近日消息，南开大学人工智能学院赵新教授团队博士后刘曜玮、副教授孙明竹等发表的克隆机器人相关论文，获评IEEE TASE 2020年度唯一的最佳新应用论文奖。团队设计了一种基于微流道和双针并联的批量机器人化SCNT流程，该流程省去了传统SCNT流程中的操作区域切换、物镜转换以及重聚焦步骤，简化了卵母细胞定位步骤，节省了大量的操作时间。实验结果表明，该批量机器人化SCNT操作流程对比人工操作节省了约41.7%的时间，同时保持了与人工操作相似的操作成功率93.3%与细胞存活率为96.4%。介绍该研究成果的论文“Robotic Batch Somatic Cell Nuclear Transfer Based on MicrofluidicGroove”发表于IEEE TASE。#机器人行业故事# https://t.cn/A6tRKmtk

DTPI 2021 Online Session 本周报告及会议日程抢先看！

2021年7月15日-8月15日，2021 IEEE数字孪生和平行智能国际会议（DTPI 2021）将在北京召开，会议将采用线上线下相结合的形，线上共设置20余个online session，现本周会议直播日程及嘉宾报告详情重磅出炉，欢迎各位专家学者、科研从业者及学生在线参会！

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最新技術競賽超車台積電？ 三星宣布3奈米GAA技術成功流片

三星電子在今年3月於IEEE 國際積體電路會議公布3奈米製程GAA技術細節。最新消息指出，三星的3奈米製程已經成功流片。

GAA技術擁有更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求，並有2種架構，一種是採用奈米線做為電晶體鰭片的GAAFET，另外一種則是採用CMOS、以奈米片形式的較厚鰭片的多橋通道場效應電子電晶體 MBCFET，一般大多是以GAAFET來描述，以及2款基於奈米片設計的3GAAE和3GAAP。

GAAFET早在1988年就問世，該種設計更有效擴張接觸面積，理論上讓性能與功耗大幅改善，但在當時電晶體通道只能加寬1或2倍，精度難以控制，甚至使得效率變差，導致同為多重閘道 3D 電晶體的鰭式場效電晶體(FinFET)，更早一步被業界踏入先進製程領域廣為使用。

三星當時表示，與該公司的7奈米LPP製程相比，3GAAE製程可以在同樣功耗下提高性能30%，或是在同樣頻率下降低功耗50%，電晶體密度提升80%。三星預計MBCFET將在2022年投產。

台積電則是在日前的技術論壇強調，3奈米製程發展順利，將照時程於 2022 下半年量產。

據《新浪財經》報導，三星3奈米正式流片 (Tape Out)，主要是與新思科技 (Synopsys) 合作，加速為 GAA技術提供最佳化解決方案，因為三星3奈米與台積電、英特爾目前採用的FinFET架構不同，需要新設計與認證工具，所以採用Fusion Design Platform，該製程設計套件（PDK） 於 2019 年 5 月發布，並在2020 年通過製程技術認證。

預料三星3奈米製程GAA技術將運用在高效能運算 (HPC)、5G、通訊、AI等應用領域上。

三星代工設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim指出，三星代工是推動下一階段行業創新的核心，三星不斷發展新的技術製程，滿足專業和廣泛市場應用不斷增長的需求，並受惠於與新思科技合作，Fusion Design Platform 加速準備以有效實現 3奈米製程技術承諾，證明關鍵聯盟的優勢。

至於台積電，GAA技術將進展到2奈米製程CMOS開始導入，目前正以3奈米製程維持FinFET架構，將重點放在 2 奈米以外節點，以及3D電晶體、新記憶體以及low-R interconnect 等領域，為各項技術平台創造發展基礎，並且加強Fab 12 的研發N3、N2甚至更高階的先進製程節點。

文章來源：新浪財經