价长期在庄家成本下运行，砸盘后股价也会出现快速回升的走势，这就是我们在平时常说的“黄金坑”，砸到什么状态，一般下跌的幅度在10%-15%左右，并且砸盘后确实又很多筹码卖出后，就已经达到砸盘的目的，短期股价快速出现上涨，具体参考下图案例：
图5
上图案例个股在拉升前出现了砸盘，形态上形成了“黄金坑”挖坑完后期股价一路上涨，砸盘后股价快速回升，主要是防止市场其他资金抄底买入后导致的这部分资金的持仓成本比自己低。
总结：庄家在建仓阶段和建仓刚结束都会采用砸盘的手法，砸盘到什么状态具体是否到达庄家建仓的目的或者建仓结束后洗盘的目的，但也不会盲目砸盘，可能会造成自己被其他机构资金截胡，所以在增加活跃度，能够缩短建仓时间了砸盘就会停止，并且在结束后砸盘幅度有限，持续时间短，股价也很出现快速回升的走势。
感觉写的好的点个赞呀，欢迎大家关注点评。#垂直领域点亮计划#
建仓过程中的砸盘，庄家是为了获得更多筹码，而且能够缩短建仓的时间周期，因为个股长期处于底部，个股走势较弱，每日成交较为低迷，每天成交买卖较低，所以在建仓阶段的庄家机构只每天只能够获得少量筹码，如果大量持续性的买入后，必然导致股价出现持续性的上涨，提高接下来的建仓成本，并且很多投资者看到股票启动后，短期出现了较为明显的上涨也好选择跟风买入，跟庄家抢筹码，导致庄家建仓的失败 ，所以在底部建仓的时候主要分为几种类型：
第一，砸盘之前，首先庄家要有一定的筹码，砸盘相当于庄家短期抛售手中的股票，导致股票短期出现下跌，所以在砸盘之前庄家会率先开始选择建仓，按照个股每天的成交情况，每天买入一点，当感觉每天能够买到的筹码越来越少的时候，个股的活跃度越来越低很多庄家会采用拉升股价方法，但拉升并不持续性的拉升，而是运用小部分资金拉升股价，比较个股趋势较弱，市场的抛压盘较小，很容易让股价短期出现上涨。
当拉升到一部分持股的投资者出现解套的情况，会选择买入，并且的尚未解套的投资者仍旧不愿意卖出的情况下，此时庄家建仓并未完成，肯定会选择短期的砸盘，让一部分的被套的投资者，感觉该股短期拉升后又开始出现明显的下跌，认为该股后期会继续出现下跌的情况，这时候很多投资者会选择卖出股票，并且短期个股的活跃度大大增强，接下来庄家可以拉升后砸盘继续完成吸筹的动作，具体参考下图案例，方便大家理解：
图1
通过上图案例我们发现该股庄家在底部建仓的时候，多次采用拉升后砸盘的动作，拉拉升后砸盘后市场的成交量出现明显的放出，短期个股的活跃度远高于之前，接下来的建仓会想对较多容易，具体我们参考下图成交量：
图2
所以建仓阶段庄家会采用小幅度的拉升后砸盘的动作，主要是为了增加个股的活跃度，而且小幅度拉升后砸盘到之前的建仓的震荡区间底部，不再跌破个股震荡的底部区间，也会让市场的投资者抢到比自己成本成本更低的筹码。
第二，很多庄家机构在选择建仓的时候，虽然该股的处于长期底部震荡的区间中，但是可能感觉仍旧目前的价位过高，想着可以让股价再下跌一会后选择建仓，首先会选择在底部震荡时候买入一部分筹码，让持有一定的筹码后，就选择大量卖出砸盘，让股价出现回落，当股价下跌到认为可以建仓的位置的时候，开始完成接下来的建仓的行为，这样建仓成本更低，砸盘的主要目的也只是为了获得更多的筹码，也不会担心其他机构资金抄底买入，自己短期也不会出现短期被套的状态的，具体我们参考下图案例：
图3
第三，目前底部震荡的价位符合的庄家机构的心理价位，认为该价位建仓合理，当庄家机构采用建仓后，发现该股筹码很难获得，大部分持有该股的投资者不愿意卖出，这时候的选择会选择直接砸盘的动作，让股票股价短期出现回落后，回落后很多投资者感觉股价跌破了底部震荡区间的底部，认为该股后期可能会近一步出现下跌的情况，纷纷卖出筹码，这时候庄家能够短期获得廉价筹码，砸盘的目的就是继续吸筹，缩短建仓的时间，具体参考下图案例：
图4
小结：以上三种情况时庄家建仓阶段采用的砸盘手法，主要是为了获得更多筹码和缩短建仓时间，但砸出什么状态，第一种砸出的状态是让市场的活跃度增加，第二种砸到庄家认为合理的建仓位置，第三种砸盘时候发现市场有大量散户投资者卖出筹码。但这三种情况很多庄家会混合使用，并不是在建仓过程中只采用一种，并且在建仓结束后也会采砸盘的动作，下面我们重点讲解。
建仓结束后的砸盘
当庄家建仓结束后，并不知道底部有多少投资者跟风抄底买入，如果大量的短线投资者或者其他机构跟风买入后，必然会影响后期的拉升，并且之前长期被套的投资者，但是被套幅度不大的投资者，后期拉升出现解套或者赚钱情况下，也会选择卖出，所以在拉升之前必须要完成一次砸盘建仓。
反正建仓结束后，庄家手中已经持有大量的筹码，让股价短期出现快速回落那是轻而易举，但毕竟建仓结束，所以砸盘让股价出现快速回落后，庄家是不会允许股价长期在庄家成本下运行，砸盘后股价也会出现快速回升的走势，这就是我们在平时常说的“黄金坑”，砸到什么状态，一般下跌的幅度在10%-15%左右，并且砸盘后确实又很多筹码卖出后，就已经达到砸盘的目的，短期股价快速出现上涨，具体参考下图案例：
图5
上图案例个股在拉升前出现了砸盘，形态上形成了“黄金坑”挖坑完后期股价一路上涨，砸盘后股价快速回升，主要是防止市场其他资金抄底买入后导致的这部分资金的持仓成本比自己低。
总结：庄家在建仓阶段和建仓刚结束都会采用砸盘的手法，砸盘到什么状态具体是否到达庄家建仓的目的或者建仓结束后洗盘的目的，但也不会盲目砸盘，可能会造成自己被其他机构资金截胡，所以在增加活跃度，能够缩短建仓时间了砸盘就会停止，并且在结束后砸盘幅度有限，持续时间短，股价也很出现快速回升的走势。
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