分析师预警：芯片业凛冬将至
以下文章来源于芯东西 ，作者ZeR0
芯东西8月17日消息，据彭博社报道，芯片公司们正在为即将到来的严重衰退期做准备，未来几个月半导体行业将出现重大转变——由此前创纪录的销售激增，转向十年来最严重的下滑。
疫情期间，半导体市场订单大幅增加，销售额和股价屡创新高，全球厂商都在抢订单、争产能。尽管人们希望这种繁荣景象能持续数年，但显然，现在芯片商们已经开始面临一个熟悉而残酷的问题：库存增加、需求萎缩。
这是一个在半导体行业反复上演的周期性困境，建一座芯片工厂需要数年时间，而它们并不总是在最需要的时候上线。过去几年的核心问题是供应不足，即便到现在，汽车制造商等一些企业仍面临电子零部件结构性短缺的问题。
但对于芯片商来说，风向已经变了。
01 十年来最严重下滑？
花旗集团分析师Christopher Danely甚至提出了一个略显夸张的预计：这一行业的下滑将是至少10年、甚至20年以来最严重的，每家公司和每个芯片类别都可能受到影响。
据彭博社推演，上次类似的衰退发生在2019年，而且通常不会持续太久。但由于全球经济疲软，这一影响预计将尤为明显。如果在经济滑入衰退的同时出现库存调整，半导体行业将无法像上次衰退后那样迅速反弹。
图▲1998年-2021年半导体行业总收入变化（图源：彭博社）
不过，全球最大晶圆代工厂台积电在其最新财报会议期间作出了不同预测，认为2023年将出现典型的芯片需求下滑周期，但整体下滑程度不会更甚于2008年。
无论是台积电，还是中国大陆最大晶圆代工厂中芯国际，都判断这一轮周期调整预计要持续到2023年上半年，半导体供应链的过剩库存需要几个季度才能重新平衡到更合理的水平，同时也都传递出对未来需求增长的信心。
台积电董事长刘德音在财报会议期间透露，尽管消费电子产品芯片需求有所减弱，但在车用芯片与高性能计算芯片的强劲需求下，台积电今年产能仍将保持满载。
中芯国际预测，集成电路行业需求增长和全球区域化趋势不变，虽短期有调整，但本土制造长期逻辑不变，中芯国际对自身的中长期成长依然充满信心。
但不同于这些芯片制造商们稳定且强劲的业绩表现，多家芯片设计公司释放的行业信号都称不上乐观。美国GPU巨头英伟达的游戏业务营收降幅超过30%，美国存储芯片巨头美光科技警告称许多领域的需求正在迅速消失。
就在美光科技告诉投资者芯片需求正在减弱的同一天，美国总统拜登签署了《美国芯片与科学法案》。这在研究公司Sanford C. Bernstein分析师Stacy Rasgon看来“有点黑色幽默”。
“政客们将发现，当行业转向时，短缺问题能多快自行解决。”Rasgon谈道，最终，没有人真正知道会发生什么。这就是芯片产业，每个人都不擅长预测需求，先是过于乐观，然后又过于悲观。
02 、芯片出货量猛跌，高通砍单降价双管齐下
笼罩在芯片厂商头顶的阴霾，来自下游市场需求的急剧下滑。彭博社将芯片最大买家之一个人电脑（PC）行业之变比作“黑暗时代的先兆”。
根据市场研究公司Mercury Research数据，今年第二季度，台式电脑处理器出货量降至近30年来的最低水平，处理器总出货量经历了自1984年以来的最大同比降幅。另据市场调研机构CINNO Research数据，2022上半年中国智能手机SoC终端出货量约为1.34亿颗，同比下降约16.9%。
这是疫情封锁后的痛苦后遗症，之前因很多人改为在家办公，该趋势刺激了PC及其他设备的需求，当时芯片制造商接大量订单近乎接到手软，还要解决棘手的供应链问题。芯片买家们也非常豪气，愿意出更高价来采购芯片。
但现在，消费者们的购买需求减弱，相应的，芯片买家们也开始纷纷砍单，这就造成了业内所谓的“库存修正”。
据央视财经报道，美国移动芯片巨头高通正经历砍单行动，已减少其旗舰移动芯片骁龙8系列订单约15%，并将在年底把两款旗舰移动芯片降价40%左右。韩国存储芯片巨头三星亦在努力清库存，以降低消费电子产品需求减弱对存储芯片出货量的影响。
全球最大晶圆代工厂台积电的最新财报，也反映出消费电子市场的低迷。智能手机业务已经不再是台积电最新季度的第一大收入来源，该业务的未来份额预计还将继续下滑。
根据我国国家统计局数据，国内集成电路月产量自2021年8月达到峰值后逐月回落，2022年7月国内集成电路产量骤降16.6%，同月下游的智能手机产量及微型计算机设备产量分别下滑9.1%和6.0%。
韩国市场亦呈现技术需求放缓迹象：韩国7月智能手机销量同比下降29.2%，计算机和辅助设备出口下降21.9%，存储芯片出货量以13.5%的跌幅领跌。
03 、从公司间的竞争，转为国与国的较量
“这将是一次严重的衰退。”Northland Securities分析师Gus Richard说，“过去这是公司之间的竞争，由于战略重要性，现在这是国家间的竞争。”
此次一个不同以往的因素是，全球半导体行业核心地带的政府都在大力补贴新建工厂和设备。英特尔等公司游说通过芯片立法，称美国需要与亚洲制造商相比更具竞争力。现在，他们准备在需求不稳定的时候开始增加新的产能。
根据国际半导体产业协会SEMI发布的《年中总半导体设备预测报告》，原始设备制造商的全球半导体制造设备总销售额将在今年达到创纪录的1175亿美元，同比增长14.7%，预计明年这一数值将增至1208亿美元。2022年，中国台湾、中国大陆和韩国预计仍将是前三大设备买家。
图 ▲2022年年中半导体设备细分市场规模预测（图源：SEMI）
由于前期成本高昂，芯片制造行业变得越来越不稳定。造价高达200亿美元的芯片工厂需要24小时不间断运转，还必须赶在它过时前，几年之内迅速获得回报。随着资金投入和技术门槛越来越高，现在拥有前沿技术的公司已经寥寥无几。台积电、三星电子和英特尔这三家公司更是占下了先进芯片制造的大部分产能。
图 ▲台积电收入増势（图源：彭博社）
这些公司适时增加了生产线，并使供应链尽可能更加高效。但在美国和欧洲计划在本土大建芯片生产线的努力，可能会破坏此前芯片产业在这种追求效率所做的努力和已经实现的平衡。
一些业内人士或分析师对美国扶持本土芯片制造业并不持有乐观态度。例如，Fitch Ratings分析师Jason Pompeii认为，该行业“实际上在美国和欧洲建立了重复的供应链”，其短期风险是对产能的过度投资导致经济下滑。
不过目前芯片制造商对长期需求普遍看好，预计到2030年底全球半导体行业总收入将破1万亿美元。如此推算，大规模建造芯片工厂，很可能是值得的投入。
04 、结语：芯片业步入周期性低迷期
总体来看，此前因供需失衡造成的芯片囤积热潮正回归理性，随着疫情趋缓和芯片制造商新建产线陆续投用，缺芯问题逐渐得到缓解，但市场疲软之势难以逆转，芯片行业正步入下行周期。
长远来看，人们对芯片半导体市场的前景持乐观态度，云计算、智能汽车等新兴市场都将催生更旺盛的芯片需求。但不确定性在于，如今全球芯片制造业正卷入一场空前的地缘政治风暴，其对未来半导体行业的走向影响尚处未知，各国的芯片相关激励政策及扶持本土芯片供应商的进程将持续是关注焦点。
以下文章来源于芯东西 ，作者ZeR0
芯东西8月17日消息，据彭博社报道，芯片公司们正在为即将到来的严重衰退期做准备，未来几个月半导体行业将出现重大转变——由此前创纪录的销售激增，转向十年来最严重的下滑。
疫情期间，半导体市场订单大幅增加，销售额和股价屡创新高，全球厂商都在抢订单、争产能。尽管人们希望这种繁荣景象能持续数年，但显然，现在芯片商们已经开始面临一个熟悉而残酷的问题：库存增加、需求萎缩。
这是一个在半导体行业反复上演的周期性困境，建一座芯片工厂需要数年时间，而它们并不总是在最需要的时候上线。过去几年的核心问题是供应不足，即便到现在，汽车制造商等一些企业仍面临电子零部件结构性短缺的问题。
但对于芯片商来说，风向已经变了。
01 十年来最严重下滑？
花旗集团分析师Christopher Danely甚至提出了一个略显夸张的预计：这一行业的下滑将是至少10年、甚至20年以来最严重的，每家公司和每个芯片类别都可能受到影响。
据彭博社推演，上次类似的衰退发生在2019年，而且通常不会持续太久。但由于全球经济疲软，这一影响预计将尤为明显。如果在经济滑入衰退的同时出现库存调整，半导体行业将无法像上次衰退后那样迅速反弹。
图▲1998年-2021年半导体行业总收入变化（图源：彭博社）
不过，全球最大晶圆代工厂台积电在其最新财报会议期间作出了不同预测，认为2023年将出现典型的芯片需求下滑周期，但整体下滑程度不会更甚于2008年。
无论是台积电，还是中国大陆最大晶圆代工厂中芯国际，都判断这一轮周期调整预计要持续到2023年上半年，半导体供应链的过剩库存需要几个季度才能重新平衡到更合理的水平，同时也都传递出对未来需求增长的信心。
台积电董事长刘德音在财报会议期间透露，尽管消费电子产品芯片需求有所减弱，但在车用芯片与高性能计算芯片的强劲需求下，台积电今年产能仍将保持满载。
中芯国际预测，集成电路行业需求增长和全球区域化趋势不变，虽短期有调整，但本土制造长期逻辑不变，中芯国际对自身的中长期成长依然充满信心。
但不同于这些芯片制造商们稳定且强劲的业绩表现，多家芯片设计公司释放的行业信号都称不上乐观。美国GPU巨头英伟达的游戏业务营收降幅超过30%，美国存储芯片巨头美光科技警告称许多领域的需求正在迅速消失。
就在美光科技告诉投资者芯片需求正在减弱的同一天，美国总统拜登签署了《美国芯片与科学法案》。这在研究公司Sanford C. Bernstein分析师Stacy Rasgon看来“有点黑色幽默”。
“政客们将发现，当行业转向时，短缺问题能多快自行解决。”Rasgon谈道，最终，没有人真正知道会发生什么。这就是芯片产业，每个人都不擅长预测需求，先是过于乐观，然后又过于悲观。
02 、芯片出货量猛跌，高通砍单降价双管齐下
笼罩在芯片厂商头顶的阴霾，来自下游市场需求的急剧下滑。彭博社将芯片最大买家之一个人电脑（PC）行业之变比作“黑暗时代的先兆”。
根据市场研究公司Mercury Research数据，今年第二季度，台式电脑处理器出货量降至近30年来的最低水平，处理器总出货量经历了自1984年以来的最大同比降幅。另据市场调研机构CINNO Research数据，2022上半年中国智能手机SoC终端出货量约为1.34亿颗，同比下降约16.9%。
这是疫情封锁后的痛苦后遗症，之前因很多人改为在家办公，该趋势刺激了PC及其他设备的需求，当时芯片制造商接大量订单近乎接到手软，还要解决棘手的供应链问题。芯片买家们也非常豪气，愿意出更高价来采购芯片。
但现在，消费者们的购买需求减弱，相应的，芯片买家们也开始纷纷砍单，这就造成了业内所谓的“库存修正”。
据央视财经报道，美国移动芯片巨头高通正经历砍单行动，已减少其旗舰移动芯片骁龙8系列订单约15%，并将在年底把两款旗舰移动芯片降价40%左右。韩国存储芯片巨头三星亦在努力清库存，以降低消费电子产品需求减弱对存储芯片出货量的影响。
全球最大晶圆代工厂台积电的最新财报，也反映出消费电子市场的低迷。智能手机业务已经不再是台积电最新季度的第一大收入来源，该业务的未来份额预计还将继续下滑。
根据我国国家统计局数据，国内集成电路月产量自2021年8月达到峰值后逐月回落，2022年7月国内集成电路产量骤降16.6%，同月下游的智能手机产量及微型计算机设备产量分别下滑9.1%和6.0%。
韩国市场亦呈现技术需求放缓迹象：韩国7月智能手机销量同比下降29.2%，计算机和辅助设备出口下降21.9%，存储芯片出货量以13.5%的跌幅领跌。
03 、从公司间的竞争，转为国与国的较量
“这将是一次严重的衰退。”Northland Securities分析师Gus Richard说，“过去这是公司之间的竞争，由于战略重要性，现在这是国家间的竞争。”
此次一个不同以往的因素是，全球半导体行业核心地带的政府都在大力补贴新建工厂和设备。英特尔等公司游说通过芯片立法，称美国需要与亚洲制造商相比更具竞争力。现在，他们准备在需求不稳定的时候开始增加新的产能。
根据国际半导体产业协会SEMI发布的《年中总半导体设备预测报告》，原始设备制造商的全球半导体制造设备总销售额将在今年达到创纪录的1175亿美元，同比增长14.7%，预计明年这一数值将增至1208亿美元。2022年，中国台湾、中国大陆和韩国预计仍将是前三大设备买家。
图 ▲2022年年中半导体设备细分市场规模预测（图源：SEMI）
由于前期成本高昂，芯片制造行业变得越来越不稳定。造价高达200亿美元的芯片工厂需要24小时不间断运转，还必须赶在它过时前，几年之内迅速获得回报。随着资金投入和技术门槛越来越高，现在拥有前沿技术的公司已经寥寥无几。台积电、三星电子和英特尔这三家公司更是占下了先进芯片制造的大部分产能。
图 ▲台积电收入増势（图源：彭博社）
这些公司适时增加了生产线，并使供应链尽可能更加高效。但在美国和欧洲计划在本土大建芯片生产线的努力，可能会破坏此前芯片产业在这种追求效率所做的努力和已经实现的平衡。
一些业内人士或分析师对美国扶持本土芯片制造业并不持有乐观态度。例如，Fitch Ratings分析师Jason Pompeii认为，该行业“实际上在美国和欧洲建立了重复的供应链”，其短期风险是对产能的过度投资导致经济下滑。
不过目前芯片制造商对长期需求普遍看好，预计到2030年底全球半导体行业总收入将破1万亿美元。如此推算，大规模建造芯片工厂，很可能是值得的投入。
04 、结语：芯片业步入周期性低迷期
总体来看，此前因供需失衡造成的芯片囤积热潮正回归理性，随着疫情趋缓和芯片制造商新建产线陆续投用，缺芯问题逐渐得到缓解，但市场疲软之势难以逆转，芯片行业正步入下行周期。
长远来看，人们对芯片半导体市场的前景持乐观态度，云计算、智能汽车等新兴市场都将催生更旺盛的芯片需求。但不确定性在于，如今全球芯片制造业正卷入一场空前的地缘政治风暴，其对未来半导体行业的走向影响尚处未知，各国的芯片相关激励政策及扶持本土芯片供应商的进程将持续是关注焦点。
AO与AAO工艺的性能对比！
AO法与AAO法虽同属于生物污水处理法，但两者的对比研究却少见报道，本文通过济阳县污水处理厂工艺改进前后的水质对比，对两种污水处理工艺进行了对比分析，为城镇污水处理厂工艺的选择提供了一定的依据。
一、AO、AAO去除性能对比分析
1、COD去除性能对比
污水处理工艺对有机物的去除能力是表征工艺效能的主要指标之一，COD的大小直接反映污水中有机物含量的多少。
通过数据处理分别对两种工艺进出水COD浓度、COD去除率，进行差异显著性检验，结果显示：两种工艺进水COD无显著差异，出水COD、去除率差异显著，AAO工艺对COD的去除明显好于AO工艺。
原因在于AO工艺中，缺氧段的反硝化反应可以消耗掉污水中的一部分有机物，但大部分有机物是通过好氧降解去除的，而济阳县污水处理厂一期工程AO工艺好氧段水力停留时间短，曝气池容积小，曝气量不够，导致有机物去除效果不好。而AAO工艺中，大部分有机物在厌氧段被聚磷菌转化为PHB储存在细胞中，部分有机物在缺氧段通过反硝化反应去除，废水进入好氧段时，COD浓度已基本接近排放标准，在好氧段会得到进一步降解。
有研究表明，AAO工艺厌氧段的COD去除率最高可达到80%以上，而缺氧段的去除率平均低于10%。
2、脱氮性能对比
近年来，随着环境水体水质的富营养化程度不断加剧和污水排放标准的不断提高，寻找一种有效的脱氮工艺已成为当前污水处理厂设计中的重要问题之一。AAO工艺和AO工艺都具有生物脱氮功能，且两种工艺脱氮原理相同，都为反硝化脱氮。
通过对两种工艺进出水TN浓度、TN去除率，进行差异显著性实验，结果表明：两种工艺进水TN无显著差异，出水TN、去除率差异显著，AAO工艺对TN的去除明显好于AO工艺。
在反硝化脱氮工艺中，硝态氮是出水总氮中的主要物质，硝态氮在缺氧段的去除率可以高于90%。有研究指出，控制缺氧区出水硝酸盐浓度为1mg/L～2mg/L，可最大程度提高TN去除率，并能充分利用COD提高缺氧区反硝化能力。好氧区混合液中含有大量硝态氮，通过内循环回流到缺氧区，在缺氧区进行反硝化反应。济阳县污水处理厂AO工艺缺氧段HRT太短，仅为1.8h，少于AAO工艺的3.46h，且内回流比为50%～100%，小于AAO工艺的150%～250%，导致脱氮功能不及AAO。并且AO工艺脱氮效果不及AAO工艺稳定，受外界因素（温度、C/N比等）影响大。
3、除磷性能对比
水中磷含量超标，同样也会导致微生物大量繁殖，浮游生物生长旺盛，出现富营养化状态。反硝化除磷技术的出现是对传统生物除磷理论的一种突破，不仅可以解决传统工艺中存在的矛盾问题，还有利于实现污水的可持续处理。
通过对两种工艺进出水TP浓度、TP去除率，进行差异显著性实验，结果表明：两种工艺进水TP无显著差异，出水TP、去除率差异显著，AAO工艺对TP的去除明显好于AO工艺。原因在于济阳县污水处理厂一期工程AO工艺没有设置厌氧释磷段，而在生物除磷过程中，聚磷菌只有在厌氧段进行充分的放磷，才能保证在缺氧段、好氧段有良好的吸磷效果，此工艺对磷的去除仅仅是通过微生物的同化作用。而AAO工艺的除磷主要由聚磷菌来完成。一般来说，聚磷菌在缺氧段、好氧段摄取的磷量比在厌氧段释放的磷量要多。有研究表明，AAO工艺平均吸磷量和平均放磷量的比例为1.28，且缺氧段的吸磷量高于好氧段的吸磷量。
4、去除性能对比总结
综上，对有机物、氮、磷的去除AAO工艺都要明显好于AO工艺，尤其是除磷，由于AO工艺无厌氧段，只能通过微生物的同化作用去除一小部分的磷，所以对磷的去除有要求的不要选择此种工艺或者增加化学除磷。
二、温度对AO、AAO脱氮除磷的影响
1、温度对两种工艺COD去除的影响
温度对AAO工艺COD的去除影响不大，即使温度低于5摄氏度，COD的去除率也可以达到85%以上，这说明温度对聚磷菌转化有机物的影响不大。而AO工艺对COD的去除，往往会随着温度升高，在5-15摄氏度之间有个降低，随后又升高。这可能是由于气候处于冷暖交替时，系统内菌群数量及其结构会发生变化，系统内优势种群逐步由喜好一种温度的菌群向喜好另一种温度的菌群演替，从而影响对有机物的处理能力。
2、温度对两种工艺脱氮的影响
温度对两种工艺脱氮的影响都比较明显——两种工艺都是随着温度的上升，TN去除率有明显的提高。特别是AO工艺，当温度高于15摄氏度时，TN去除率几乎呈线性增长。
温度增强两种工艺的脱氮性能的原因，一方面是因为温度的升高有利于活性污泥微生物的生长繁殖，提高同化氮元素的效率；另一方面是因为温度升高也增强了系统中硝化菌与反硝化菌的代谢活力，使系统反硝化脱氮能力增强。
一般认为，硝化细菌最适宜的生长温度为25-30摄氏度。当温度小于15摄氏度时硝化速度明显下降，硝化细菌活性也大幅降低。当温度低于5摄氏度时，硝化细菌的生命活动几乎停止。值得一提的是，有时即使低温状态下（低于5度），两系统的TN去除率也不会低于40%，这就说明低温时两系统主要依靠活性污泥中微生物的同化作用来脱氮。
3、温度对两种工艺除磷的影响
从实际状况来看，温度升高AAO工艺对磷的去除率相应提高，尤其是温度高于20摄氏度后，TP去除率趋于稳定。
这是因为生物除磷的关键是依靠聚磷菌的除磷活性，而温度增高，有利于增加聚磷菌的活性，提高磷的去除率。而AO工艺对磷的去除随温度变化的规律性不强，无明显相关性。这是因为AO工艺无厌氧段，不存在聚磷菌存活的条件，对磷的去除仅仅依靠微生物的同化作用，所以温度对此工艺微生物的同化作用影响不大。
三、进水C/N比对AO、AAO脱氮除磷的影响
1、进水C/N比对两种工艺COD去除的影响
对于AAO工艺来说，无论C/N比值如何，COD的去除率基本保持稳定。有资料表明，大部分COD在厌氧区被聚磷菌利用合成为胞内储存物PHA，平均利用率在75%-85%之间，大约10%的COD进入缺氧区，几乎没有剩余的易生物降解有机物进入好氧区，因此该工艺可以实现进水碳源的充分利用，受有机物负荷冲击影响小。而C/N比对AO工艺COD的去除有一定的影响。通过济阳县污水处理厂数据来看，C/N比大于10后，随着C/N比增大，COD去除率有小幅度地降低，有机物负荷对系统产生了冲击。
2、进水C/N比对两种工艺脱氮的影响
A/O工艺随C/N比增大，TN去除率几乎成线性下降，有机物浓度对硝化过程产生率严重影响。这是因为硝化细菌是自养型细菌，有机物浓度不是它的生长限制因素，有机物浓度过高会使增殖速度快的异养型细菌迅速繁殖，优先利用了水中的氧，自养型细菌得不到优势，活性受到抑制，影响了硝化反应的进行。而在AAO工艺中，有实验数据表明，当进水C/N比从5增加到9时，TN去除率稳步上升，C/N比为8.9时，TN去除率高达83.2%，然而当C/N比从9增加到14时，TN的去除率不升反降。
在某一区间增长，TN去除率也随之稳步上升，但当C/N比增长至某一数值，且TN去除率达到最高后，TN的去除率随C/N比增长而下降。
主要原因与AO工艺相同，C/N比增加导致自养菌在系统中的数量越来越少，硝化效率降低，从而总氮去除率降低。有资料显示，在没有储存内碳源的情况下，实现完全反硝化的最小理论C/N比为2.86，但实际所需值远远大于此数。
3、进水C/N比对两种工艺除磷的影响
C/N比对AAO工艺除磷效果影响较大，实验数据表明，当进水C/N比从5增加到9时，TP去除率逐步增加。这主要是因为进水C/N比低时进水碳源不足，而回流污泥中含有大量硝酸盐，硝酸盐消耗了大量COD，从而导致厌氧区放磷不充分，系统除磷率降低。而当进水C/N比从9增加到14时，总磷的去除率下降，尤其是C/N比大于11时总磷去除率几乎成线性下降。
这是因为在相对较高的有机负荷时，进水中的有机物并不能在厌氧段被聚磷菌完全利用，而剩余的过量有机物会促进聚磷菌的生长，从而导致活性污泥中聚磷菌所占比例降低，影响除磷效果。进水C/N比对AO工艺除磷效果的影响不大，主要是因为AO工艺对磷的去除仅仅是通过微生物的同化作用，而C/N比对同化作用影响不大。
四、进水C/P比对AO、AAO脱氮除磷的影响
1、进水C/P比对两种工艺COD去除的影响
实验数据表明，AO工艺对COD的去除率随C/P比变化的规律性不强，无明显相关性，可见C/P比不是影响AO工艺有机物去除效果的主要因素。而对于AAO工艺来说，无论进水C/P比如何变化，其对COD的去除率都高于85%。
相关研究指出，高于79%的COD在厌氧区被消耗，用于合成细胞内部储存物PHA，而在缺氧区6%-11%的COD用于细胞生长和反硝化消耗，在好氧区几乎没有出现COD的消耗，因为细胞死亡后，细胞壁等难降解物质又进入混合液中，使COD增大。
2、进水C/P比对两种工艺脱氮的影响
C/P比对AO工艺脱氮效果的影响无明显规律，TN去除率上下波动幅度比较大。这可能是由于除C/P比之外的其他因素对AO工艺脱氮的影响胜于C/P比。
C/P比对AAO工艺脱氮效果影响不明显，尽管C/P比变化幅度较大，但TN去除率却相对稳定。这主要是因为一般污水C/P比比较高，过量的COD进入缺氧区会抑制磷的吸收，而在缺氧区C/N比总是高于实际需求的最小值，反硝化菌会利用过量的外碳源迅速进行反硝化，不影响TN的去除。
3、进水C/P比对两种工艺除磷的影响
在AAO工艺中，当C/P比低于80时，磷的去除率上下波动明显。当C/P比高于80时，磷的去除率稳定在85%以上，出水磷浓度小于0.5mg/L，系统对磷的去除率基本不再受其他因素影响，说明在AAO系统中进水C/P比高于80时，就可以实现稳定高效的出水水质。
这是由于高C/P比时，进水提供的碳源高于厌氧区释放磷所需的碳源量，因此磷的去除率较高。当C/P较低时，受COD的限制，聚磷菌吸磷能力下降，导致除磷效率低。对于AO工艺来说，C/P比对其除磷效果的影响无明显规律，这说明C/P比对微生物同化作用的影响不大。
AO法与AAO法虽同属于生物污水处理法，但两者的对比研究却少见报道，本文通过济阳县污水处理厂工艺改进前后的水质对比，对两种污水处理工艺进行了对比分析，为城镇污水处理厂工艺的选择提供了一定的依据。
一、AO、AAO去除性能对比分析
1、COD去除性能对比
污水处理工艺对有机物的去除能力是表征工艺效能的主要指标之一，COD的大小直接反映污水中有机物含量的多少。
通过数据处理分别对两种工艺进出水COD浓度、COD去除率，进行差异显著性检验，结果显示：两种工艺进水COD无显著差异，出水COD、去除率差异显著，AAO工艺对COD的去除明显好于AO工艺。
原因在于AO工艺中，缺氧段的反硝化反应可以消耗掉污水中的一部分有机物，但大部分有机物是通过好氧降解去除的，而济阳县污水处理厂一期工程AO工艺好氧段水力停留时间短，曝气池容积小，曝气量不够，导致有机物去除效果不好。而AAO工艺中，大部分有机物在厌氧段被聚磷菌转化为PHB储存在细胞中，部分有机物在缺氧段通过反硝化反应去除，废水进入好氧段时，COD浓度已基本接近排放标准，在好氧段会得到进一步降解。
有研究表明，AAO工艺厌氧段的COD去除率最高可达到80%以上，而缺氧段的去除率平均低于10%。
2、脱氮性能对比
近年来，随着环境水体水质的富营养化程度不断加剧和污水排放标准的不断提高，寻找一种有效的脱氮工艺已成为当前污水处理厂设计中的重要问题之一。AAO工艺和AO工艺都具有生物脱氮功能，且两种工艺脱氮原理相同，都为反硝化脱氮。
通过对两种工艺进出水TN浓度、TN去除率，进行差异显著性实验，结果表明：两种工艺进水TN无显著差异，出水TN、去除率差异显著，AAO工艺对TN的去除明显好于AO工艺。
在反硝化脱氮工艺中，硝态氮是出水总氮中的主要物质，硝态氮在缺氧段的去除率可以高于90%。有研究指出，控制缺氧区出水硝酸盐浓度为1mg/L～2mg/L，可最大程度提高TN去除率，并能充分利用COD提高缺氧区反硝化能力。好氧区混合液中含有大量硝态氮，通过内循环回流到缺氧区，在缺氧区进行反硝化反应。济阳县污水处理厂AO工艺缺氧段HRT太短，仅为1.8h，少于AAO工艺的3.46h，且内回流比为50%～100%，小于AAO工艺的150%～250%，导致脱氮功能不及AAO。并且AO工艺脱氮效果不及AAO工艺稳定，受外界因素（温度、C/N比等）影响大。
3、除磷性能对比
水中磷含量超标，同样也会导致微生物大量繁殖，浮游生物生长旺盛，出现富营养化状态。反硝化除磷技术的出现是对传统生物除磷理论的一种突破，不仅可以解决传统工艺中存在的矛盾问题，还有利于实现污水的可持续处理。
通过对两种工艺进出水TP浓度、TP去除率，进行差异显著性实验，结果表明：两种工艺进水TP无显著差异，出水TP、去除率差异显著，AAO工艺对TP的去除明显好于AO工艺。原因在于济阳县污水处理厂一期工程AO工艺没有设置厌氧释磷段，而在生物除磷过程中，聚磷菌只有在厌氧段进行充分的放磷，才能保证在缺氧段、好氧段有良好的吸磷效果，此工艺对磷的去除仅仅是通过微生物的同化作用。而AAO工艺的除磷主要由聚磷菌来完成。一般来说，聚磷菌在缺氧段、好氧段摄取的磷量比在厌氧段释放的磷量要多。有研究表明，AAO工艺平均吸磷量和平均放磷量的比例为1.28，且缺氧段的吸磷量高于好氧段的吸磷量。
4、去除性能对比总结
综上，对有机物、氮、磷的去除AAO工艺都要明显好于AO工艺，尤其是除磷，由于AO工艺无厌氧段，只能通过微生物的同化作用去除一小部分的磷，所以对磷的去除有要求的不要选择此种工艺或者增加化学除磷。
二、温度对AO、AAO脱氮除磷的影响
1、温度对两种工艺COD去除的影响
温度对AAO工艺COD的去除影响不大，即使温度低于5摄氏度，COD的去除率也可以达到85%以上，这说明温度对聚磷菌转化有机物的影响不大。而AO工艺对COD的去除，往往会随着温度升高，在5-15摄氏度之间有个降低，随后又升高。这可能是由于气候处于冷暖交替时，系统内菌群数量及其结构会发生变化，系统内优势种群逐步由喜好一种温度的菌群向喜好另一种温度的菌群演替，从而影响对有机物的处理能力。
2、温度对两种工艺脱氮的影响
温度对两种工艺脱氮的影响都比较明显——两种工艺都是随着温度的上升，TN去除率有明显的提高。特别是AO工艺，当温度高于15摄氏度时，TN去除率几乎呈线性增长。
温度增强两种工艺的脱氮性能的原因，一方面是因为温度的升高有利于活性污泥微生物的生长繁殖，提高同化氮元素的效率；另一方面是因为温度升高也增强了系统中硝化菌与反硝化菌的代谢活力，使系统反硝化脱氮能力增强。
一般认为，硝化细菌最适宜的生长温度为25-30摄氏度。当温度小于15摄氏度时硝化速度明显下降，硝化细菌活性也大幅降低。当温度低于5摄氏度时，硝化细菌的生命活动几乎停止。值得一提的是，有时即使低温状态下（低于5度），两系统的TN去除率也不会低于40%，这就说明低温时两系统主要依靠活性污泥中微生物的同化作用来脱氮。
3、温度对两种工艺除磷的影响
从实际状况来看，温度升高AAO工艺对磷的去除率相应提高，尤其是温度高于20摄氏度后，TP去除率趋于稳定。
这是因为生物除磷的关键是依靠聚磷菌的除磷活性，而温度增高，有利于增加聚磷菌的活性，提高磷的去除率。而AO工艺对磷的去除随温度变化的规律性不强，无明显相关性。这是因为AO工艺无厌氧段，不存在聚磷菌存活的条件，对磷的去除仅仅依靠微生物的同化作用，所以温度对此工艺微生物的同化作用影响不大。
三、进水C/N比对AO、AAO脱氮除磷的影响
1、进水C/N比对两种工艺COD去除的影响
对于AAO工艺来说，无论C/N比值如何，COD的去除率基本保持稳定。有资料表明，大部分COD在厌氧区被聚磷菌利用合成为胞内储存物PHA，平均利用率在75%-85%之间，大约10%的COD进入缺氧区，几乎没有剩余的易生物降解有机物进入好氧区，因此该工艺可以实现进水碳源的充分利用，受有机物负荷冲击影响小。而C/N比对AO工艺COD的去除有一定的影响。通过济阳县污水处理厂数据来看，C/N比大于10后，随着C/N比增大，COD去除率有小幅度地降低，有机物负荷对系统产生了冲击。
2、进水C/N比对两种工艺脱氮的影响
A/O工艺随C/N比增大，TN去除率几乎成线性下降，有机物浓度对硝化过程产生率严重影响。这是因为硝化细菌是自养型细菌，有机物浓度不是它的生长限制因素，有机物浓度过高会使增殖速度快的异养型细菌迅速繁殖，优先利用了水中的氧，自养型细菌得不到优势，活性受到抑制，影响了硝化反应的进行。而在AAO工艺中，有实验数据表明，当进水C/N比从5增加到9时，TN去除率稳步上升，C/N比为8.9时，TN去除率高达83.2%，然而当C/N比从9增加到14时，TN的去除率不升反降。
在某一区间增长，TN去除率也随之稳步上升，但当C/N比增长至某一数值，且TN去除率达到最高后，TN的去除率随C/N比增长而下降。
主要原因与AO工艺相同，C/N比增加导致自养菌在系统中的数量越来越少，硝化效率降低，从而总氮去除率降低。有资料显示，在没有储存内碳源的情况下，实现完全反硝化的最小理论C/N比为2.86，但实际所需值远远大于此数。
3、进水C/N比对两种工艺除磷的影响
C/N比对AAO工艺除磷效果影响较大，实验数据表明，当进水C/N比从5增加到9时，TP去除率逐步增加。这主要是因为进水C/N比低时进水碳源不足，而回流污泥中含有大量硝酸盐，硝酸盐消耗了大量COD，从而导致厌氧区放磷不充分，系统除磷率降低。而当进水C/N比从9增加到14时，总磷的去除率下降，尤其是C/N比大于11时总磷去除率几乎成线性下降。
这是因为在相对较高的有机负荷时，进水中的有机物并不能在厌氧段被聚磷菌完全利用，而剩余的过量有机物会促进聚磷菌的生长，从而导致活性污泥中聚磷菌所占比例降低，影响除磷效果。进水C/N比对AO工艺除磷效果的影响不大，主要是因为AO工艺对磷的去除仅仅是通过微生物的同化作用，而C/N比对同化作用影响不大。
四、进水C/P比对AO、AAO脱氮除磷的影响
1、进水C/P比对两种工艺COD去除的影响
实验数据表明，AO工艺对COD的去除率随C/P比变化的规律性不强，无明显相关性，可见C/P比不是影响AO工艺有机物去除效果的主要因素。而对于AAO工艺来说，无论进水C/P比如何变化，其对COD的去除率都高于85%。
相关研究指出，高于79%的COD在厌氧区被消耗，用于合成细胞内部储存物PHA，而在缺氧区6%-11%的COD用于细胞生长和反硝化消耗，在好氧区几乎没有出现COD的消耗，因为细胞死亡后，细胞壁等难降解物质又进入混合液中，使COD增大。
2、进水C/P比对两种工艺脱氮的影响
C/P比对AO工艺脱氮效果的影响无明显规律，TN去除率上下波动幅度比较大。这可能是由于除C/P比之外的其他因素对AO工艺脱氮的影响胜于C/P比。
C/P比对AAO工艺脱氮效果影响不明显，尽管C/P比变化幅度较大，但TN去除率却相对稳定。这主要是因为一般污水C/P比比较高，过量的COD进入缺氧区会抑制磷的吸收，而在缺氧区C/N比总是高于实际需求的最小值，反硝化菌会利用过量的外碳源迅速进行反硝化，不影响TN的去除。
3、进水C/P比对两种工艺除磷的影响
在AAO工艺中，当C/P比低于80时，磷的去除率上下波动明显。当C/P比高于80时，磷的去除率稳定在85%以上，出水磷浓度小于0.5mg/L，系统对磷的去除率基本不再受其他因素影响，说明在AAO系统中进水C/P比高于80时，就可以实现稳定高效的出水水质。
这是由于高C/P比时，进水提供的碳源高于厌氧区释放磷所需的碳源量，因此磷的去除率较高。当C/P较低时，受COD的限制，聚磷菌吸磷能力下降，导致除磷效率低。对于AO工艺来说，C/P比对其除磷效果的影响无明显规律，这说明C/P比对微生物同化作用的影响不大。
螺杆泵检测
螺杆泵是利用螺杆的回转来运送流体介质。因为泵的驱动，动力方式以及泵用材料和机械加工精度的关系，历史上很长时间没有得到发展，一直到近代螺杆泵才得到应有的发展。1890年，在美国WARREN公司出产世界上第一台双螺杆泵，以后相继出现了三螺杆泵和单螺杆泵。 螺杆泵属于转子式容积式泵,适用于输送高粘度流体，固体悬浮液，高磨蚀性浆液，固、液、气三相混合物等极度敏感和易受离心力破坏的流体介质。
螺杆泵主要分为单螺杆泵，双螺杆泵，三螺杆泵，五螺杆泵等。
螺杆泵测量方法
1.转速测量
转速用下列任一方法测定:
a)转速表或闪颜观测法
b)转速自动计数装置
2.压力测量
压力测量点的位置应在泵进、出口的直管段上。
测量点离泵的距离不应大于排出(或吸入)管径的6倍或在技术文件规定的地方，离排出(或吸入)管路阀门的距离应大于排出(或吸入)管径的6倍，且不应小于 300mm。在有空气室的场合，允许在空气室上测量压力。测压孔的直径为26mm，测压孔应与管内壁垂直。测压孔的长度应大于2倍孔径。仪表和测压孔之间的连接管内应全部充满液体(水或介质)。为了降低测压表的脉动，在仪表前允许装调脉动阻尼装置，仪表指针的拱动不应超过刻度状的三个小分度值，取指示值的中间读数作为最值压力表量程的选择应使指示平均值为满量程的1/3~2/3，最大值不超过压力表的测量范围。压力采用弹簧式乐力表、真空表、水银压差计或压力传感指示装置制量。
仪表精度不低于下列要求:型式试验 1.0 级出厂试验 1.5级
3.流量测量
流量测量一般选用容积法、重量法或节流装置(流量计)。
采用容积法测量时，计量罐应有刻度，计量罐标定的极限相对误差不大于0.5%。
计量罐的容量应使计量时间不小于20秒。
采用重量法测量时，衡器的感量应不小于被测重量的0.5%。
测量粘性或挥发性液体时，应采用合适的容积式流量计。
测量流量时，应保证计时装置、计量罐液位测定(容积法)流流换向装置(重量法)同步。
4.功率测量
泵的输入功率指泵的电动机传到输入轴的功率。电动机的输出功率可以看做泵的输入功率(当有减速装置时，应为减速装置输出轴传递的功率)。泵的输入功率可采用下面任一方法测量:
a)天平马达
b)测量员动机的输入功率
c)测功计
采用天平马达测量功率时，应同时测量电动机的转速。
采用天平马达测量转矩时，应考虑电动机风扇扭矩和轴承摩擦扭矩。这个扭矩应在电动机无负荷情况下确定，此时可忽略电动机在负荷与空载下转速差。
测量电动机输入功率。计算输出功率时，应测出电动机的效率——输入功率曲线。
测量电气参数的仪表精度，在型式试验时不低于0.5级，出厂试验时不低于1.0级，电流互感器、电压互感器在电压达500V时，精度不低于02级;电压超过500V时，不低于1.0级。
5.温度测量
液体的温度应在输送管道或罐内测量。
温度计或温度传感器的测量部分应直接浸入液体中或放入薄壁金属圆筒中，液体从筒外流过，简内用甘油或矿物油充满。当液体温度超过150℃时，简内用铜屑充满。
测量液体湿度的温度计刻度值不大于2℃。
测量泵温度的温度传感器误差不大于5℃。
通过泵密封部分的外润失量，隐在泵的设计工况下测量五分钟(不小于)。测失量的测量极限误差不大于2%。
泵的试运转
泵的试运转在泵的正式实验前进行。
泵的试运转主要为检查装配质量，并对新泵进行跑合。
泵的试运转主要检查泵的声响、噪音、振动、润滑、温升、泄漏和所有保护装置的可靠性。
泵的试运转应在不超过额定排出压力10%的条件下开始，然后逐步升至额定排出乐力。按额定出口乐力的高低。每一级升高乐力不大于03~0.5MPa。每一级持续时间不小于25 分钟。
泵的性能试验
泵的性能试验用于确定泵的流量、功率、效率、压力之间的关系。
每种工况下均应测量和记录下列数值;转速流量
进口压力出口压力
功率(扭矩)或电气参数液体温度、粘度
在性能测试时，进口不允许有汽触现象。出口压力依次调节为;尽可能小，继而25%、50%、75%，100%、110%额定压力。对附有安全阀的泵，性能测试时应去掉安全阀。
泵的汽蚀性能试验
泵的吸入性能试验是确定流量与净正吸入压头(NPSH)的关系，并找出泵必须的净正吸入乐头额定值(NPSHR)。
泵的汽蚀性能试验应在额定排出压力下进行。NPSH由最大值(入口管阀门全开)
开始按要求测量各值(功率除外)，然后逐步降低NPSH至汽蚀发生，试验点不少于8个，
NPSHR按下列原则确定，当泵流量比正常运转时的流量(不发生汽蚀时的流量)下降3%时，对应的NPSH即为NPSHR
额定工况点性能检查应在额定NPSHR和排出压力下进行，流量应符合技术文件规定，同时校正安全阀的启跳压力，此时注意泵的运转情况。
安全润一般应在安全阀试验台上进行试验和调整，合格后应加铅封，也可附泵一起试验。
逐渐关闭排出管路阀门，提高排除压力。在规定的启跳压力下，安全阀应准确动作，试验应不少于3次。
全闭排出管路阀门，检查此时安全阀的排放压力和原动机负荷，均应符合规定全闭排出管路视门条件下的工作时间不大于10秒。
在没有特殊说明下，泵的振动和噪声翻量按JB/T8097-1999《泵的振动测量和评价方法》和JB/T8098-1999《泵的噪声测量和评价方法》进行。
螺杆泵检查项目和判断标准
1.监测滚动轴承的运转情况当
dBN＜20时，轴承状态良好，下次按周期测量
当20＜dBN＜35时，要引起注意，轴承已出现早期损伤，必须在较短时间内再次测量
当dBN＞35时，轴承有明显的损伤，必须在更短的期间内测量
当dBN＞50时，应迅速更换轴承
2. 监测螺杆泵的振动情况
单振幅A应不超过以下值：
1.泵转速为1450r/min
轴中心高度≤225mm，A≤0.03mm
轴中心高度＞225mm，A≤0.04mm
2.泵转速为2900r/min
轴中心高度≤225mm，A≤0.02mm
轴中心高度＞225mm，A≤0.03mm
3. 监测滚动轴承的运转情况
当dBN＜20时，轴承状态良好，下次按周期测量
当20＜dBN＜35时，要引起注意，轴承已出现早期损伤，必须在较短时间内再次测量
当dBN＞35时，轴承有明显的损伤，必须在更短的期间内测量
当dBN＞50时，应迅速更换轴承
4. 监测螺杆泵的振动情况
单振幅A应不超过以下值：
1.泵转速为1450r/min
轴中心高度≤225mm，A≤0.03mm
轴中心高度＞225mm，A≤0.04mm
2.泵转速为2900r/min
轴中心高度≤225mm，A≤0.02mm
轴中心高度＞225mm，A≤0.03mm
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螺杆泵是利用螺杆的回转来运送流体介质。因为泵的驱动，动力方式以及泵用材料和机械加工精度的关系，历史上很长时间没有得到发展，一直到近代螺杆泵才得到应有的发展。1890年，在美国WARREN公司出产世界上第一台双螺杆泵，以后相继出现了三螺杆泵和单螺杆泵。 螺杆泵属于转子式容积式泵,适用于输送高粘度流体，固体悬浮液，高磨蚀性浆液，固、液、气三相混合物等极度敏感和易受离心力破坏的流体介质。
螺杆泵主要分为单螺杆泵，双螺杆泵，三螺杆泵，五螺杆泵等。
螺杆泵测量方法
1.转速测量
转速用下列任一方法测定:
a)转速表或闪颜观测法
b)转速自动计数装置
2.压力测量
压力测量点的位置应在泵进、出口的直管段上。
测量点离泵的距离不应大于排出(或吸入)管径的6倍或在技术文件规定的地方，离排出(或吸入)管路阀门的距离应大于排出(或吸入)管径的6倍，且不应小于 300mm。在有空气室的场合，允许在空气室上测量压力。测压孔的直径为26mm，测压孔应与管内壁垂直。测压孔的长度应大于2倍孔径。仪表和测压孔之间的连接管内应全部充满液体(水或介质)。为了降低测压表的脉动，在仪表前允许装调脉动阻尼装置，仪表指针的拱动不应超过刻度状的三个小分度值，取指示值的中间读数作为最值压力表量程的选择应使指示平均值为满量程的1/3~2/3，最大值不超过压力表的测量范围。压力采用弹簧式乐力表、真空表、水银压差计或压力传感指示装置制量。
仪表精度不低于下列要求:型式试验 1.0 级出厂试验 1.5级
3.流量测量
流量测量一般选用容积法、重量法或节流装置(流量计)。
采用容积法测量时，计量罐应有刻度，计量罐标定的极限相对误差不大于0.5%。
计量罐的容量应使计量时间不小于20秒。
采用重量法测量时，衡器的感量应不小于被测重量的0.5%。
测量粘性或挥发性液体时，应采用合适的容积式流量计。
测量流量时，应保证计时装置、计量罐液位测定(容积法)流流换向装置(重量法)同步。
4.功率测量
泵的输入功率指泵的电动机传到输入轴的功率。电动机的输出功率可以看做泵的输入功率(当有减速装置时，应为减速装置输出轴传递的功率)。泵的输入功率可采用下面任一方法测量:
a)天平马达
b)测量员动机的输入功率
c)测功计
采用天平马达测量功率时，应同时测量电动机的转速。
采用天平马达测量转矩时，应考虑电动机风扇扭矩和轴承摩擦扭矩。这个扭矩应在电动机无负荷情况下确定，此时可忽略电动机在负荷与空载下转速差。
测量电动机输入功率。计算输出功率时，应测出电动机的效率——输入功率曲线。
测量电气参数的仪表精度，在型式试验时不低于0.5级，出厂试验时不低于1.0级，电流互感器、电压互感器在电压达500V时，精度不低于02级;电压超过500V时，不低于1.0级。
5.温度测量
液体的温度应在输送管道或罐内测量。
温度计或温度传感器的测量部分应直接浸入液体中或放入薄壁金属圆筒中，液体从筒外流过，简内用甘油或矿物油充满。当液体温度超过150℃时，简内用铜屑充满。
测量液体湿度的温度计刻度值不大于2℃。
测量泵温度的温度传感器误差不大于5℃。
通过泵密封部分的外润失量，隐在泵的设计工况下测量五分钟(不小于)。测失量的测量极限误差不大于2%。
泵的试运转
泵的试运转在泵的正式实验前进行。
泵的试运转主要为检查装配质量，并对新泵进行跑合。
泵的试运转主要检查泵的声响、噪音、振动、润滑、温升、泄漏和所有保护装置的可靠性。
泵的试运转应在不超过额定排出压力10%的条件下开始，然后逐步升至额定排出乐力。按额定出口乐力的高低。每一级升高乐力不大于03~0.5MPa。每一级持续时间不小于25 分钟。
泵的性能试验
泵的性能试验用于确定泵的流量、功率、效率、压力之间的关系。
每种工况下均应测量和记录下列数值;转速流量
进口压力出口压力
功率(扭矩)或电气参数液体温度、粘度
在性能测试时，进口不允许有汽触现象。出口压力依次调节为;尽可能小，继而25%、50%、75%，100%、110%额定压力。对附有安全阀的泵，性能测试时应去掉安全阀。
泵的汽蚀性能试验
泵的吸入性能试验是确定流量与净正吸入压头(NPSH)的关系，并找出泵必须的净正吸入乐头额定值(NPSHR)。
泵的汽蚀性能试验应在额定排出压力下进行。NPSH由最大值(入口管阀门全开)
开始按要求测量各值(功率除外)，然后逐步降低NPSH至汽蚀发生，试验点不少于8个，
NPSHR按下列原则确定，当泵流量比正常运转时的流量(不发生汽蚀时的流量)下降3%时，对应的NPSH即为NPSHR
额定工况点性能检查应在额定NPSHR和排出压力下进行，流量应符合技术文件规定，同时校正安全阀的启跳压力，此时注意泵的运转情况。
安全润一般应在安全阀试验台上进行试验和调整，合格后应加铅封，也可附泵一起试验。
逐渐关闭排出管路阀门，提高排除压力。在规定的启跳压力下，安全阀应准确动作，试验应不少于3次。
全闭排出管路阀门，检查此时安全阀的排放压力和原动机负荷，均应符合规定全闭排出管路视门条件下的工作时间不大于10秒。
在没有特殊说明下，泵的振动和噪声翻量按JB/T8097-1999《泵的振动测量和评价方法》和JB/T8098-1999《泵的噪声测量和评价方法》进行。
螺杆泵检查项目和判断标准
1.监测滚动轴承的运转情况当
dBN＜20时，轴承状态良好，下次按周期测量
当20＜dBN＜35时，要引起注意，轴承已出现早期损伤，必须在较短时间内再次测量
当dBN＞35时，轴承有明显的损伤，必须在更短的期间内测量
当dBN＞50时，应迅速更换轴承
2. 监测螺杆泵的振动情况
单振幅A应不超过以下值：
1.泵转速为1450r/min
轴中心高度≤225mm，A≤0.03mm
轴中心高度＞225mm，A≤0.04mm
2.泵转速为2900r/min
轴中心高度≤225mm，A≤0.02mm
轴中心高度＞225mm，A≤0.03mm
3. 监测滚动轴承的运转情况
当dBN＜20时，轴承状态良好，下次按周期测量
当20＜dBN＜35时，要引起注意，轴承已出现早期损伤，必须在较短时间内再次测量
当dBN＞35时，轴承有明显的损伤，必须在更短的期间内测量
当dBN＞50时，应迅速更换轴承
4. 监测螺杆泵的振动情况
单振幅A应不超过以下值：
1.泵转速为1450r/min
轴中心高度≤225mm，A≤0.03mm
轴中心高度＞225mm，A≤0.04mm
2.泵转速为2900r/min
轴中心高度≤225mm，A≤0.02mm
轴中心高度＞225mm，A≤0.03mm
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