用蚀刻法测定硅晶片表面的金属杂质
本研究为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中金属杂质的方法。
利用蚀刻plate实现硅晶片的蚀刻方法: 硅晶片为消除表面金属杂质的影响，将10%HF溶液5 mL滴入拟蚀刻晶片面，将该溶液均匀地滚动，去除表面的金属杂质，然后定量称重，将HF和HNQ以l:3（v/v）混合的溶液5ml均匀滴在plate上，用真空tweezer抓住表面已洗净的晶片拟蚀刻的另一面，将拟蚀刻的一面放上去与plate上的溶液接触，并合上plate盖。 20分钟后，将晶片用真空tweezer抓取并取下，用约20 mg脱离子水冲洗表面的蚀刻溶液，将这些溶液全部收集起来，装入蒸发容器，在微波烤箱中蒸发。
为了分析从表面到深度方向5米的金属杂质量，需要将晶片称为1 wn均匀，采用HF和HNO^混合溶液进行蚀刻，在这种混合溶液中，硅被HNQ氧化成SiOz，而SiQ被HF氧化成HzSiFs而被蚀刻。为了将硅晶片表面均匀蚀刻成1 gm厚度，通过改变HF和HNOj的体积比和蚀刻时间，求出了最佳体积比和蚀刻时间。
本实验采用直径为200mm的epitaxial硅晶片，Epitaxial晶片表面透过红外线，单晶硅与沉积的epi.层之间的折射率不同，可以测量epi.层的厚度，将其与蚀刻前、后的重量差进行比较，确定蚀刻厚度，从而确定了蚀刻的均匀性。 图3给出了HI和HNQ的体积比以及不同蚀刻时间的蚀刻厚度。
硅晶片蚀刻后的溶液中含有硅烷溶解，蚀刻溶液本身也是过量的酸混合溶液，因此不能直接将其引入装有MCN的ICP-MS中，因此，为了引入ICP-MS，必须去除蚀刻溶液中的硅和酸。
为了补偿样品前处理过程中可能出现的误差，分析了底物溶液中杂质的浓度，在不称样品的情况下，使所有其他过程相同，用ICP-MS分析的结果在图6上进行了表征，检出的元素在0.01 ng/L~0.1 g/L范围内，这些结果是在8M HNQ溶液中煮沸用于微波烤箱的PFA材质蒸发容器后，在微波烤箱中长时间用硝酸洗净得到的。
随着洗净的进行，可以看到4个蒸发容器中Fe的浓度都有所下降，这种方法的容器清洗使HNOj的消耗量大、费时，但引起样品处理过程的}的可能性降到了最低，将表面暴露于HF蒸气中，分解oxide层，然后将0.2%HF和1%HQz的混合溶液1 mL均匀地放入表面。用ICP-MS进行了测定，测定结果证实，污染表面的Cu浓度为IX 1013 atoms/cn。
污染前和污染后，用蚀刻法对热处理过的硅晶片进行了分析，污染前Cu的分布在表面区域1n以内，以较高浓度污染热处理的晶片内的Cu，虽然在有epi层的正面有微量存在，但大部分分布在l~2p_m内， 并以厚度为单位对该浓度进行了定量。
在这项研究中，硅晶片(半导体基材料)的器件激活区中的金属杂质使用蚀刻方法用电感耦合等离子体质谱法进行定量，当用溶液5蚀刻硅晶片20分钟时血与1: 3的HF和HNOj混合，作为已知浓度的标准溶液的尖峰蒸发的结果，在用于回收蚀刻溶液的去离子水的蒸发过程中，以及在微波炉中掩埋在蚀刻桶表面的蚀刻溶液中，铜、镍、锌、铬、镁、钛、钾和铁的同位素被回收到90-110%的范围内。使用这种蚀刻方法在背面沉积多晶硅的外延硅
晶圆上的铜，经过污染和热处理后，正面与外延，沉积多晶硅的层和背面用ICP-MS通过连续蚀刻五次来测量，铜的浓度在每个区域中被量化，并且铜集中在多晶硅区域附近。
蚀刻方法的优点在于，克服了使用常规电或物理方法测量硅内部存在的金属杂质的局限性，并且根据金属杂质的器件工艺的热处理，精确地量化了样品的特定区域中的金属杂质。#钉钉将推出下班勿扰功能#
本研究为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中金属杂质的方法。
利用蚀刻plate实现硅晶片的蚀刻方法: 硅晶片为消除表面金属杂质的影响，将10%HF溶液5 mL滴入拟蚀刻晶片面，将该溶液均匀地滚动，去除表面的金属杂质，然后定量称重，将HF和HNQ以l:3（v/v）混合的溶液5ml均匀滴在plate上，用真空tweezer抓住表面已洗净的晶片拟蚀刻的另一面，将拟蚀刻的一面放上去与plate上的溶液接触，并合上plate盖。 20分钟后，将晶片用真空tweezer抓取并取下，用约20 mg脱离子水冲洗表面的蚀刻溶液，将这些溶液全部收集起来，装入蒸发容器，在微波烤箱中蒸发。
为了分析从表面到深度方向5米的金属杂质量，需要将晶片称为1 wn均匀，采用HF和HNO^混合溶液进行蚀刻，在这种混合溶液中，硅被HNQ氧化成SiOz，而SiQ被HF氧化成HzSiFs而被蚀刻。为了将硅晶片表面均匀蚀刻成1 gm厚度，通过改变HF和HNOj的体积比和蚀刻时间，求出了最佳体积比和蚀刻时间。
本实验采用直径为200mm的epitaxial硅晶片，Epitaxial晶片表面透过红外线，单晶硅与沉积的epi.层之间的折射率不同，可以测量epi.层的厚度，将其与蚀刻前、后的重量差进行比较，确定蚀刻厚度，从而确定了蚀刻的均匀性。 图3给出了HI和HNQ的体积比以及不同蚀刻时间的蚀刻厚度。
硅晶片蚀刻后的溶液中含有硅烷溶解，蚀刻溶液本身也是过量的酸混合溶液，因此不能直接将其引入装有MCN的ICP-MS中，因此，为了引入ICP-MS，必须去除蚀刻溶液中的硅和酸。
为了补偿样品前处理过程中可能出现的误差，分析了底物溶液中杂质的浓度，在不称样品的情况下，使所有其他过程相同，用ICP-MS分析的结果在图6上进行了表征，检出的元素在0.01 ng/L~0.1 g/L范围内，这些结果是在8M HNQ溶液中煮沸用于微波烤箱的PFA材质蒸发容器后，在微波烤箱中长时间用硝酸洗净得到的。
随着洗净的进行，可以看到4个蒸发容器中Fe的浓度都有所下降，这种方法的容器清洗使HNOj的消耗量大、费时，但引起样品处理过程的}的可能性降到了最低，将表面暴露于HF蒸气中，分解oxide层，然后将0.2%HF和1%HQz的混合溶液1 mL均匀地放入表面。用ICP-MS进行了测定，测定结果证实，污染表面的Cu浓度为IX 1013 atoms/cn。
污染前和污染后，用蚀刻法对热处理过的硅晶片进行了分析，污染前Cu的分布在表面区域1n以内，以较高浓度污染热处理的晶片内的Cu，虽然在有epi层的正面有微量存在，但大部分分布在l~2p_m内， 并以厚度为单位对该浓度进行了定量。
在这项研究中，硅晶片(半导体基材料)的器件激活区中的金属杂质使用蚀刻方法用电感耦合等离子体质谱法进行定量，当用溶液5蚀刻硅晶片20分钟时血与1: 3的HF和HNOj混合，作为已知浓度的标准溶液的尖峰蒸发的结果，在用于回收蚀刻溶液的去离子水的蒸发过程中，以及在微波炉中掩埋在蚀刻桶表面的蚀刻溶液中，铜、镍、锌、铬、镁、钛、钾和铁的同位素被回收到90-110%的范围内。使用这种蚀刻方法在背面沉积多晶硅的外延硅
晶圆上的铜，经过污染和热处理后，正面与外延，沉积多晶硅的层和背面用ICP-MS通过连续蚀刻五次来测量，铜的浓度在每个区域中被量化，并且铜集中在多晶硅区域附近。
蚀刻方法的优点在于，克服了使用常规电或物理方法测量硅内部存在的金属杂质的局限性，并且根据金属杂质的器件工艺的热处理，精确地量化了样品的特定区域中的金属杂质。#钉钉将推出下班勿扰功能#
#生物质锅炉脱硝设备多少钱#
厂家：13011997763
客户反应都很好，主要是设备达标而且设备的价格也不高，后期运行起来费用还很低。
建厂以来开发了环保系列脱硝产品：SNCR智能脱硝一体机，PNCR高分子智能脱硝一体机，SCR低温脱硝装置，高分子脱硝剂，催化剂。
公司以过硬的产品质量，优质的售后服务，合理的价格，赢得客户好评。本厂也可以根据客户不同的需求，按客户要求定制脱硝设备。
公司拥有良好的烟气脱硝设备，主营项目有废气处理设备、脱硫脱硝设备、脱硫除尘设备、烟气脱硫设备、锅炉脱硫
除尘器、湿式脱硫除尘器、水膜脱硫除尘器等，并提供合理的解决方案。
广泛用于食品、化工、医疗、橡胶、塑胶、电子、汽车、模具、陶瓷、木业、水泥、冶金、发电厂、新能源、合金打
磨业以及烧结机、回转窑、燃气炉各种工业锅炉等行业。
烟气干法脱硫脱硝脱白技术（三合一）
一、简单介绍：
生物质锅炉脱硝设备多少钱
干法深度脱硫、脱硝、脱白（三合一）：其工艺流程为——将干粉脱硝剂、脱硫脱硝催化剂等直接喷入锅炉炉膛内部高温区，
直接在炉膛内部将NOx降到50mg/m3，SO2降到35mg/m3，本技术运行费用、用工少、无阻力，对锅炉无腐蚀，不需要建立脱硫塔，不需要做脱白，没有二次污染，
是目前适合生物质锅炉、链条炉、流化床炉、煤粉炉等深度脱硝的选择，干法脱硝技术，脱硝剂为纯干粉，不含水分，
炉内不产生HNO3和H2SO3，因此对锅炉没有腐蚀，用工少，1人w全可以c作，单台设备z大用电量22-15KW，起到了节能和g效的双重目的。
脱硝设备适用于锅炉和窑炉的类型：
锅炉：结构分：链条炉、往复炉、流化床炉、振动炉排
燃料分：煤、天然气、油、生物质、垃圾
功能分：热水、蒸汽、导热油、热风
窑炉：种类：隧道窑、旋转窑、回转窑、转盘窑、重烧窑、轻烧窑、竖窑、煅烧窑、焙烧窑、退火窑、焚烧窑、蓄热焚烧窑
行业：红砖、瓷砖、耐火砖、水泥、白灰、氧化镁、金属冶炼、轧钢
公司致力于参与环保、美化环境,丰富生活。引进新工艺，采用新技术，以市场为导向，不断地开发新产品。
生物质锅炉脱硝设备多少钱
厂家：13011997763
客户反应都很好，主要是设备达标而且设备的价格也不高，后期运行起来费用还很低。
建厂以来开发了环保系列脱硝产品：SNCR智能脱硝一体机，PNCR高分子智能脱硝一体机，SCR低温脱硝装置，高分子脱硝剂，催化剂。
公司以过硬的产品质量，优质的售后服务，合理的价格，赢得客户好评。本厂也可以根据客户不同的需求，按客户要求定制脱硝设备。
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磨业以及烧结机、回转窑、燃气炉各种工业锅炉等行业。
烟气干法脱硫脱硝脱白技术（三合一）
一、简单介绍：
生物质锅炉脱硝设备多少钱
干法深度脱硫、脱硝、脱白（三合一）：其工艺流程为——将干粉脱硝剂、脱硫脱硝催化剂等直接喷入锅炉炉膛内部高温区，
直接在炉膛内部将NOx降到50mg/m3，SO2降到35mg/m3，本技术运行费用、用工少、无阻力，对锅炉无腐蚀，不需要建立脱硫塔，不需要做脱白，没有二次污染，
是目前适合生物质锅炉、链条炉、流化床炉、煤粉炉等深度脱硝的选择，干法脱硝技术，脱硝剂为纯干粉，不含水分，
炉内不产生HNO3和H2SO3，因此对锅炉没有腐蚀，用工少，1人w全可以c作，单台设备z大用电量22-15KW，起到了节能和g效的双重目的。
脱硝设备适用于锅炉和窑炉的类型：
锅炉：结构分：链条炉、往复炉、流化床炉、振动炉排
燃料分：煤、天然气、油、生物质、垃圾
功能分：热水、蒸汽、导热油、热风
窑炉：种类：隧道窑、旋转窑、回转窑、转盘窑、重烧窑、轻烧窑、竖窑、煅烧窑、焙烧窑、退火窑、焚烧窑、蓄热焚烧窑
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电焊知识怎么学？
铜元素在地壳中的储量较小,但是铜及其合金却是人类史上应用最早的金属。历史学家
曾以铜器具为标志来划分人类社会的发展阶段铜器时代。现代工业上使用的铜及铜合
金,主要有工业纯铜、黄铜和青铜,白铜应用较少。
一、工业纯铜
1.工业纯铜的性能特点及途
工业纯铜(简称纯铜)呈玫瑰红色,表面氧化膜呈紫色,故又称紫铜,其纯度w=99.5%~99.9%,相对密度为8.96,熔点为1083℃,固态下具有面心立方晶格。纯铜具有仅次于银的优良导电性和导热性,是理想的导电和导热材料;纯铜又是抗磁性材料,对于制作不受外磁场干扰的磁性仪器、定位仪和其他防磁器械具有重要意义纯铜的化学稳定性较高,在非工业污染的大气、淡水等介质中均有良好的耐蚀性,在非氧化性酸溶液中也能耐蚀,而在氧化性酸(HNO3、浓H2SO4等)溶液以及各种盐类溶液(包括海水)中则易被腐蚀。
纯铜的塑性极好(8=50%),焊接性良好,能经受各种冷热加工成形(铸、焊、切削、压力加工),但强度、硬度都不高(退火状态下ob=200~250MPa,硬度为40-50HBW),在冷塑性变形后,有明显加工硬化现象;随着变形度的增加,强度可以提高到400-500MPa。但塑性指标8也急剧下降到5%。所以,如需继续冷变形时,须中间退火(再结晶退火)恢复塑性。
纯铜的主要杂质有Pb、Bi、O、S、As、P等,都可使导电性和工艺性降低,特别是B和Pb,须严格控制含量。因为Bi、Pb几乎不溶解于铜,分别形成熔点为270℃的共晶体(Cu Bi)和熔点为326℃的共晶体(CuPb),在热压力加工和焊接时,这些晶界上的共晶体就熔化,沿晶界开裂,产生“热脆”;另外,Bi本身很脆,在冷压力加工时也沿晶界开裂,出现“冷脆”。氧能与铜形成CuO,降低铜的塑性而引起冷脆;含氧铜在还原性气氛中加热还会产生“氢脆”#焊工培训##电焊工 ##电焊#
铜元素在地壳中的储量较小,但是铜及其合金却是人类史上应用最早的金属。历史学家
曾以铜器具为标志来划分人类社会的发展阶段铜器时代。现代工业上使用的铜及铜合
金,主要有工业纯铜、黄铜和青铜,白铜应用较少。
一、工业纯铜
1.工业纯铜的性能特点及途
工业纯铜(简称纯铜)呈玫瑰红色,表面氧化膜呈紫色,故又称紫铜,其纯度w=99.5%~99.9%,相对密度为8.96,熔点为1083℃,固态下具有面心立方晶格。纯铜具有仅次于银的优良导电性和导热性,是理想的导电和导热材料;纯铜又是抗磁性材料,对于制作不受外磁场干扰的磁性仪器、定位仪和其他防磁器械具有重要意义纯铜的化学稳定性较高,在非工业污染的大气、淡水等介质中均有良好的耐蚀性,在非氧化性酸溶液中也能耐蚀,而在氧化性酸(HNO3、浓H2SO4等)溶液以及各种盐类溶液(包括海水)中则易被腐蚀。
纯铜的塑性极好(8=50%),焊接性良好,能经受各种冷热加工成形(铸、焊、切削、压力加工),但强度、硬度都不高(退火状态下ob=200~250MPa,硬度为40-50HBW),在冷塑性变形后,有明显加工硬化现象;随着变形度的增加,强度可以提高到400-500MPa。但塑性指标8也急剧下降到5%。所以,如需继续冷变形时,须中间退火(再结晶退火)恢复塑性。
纯铜的主要杂质有Pb、Bi、O、S、As、P等,都可使导电性和工艺性降低,特别是B和Pb,须严格控制含量。因为Bi、Pb几乎不溶解于铜,分别形成熔点为270℃的共晶体(Cu Bi)和熔点为326℃的共晶体(CuPb),在热压力加工和焊接时,这些晶界上的共晶体就熔化,沿晶界开裂,产生“热脆”;另外,Bi本身很脆,在冷压力加工时也沿晶界开裂,出现“冷脆”。氧能与铜形成CuO,降低铜的塑性而引起冷脆;含氧铜在还原性气氛中加热还会产生“氢脆”#焊工培训##电焊工 ##电焊#
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