听到这样一个故事：
两个人在沙漠迷路了，只剩下半壶水。
一个人沮丧地说：“仅有半壶水了，万一喝完了还没走出去怎么办呢？”另一个人高兴地说：“真是太幸运了，还有半壶水，足够我走出沙漠了。”
同一件事，不同的心态，会产生不同的结果。
看问题的角度决定了一个人的生活质量，心中有光，即使身处低谷也终有成功的那一天。
有人说：“乐观主义者看见甜甜圈，悲观主义者只见孔中深渊。”
以积极心态生活，就会发现困境之中的美好；以消极心态生活，只会看见光明背后的阴影。
真正的智者，都懂得凡事往好处想，以欢喜心成就欢喜人生。即使狂风骤雨，也能闲庭信步；就算困顿暗淡，也要砥砺前行。
渐渐明白，最舒服的活法，不是事事都要如意，而是凡事往好处想，生活往简单过。
有人说：“生活简单，人就幸福，心若简单，人便快乐。”
有质量的人生，不是走向复杂的世故，而是回归到简单的天真。
高质量的人生，就是从复杂到简单。
有的人喜欢往生命中装入太多的东西，迷恋身外之物，计较利益得失，殊不知这未必是好事，反而会失去对生活的掌控。
与其终日在复杂琐碎的东西中纠缠，不如卸下负累，去过一种简单的生活。
给物质做减法，才能洞察生活本真，活出丰盈的精神世界。
给欲望做减法，才能不被虚妄名利所累，活出轻松自在的状态。
简单生活不是廉价生活，而是懂得删繁就简，专注想做的事。
有这样一句话：“我们终其一生都是为了找到自己，只有明白了取悦自己才是生活的意义，说明你已经走向了寻找自己的路上。”
人生在世，摒弃多余的东西，活好自己，开心就好。
有句话说：“你没有办法选择自己的出身，但是可以选择自己的活法。”
生活是自己的，虽然人生的开局无从选择，但是情节和结局却可以由自己决定。
一辈子很长，纵然有太多不如意，但生活还要继续。
遇事思虑过多，为太多俗事牵绊计较，只会给自己平添烦恼忧愁，活得又累又苦。
与其在筋疲力尽中暗自神伤，不如换种活法轻松面对，大多数事情都会迎刃而解。
人这一生，无论遇到何种状况，只要心中有爱，做事有取舍，就会有春暖花开的时候。
真正能让我们幸福快乐的，不是拥有越来越多，而是留住适合的。
凡事往好处想，把执拗的情绪释放得欢喜，人生才会幸福；生活往简单过，把繁复的生活过得简单，人生才会轻松。
人生下半场，做好当下事，以简单的心看待世间繁杂，不负自己，不枉此生。
两个人在沙漠迷路了，只剩下半壶水。
一个人沮丧地说：“仅有半壶水了，万一喝完了还没走出去怎么办呢？”另一个人高兴地说：“真是太幸运了，还有半壶水，足够我走出沙漠了。”
同一件事，不同的心态，会产生不同的结果。
看问题的角度决定了一个人的生活质量，心中有光，即使身处低谷也终有成功的那一天。
有人说：“乐观主义者看见甜甜圈，悲观主义者只见孔中深渊。”
以积极心态生活，就会发现困境之中的美好；以消极心态生活，只会看见光明背后的阴影。
真正的智者，都懂得凡事往好处想，以欢喜心成就欢喜人生。即使狂风骤雨，也能闲庭信步；就算困顿暗淡，也要砥砺前行。
渐渐明白，最舒服的活法，不是事事都要如意，而是凡事往好处想，生活往简单过。
有人说：“生活简单，人就幸福，心若简单，人便快乐。”
有质量的人生，不是走向复杂的世故，而是回归到简单的天真。
高质量的人生，就是从复杂到简单。
有的人喜欢往生命中装入太多的东西，迷恋身外之物，计较利益得失，殊不知这未必是好事，反而会失去对生活的掌控。
与其终日在复杂琐碎的东西中纠缠，不如卸下负累，去过一种简单的生活。
给物质做减法，才能洞察生活本真，活出丰盈的精神世界。
给欲望做减法，才能不被虚妄名利所累，活出轻松自在的状态。
简单生活不是廉价生活，而是懂得删繁就简，专注想做的事。
有这样一句话：“我们终其一生都是为了找到自己，只有明白了取悦自己才是生活的意义，说明你已经走向了寻找自己的路上。”
人生在世，摒弃多余的东西，活好自己，开心就好。
有句话说：“你没有办法选择自己的出身，但是可以选择自己的活法。”
生活是自己的，虽然人生的开局无从选择，但是情节和结局却可以由自己决定。
一辈子很长，纵然有太多不如意，但生活还要继续。
遇事思虑过多，为太多俗事牵绊计较，只会给自己平添烦恼忧愁，活得又累又苦。
与其在筋疲力尽中暗自神伤，不如换种活法轻松面对，大多数事情都会迎刃而解。
人这一生，无论遇到何种状况，只要心中有爱，做事有取舍，就会有春暖花开的时候。
真正能让我们幸福快乐的，不是拥有越来越多，而是留住适合的。
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#不尽经历风雨、怎能见彩虹#
王先生是一个月以前加入到叶生实战团队的，全程都由我本人一对一指导风控、现阶段以实现翻仓盈利的目标。目前为止账户盈利近两万美金，现计划准备申请加入实盘获得长久的指导资格。叶生认为这是一件值得高兴的事情，看到实盘客户赚钱时候洋溢的笑容，那么叶生来到这个市场的初衷就已经达到了。
我一直觉得我们相遇就是缘分，我也一直相信缘分，当初你们能够在茫茫人海找到叶生，说明我有吸引你的地方，并且相信叶生能够带领你们走向胜利，现在翻仓的小目标也是同样实现。翻仓一词对于某些人来说是遥不可及的梦，对于叶生实盘的朋友来说是唾手可得事情但仍需要各方面的配合和努力，你们可以从王先生的记录中看到，王先生翻仓其中的过程也并不是特别的顺利，因为状态不好出现连续损单的情况，我担主要责任，但好在王先生依旧相信叶生，相信叶生能够把损失的全部拿回来，叶生也是不负众望把失去的利润都加倍的拿了回来。
投资不是一朝一夕的事情，我相信未来我们将实现更大的盈利，实现更大目标。而我们现在要做的就是朝着这个目标努力前进，用自己的努力换取成功，每天快乐的跨越一小步，我相信不久之后我们这个大家庭终将到达彼岸！继续加油！
#黄金原油实时策略[超话]# #外汇黄金# #外汇原油#
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关于碳化硅，把我知道的都告诉你（上）
文章来源于启哥有何妙计 ，作者陈启
图片本文系基于公开资料撰写，仅作为信息交流之用，不构成任何投资建议。
碳化硅这个赛道，大约5年前，洒家就开始关注。国内大大小心的项目几乎全部都接触过，电话会议开了不知道多少场了，产业专家也聊过一大堆，各种研报和论文也刷了不知道多少篇了。几年下来，总算是有点心得。
4年前曾经写过一篇《华为布局第三代半导体，得碳化硅者得天下》，现在来看有些内容还是过时了。所以这次我把我所有知道的碳化硅知识内容全搬上来，供大家参考，欢迎探讨。
01、宽禁带半导体材料的优点
碳化硅，氮化镓有个很拉风的名字叫宽禁带半导体材料，国内也叫第三代半导体。它特指禁带宽度超过2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.34eV）；超过4.0eV叫超宽禁带半导体材料，国内叫第四代半导体材料，包括氮化铝（AlN），金刚石（C），氧化镓（Ga2O3）和氧化锌（ZnO），就是上上周美国搞制裁的那个，有意思的是美国只禁了氧化镓和金刚石，不提氮化铝和氧化锌，嘿嘿！说明他们这块不行，氮化铝可能还是日本和中国搞的出色些。
禁带宽度物理意义是实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量，自由电子获得足够的能量后能跃迁到导带，这个能量最小值就是禁带宽度。
禁带宽度直接决定着器件的耐压和最高工作温度，因此禁带宽度大的材料更适合高温高压场景。
相比之下硅禁带宽度只有1.12eV，碳化硅有三倍于硅的禁带宽度，因此承受同样电压的器件，碳化硅器件的面积要比硅器件小的多，只有1/10，电压越高面积比越明显，或者说同样面积下，碳化硅的耐压比硅强很多。
我们可以总结以下几点优点：
1、宽禁带半导体材料的禁带宽度大，击穿电场强度高，大大增加了宽禁带器件能够承受的峰值电压，器件的输出功率可以大大提高；
2、宽禁带材料具有高导热性、高化学稳定性等优点。使功率器件能够在更恶劣的环境下工作，大大提高了系统的稳定性和可靠性;
3、宽禁带材料具有优异的抗辐射能力。在辐射环境下，宽禁带器件的辐射稳定性比硅器件高10~100倍，是制作耐高温、抗辐射的大功率微波功率器件的优良材料。
4、由于宽禁带半导体器件的结温较高，它们可以在冷却条件差、热设计保证差的环境中稳定工作。
其中半绝缘型碳化硅上主要是长氮化镓外延层制造用于射频和光电器件，导电型碳化硅衬底上长同质碳化硅外延层用来做功率半导体，两者材料应用有区别。
特别是碳化硅基氮化镓，因此氮化镓衬底实在太贵了，而且碳化硅和氮化镓有非常优异的晶格匹配度超过95%，因此碳化硅上能长出高质量的氮化镓外延层，因此氮化镓外延片把碳化硅当做最好的衬底。
这就是碳化硅一材两用，得碳化硅者得天下的说法来源。
综上所述碳化硅在大功率器件制造领域，优点比硅多太多了。
从现实而言，确实硅材料的潜力基本已经被挖的差不多了，因此对材料提出了更高的诉求，于是才有碳化硅，氮化镓材料的用武之地。
碳化硅为什么会进入高速发展阶段？
人类历史上第一次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长达70多年。
2001年的时候英飞凌就做出了第一只碳化硅二极管，然后Cree，罗姆，ST等公司也相继进入碳化硅领域，做出了碳化硅二极管，三极管，MOSFET管等，有少量科研机构用研发过碳化硅IGBT结构，但是IGBT结构的一时半刻找不到应用场景。
以前大家都知道碳化硅很好，但是问题也很多，第一长晶技术不成熟，晶体内缺陷太多，严重影响良率和稳定性，可靠性；其次是不知道应用场景，因为碳化硅器件虽然性能强，但是太贵，找不到一个很适合的商业落点。
但是这一切都被特斯拉改变，特斯拉是业内第一个提出使用碳化硅替代硅的车企，并且大胆用到特斯拉的毛豆3上，随后其他车厂纷纷效仿，碳化硅迎来大规模上车的阶段，因此业内认为碳化硅发展元年是在2019年，特斯拉这一大胆的举动，拉开了碳化高速发展的序幕。
深入研究大家发现，碳化硅各种特性完美契合汽车应用。耐高温，耐高压，优秀的高频开关能力，过大电流的能力。最关键是使用碳化硅后，能减少周围电路元件用料，这样设计大大简化，重量和体积减少非常多。
丰田曾经在7年前展示过碳化硅的模组，相比硅方案，碳化硅方案仅为传统硅方案的体积的1/5，重量减轻35%，电力损耗从20%降低到5%，理论上能提升10%的经济性，优点还是相当明显的。
最关键的是，汽车整车价值量较高，能够覆盖碳化硅较高的成本，于是碳化硅找到了汽车这一完美的落地场景，开始加速发展。
02、碳化硅现在面临的缺点和掣肘是什么？
碳化硅优点很多，但是目前也仅仅是一个小汽车应用场景上使用，还是无法大规模替代硅功率器件，业内从技术和产业角度来理解有以下这些问题。
首先碳化硅这种材料，在自然界是没有的，必须人工合成，结果必然是成本远远高于可以自然开采的材料，而且碳化硅升华熔点约2700度，且没有液态，只有固态和气态，因此注定不能用类似拉单晶的切克劳斯基法（CZ法）制备，因此第一步晶体生长技术卡住了第一步也是最关键的一步，导致原材料价格过于昂贵。
因此碳化硅6英寸衬底高达1000美金，而6英寸硅片为23美金（150元），两者实在差太多了。
缺乏高效长晶技术导致衬底片成本过于高昂，第二器件工艺还不是很完善，同时专用设备也不是很完善，又贵又少，导致FAB厂产能还没有完全扩出来，总之就是量太小，衬底价格高，工艺不成熟，导致碳化硅器件太贵，制约了大规模应用，只能在小众高端领域使用。
文章来源于启哥有何妙计 ，作者陈启
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碳化硅这个赛道，大约5年前，洒家就开始关注。国内大大小心的项目几乎全部都接触过，电话会议开了不知道多少场了，产业专家也聊过一大堆，各种研报和论文也刷了不知道多少篇了。几年下来，总算是有点心得。
4年前曾经写过一篇《华为布局第三代半导体，得碳化硅者得天下》，现在来看有些内容还是过时了。所以这次我把我所有知道的碳化硅知识内容全搬上来，供大家参考，欢迎探讨。
01、宽禁带半导体材料的优点
碳化硅，氮化镓有个很拉风的名字叫宽禁带半导体材料，国内也叫第三代半导体。它特指禁带宽度超过2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.34eV）；超过4.0eV叫超宽禁带半导体材料，国内叫第四代半导体材料，包括氮化铝（AlN），金刚石（C），氧化镓（Ga2O3）和氧化锌（ZnO），就是上上周美国搞制裁的那个，有意思的是美国只禁了氧化镓和金刚石，不提氮化铝和氧化锌，嘿嘿！说明他们这块不行，氮化铝可能还是日本和中国搞的出色些。
禁带宽度物理意义是实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量，自由电子获得足够的能量后能跃迁到导带，这个能量最小值就是禁带宽度。
禁带宽度直接决定着器件的耐压和最高工作温度，因此禁带宽度大的材料更适合高温高压场景。
相比之下硅禁带宽度只有1.12eV，碳化硅有三倍于硅的禁带宽度，因此承受同样电压的器件，碳化硅器件的面积要比硅器件小的多，只有1/10，电压越高面积比越明显，或者说同样面积下，碳化硅的耐压比硅强很多。
我们可以总结以下几点优点：
1、宽禁带半导体材料的禁带宽度大，击穿电场强度高，大大增加了宽禁带器件能够承受的峰值电压，器件的输出功率可以大大提高；
2、宽禁带材料具有高导热性、高化学稳定性等优点。使功率器件能够在更恶劣的环境下工作，大大提高了系统的稳定性和可靠性;
3、宽禁带材料具有优异的抗辐射能力。在辐射环境下，宽禁带器件的辐射稳定性比硅器件高10~100倍，是制作耐高温、抗辐射的大功率微波功率器件的优良材料。
4、由于宽禁带半导体器件的结温较高，它们可以在冷却条件差、热设计保证差的环境中稳定工作。
其中半绝缘型碳化硅上主要是长氮化镓外延层制造用于射频和光电器件，导电型碳化硅衬底上长同质碳化硅外延层用来做功率半导体，两者材料应用有区别。
特别是碳化硅基氮化镓，因此氮化镓衬底实在太贵了，而且碳化硅和氮化镓有非常优异的晶格匹配度超过95%，因此碳化硅上能长出高质量的氮化镓外延层，因此氮化镓外延片把碳化硅当做最好的衬底。
这就是碳化硅一材两用，得碳化硅者得天下的说法来源。
综上所述碳化硅在大功率器件制造领域，优点比硅多太多了。
从现实而言，确实硅材料的潜力基本已经被挖的差不多了，因此对材料提出了更高的诉求，于是才有碳化硅，氮化镓材料的用武之地。
碳化硅为什么会进入高速发展阶段？
人类历史上第一次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长达70多年。
2001年的时候英飞凌就做出了第一只碳化硅二极管，然后Cree，罗姆，ST等公司也相继进入碳化硅领域，做出了碳化硅二极管，三极管，MOSFET管等，有少量科研机构用研发过碳化硅IGBT结构，但是IGBT结构的一时半刻找不到应用场景。
以前大家都知道碳化硅很好，但是问题也很多，第一长晶技术不成熟，晶体内缺陷太多，严重影响良率和稳定性，可靠性；其次是不知道应用场景，因为碳化硅器件虽然性能强，但是太贵，找不到一个很适合的商业落点。
但是这一切都被特斯拉改变，特斯拉是业内第一个提出使用碳化硅替代硅的车企，并且大胆用到特斯拉的毛豆3上，随后其他车厂纷纷效仿，碳化硅迎来大规模上车的阶段，因此业内认为碳化硅发展元年是在2019年，特斯拉这一大胆的举动，拉开了碳化高速发展的序幕。
深入研究大家发现，碳化硅各种特性完美契合汽车应用。耐高温，耐高压，优秀的高频开关能力，过大电流的能力。最关键是使用碳化硅后，能减少周围电路元件用料，这样设计大大简化，重量和体积减少非常多。
丰田曾经在7年前展示过碳化硅的模组，相比硅方案，碳化硅方案仅为传统硅方案的体积的1/5，重量减轻35%，电力损耗从20%降低到5%，理论上能提升10%的经济性，优点还是相当明显的。
最关键的是，汽车整车价值量较高，能够覆盖碳化硅较高的成本，于是碳化硅找到了汽车这一完美的落地场景，开始加速发展。
02、碳化硅现在面临的缺点和掣肘是什么？
碳化硅优点很多，但是目前也仅仅是一个小汽车应用场景上使用，还是无法大规模替代硅功率器件，业内从技术和产业角度来理解有以下这些问题。
首先碳化硅这种材料，在自然界是没有的，必须人工合成，结果必然是成本远远高于可以自然开采的材料，而且碳化硅升华熔点约2700度，且没有液态，只有固态和气态，因此注定不能用类似拉单晶的切克劳斯基法（CZ法）制备，因此第一步晶体生长技术卡住了第一步也是最关键的一步，导致原材料价格过于昂贵。
因此碳化硅6英寸衬底高达1000美金，而6英寸硅片为23美金（150元），两者实在差太多了。
缺乏高效长晶技术导致衬底片成本过于高昂，第二器件工艺还不是很完善，同时专用设备也不是很完善，又贵又少，导致FAB厂产能还没有完全扩出来，总之就是量太小，衬底价格高，工艺不成熟，导致碳化硅器件太贵，制约了大规模应用，只能在小众高端领域使用。
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