好消息！中芯国际已经掌握了55nm芯片的代工核心技术，也就是说用国产光刻机可以制造出55nm的芯片。

可能有人会说了，这有啥高兴的，台积电都开始弄5nm,3nm，中国才55nm，这差距也太大了吧。

首先要科普下，中芯国际这次的55nm芯片属于高压芯片，是用来造高压大功率器件的，专业术语叫做BCD芯片，跟平时手机上使用的3nm、7nm芯片完全不一样。

BCD是一种复杂的硅芯片制造工艺，每种BCD工艺都具备在同一颗芯片上成功整合三种不同制造技术的优点，包括用于高精度处理模拟信号的双极晶体管，用于设计数字控制电路的CMOS（互补金属氧化物半导体）和用于开发电源和高压开关器件的DMOS（双扩散金属氧化物半导体）。

在这个领域上，国际上最好制程是90nm，中芯国际如果能量产55nm，那在这个芯片方向上就是世界第一了。

当然，目前中芯还是实验室阶段，还没能量产。

但国产芯片每一次的前进就是进步，为每一个进步点赞，等着我们的国产光刻机能生产高端芯片那一刻。

#踏上新征程# “ 突如其来的新冠状病毒肺炎疫情，让同学们错过了四月最明媚的春光，也经历了一场严峻的考验。告别盛夏，新学期如约而至，同学们可以回到校园，带着新希望，踏上新征程。青年处于人生的积累阶段，同学们需要像海绵汲水一样汲取知识，肩负历史使命，坚定前进信心。命运和境遇是无法主宰的，唯一能争取的，就是做最好的自己，不随波逐流，也不孤芳自赏，做一颗有棱有角，还会发光的星星。”

周三会有反弹出现

晚上好，朋友们。

对于当下市场走势，我在周末文章里指出，本周初必须守住上周四的低点才行。哪怕分时快速跌破上周四低点但只要快速收复，就还有戏。这是构筑阶段小双底的关键。否则深成指后面就会向下方11500区域前进了。

从这两天盘面走势来看，深成指在周一早盘是快跌跌破上周四低点，但随后快速上收。周二是冲高回落，再破上周四低点，但随后再度上收。

经过这两天多空双方剧烈上下磨豆腐后，深成指局部出现相对积极的因素，具体为：

1.虽然连续两天深成指都是调整收盘，但最后都收在上周四的上方。满足周末文章分析的构筑局部小双底的要素之一。
2.到今天收盘，深成指形成了5/15/30/60分钟4个周期的底背离共振的局部转折形态。
3.8月17日高点下折到今天尾市，短波已经形成五浪五波谷转折。

因此，周三深成指包括沪指短线反弹的概率较大。初步判断这里会有一天半左右时间的反弹。先看周三反弹强度再做进一步交流吧。

热点方面，这两天热点比较凌乱。昨天小盘题材整体强势，上涨个股多于下跌家数，今天下跌又多于上涨家数。反弹个股通常是一夜情或者两日游的节奏。少数强势连板涨停股只是个案特征。因为个股或者板块上下变脸的速度过快，缺少连续性，所以具体板块不太好点评。

相对稳定者还是前周提示的各种肉比较稳定，但就像前面说的涨的慢。这两天相对有一定连续性局部强势的是文化传媒与数字经济概念。芯片等科技股周二有短线企稳迹象，周三应该会有短反出现。