天台宗
来源：登封市人民政府 时间：2010-12-09 11:28:00
中国佛教宗派。因创始人智顗常住浙江天台山而得名。其教义主要依据《妙法莲华经》，故亦也称法华宗。史略天台宗学统自称是龙树、慧文、慧思、智顗、灌顶、智威、玄朗、湛然九祖相承。该宗思想，虽肇于龙树，实则启蒙于北齐慧文。他从《大智度论》卷二十七关于解释《大品》“道种智”、“一切智”和“一切种智”之文，悟解到三智“一心中得”的道理，又结合《中论·观四谛品》的三是偈：“因缘所生法，我说即是空，亦为是假名，亦是中道义”，确立了一心中观空、观假、观中的“一心三观”理论。慧思继承此说，并结合《妙法莲华经》要义，又阐发“诸法实相”之说，慧思兼重定慧，实为以后天台宗止观双修的起缘。后慧思传智顗，智顗再发挥，终于形成以“一念三千”和“三谛圆融”为中心思想的独立学派。智顗一本师传的宗旨，教观总持，解行并进，一变当时南义北禅的佛教学风。著作主要有《法华玄义》、《法华文句》、《摩诃止观》，世称天台三大部。弟子灌顶得其真传，作《涅槃玄义》和《涅槃经疏》，很有发挥。灌顶以后，四传到湛然，以中兴天台宗为已任，对天台三大部都有翔实注解，发挥三谛圆融的义理。又针对华严宗、法相宗和禅宗，写了《金刚錍》、《法华五百问论》和《止观义例》等著作，提出了无情有性的观点，虽不免门户之见，但对天台宗以后的发展有很大影响。湛然的弟子有道邃、行满等。经过会昌禁佛和五代之乱，典籍湮没殆尽，遂一蹶不振。道邃下五传弟子义寂，通过吴越王钱俶遣使到高丽、日本访求天台宗典籍，高丽派谛观送来教典等，才使该宗学说得以延续和发展。义寂的再传弟子知礼，因受同学之请，撰《释难扶宗记》，驳同门另一僧人晤恩等以《金光明经玄义》广本为伪作而引起了一场历时七年的山家、山外之争。争论的焦点是：真心观还是妄心观，色法具否三千等问题。山家主张妄心观与色心共具三千；山外相反，主张真心观，色法不具三千。山外的主张有些接近华严宗的教观，被山家斥为不纯，不久即衰。这次争论记载在《四明十义书》中。天台宗在元、明两代式微。明末有智旭自“私淑台宗”，著《法华会义》等多种，对天台教观颇有发挥。晚近有谛闲著《大乘止观述记》等十余种。经典与判教以《妙法莲华经》为宗旨，《大智度论》作指南，《大般涅槃经》为扶疏，《大般若经》为观法。智顗的天台三大部，是该宗的根本典籍。智顗判佛一代说法为五时八教。五时即华严时、阿含时、方等时、般若时、法华涅槃时。这是根据《大般涅槃经》中从牛出乳、从乳出酪，次第而出生酥、熟酥、醍醐五味的譬喻而立的。乳譬第一华严时，说《华严经》；酪譬第二鹿苑时，说“阿含经”；生酥喻第三方等时，说《大方等大集经》、《宝积经》、《维摩经》、《楞伽经》、《胜鬘经》等；熟酥喻第四般若时，说《般若经》；醍醐喻第五法华涅槃时，说《妙法莲华经》、《大般涅槃经》。这是佛陀在不同时机、对不同听众分五个阶段说出的五类不同教法，叫“别义五时”。又佛陀宣说教法，并非按五大类绝对分界，而是将华严的义理分散在各个时教，如在鹿苑时里，就间说到无相教法等，表明各时相互融通，谓之“通义五时”。从佛陀教法的方式方面判为化仪四教，从其内容方面判为化法四教，合称八教。化仪四教为顿、秘密、不定。配合五时，佛陀对具有高深教理知识的众生说《华严经》，令其顿悟究竟教理，为顿；佛陀对教理知识较差的众生渐次说《阿含经》（鹿苑时）、《大方等大集经》、《大般若经》，使其由浅入深，转小向大，渐次深悟教理，为渐；在顿、渐中都有秘密和不定二教，秘密与不定只是显与隐的区别，同席听讲，各自悟解的教理浅深不同，或顿或渐，隐而互不相知的为秘密教；显而互知的为不定教；到了讲《妙法莲华经》、《大般涅槃经》时，听众已经成熟，佛陀演教超出于方式之外，称之为非顿、非渐、非秘密、非不定。化法四教为藏、通、别、圆，与五时所说诸经相配，《华严经》就是圆教，并兼别教。鹿苑时“阿含经”是藏教，小乘奉为圭臬。《大方等大集经》没有一定，四教比较对说，看其所对而异，是别教。《般若经》中诸部般若，是阐明通、别、圆三教的，称为通教。最后《妙法莲华经》、《大般涅槃经》专显圆理，是纯圆教。理论此宗的主要思想是实相和止观，以实相阐明理论，用止观指导实修。实相渊源于南岳慧思。他建立“十如”(即如是相、如是性、如是体、如是力、如是作、如是因、如是缘、如是果、如是报、如是本末究竟)的诸法实相说。智顗用以与十法界（即佛、菩萨、缘觉、声闻四圣与天、人、阿修罗、畜生、饿鬼、地狱六凡）、三种世间（即五阴世间、众生世间、依报国土世间）等相配，构成“一念三千”的理论。认为一心具有十法界，十法界一一互具成百法界。而十法界又各具有三种世间，成三十种世间。依此推算，百法界就具有三千种世间。这三千种世间，都不过是具在介尔（微细）一念心中，谓之“一念三千”，亦名“性具”，或名“理具”。依此理具三千，而有事造三千。智顗又用此三千诸法为介尔现前一念心的所观之境，进而联系慧文的“一心三观”来考察，认为一切事物都由因缘所生，没有固定不变的实体，即空；但从另一方面来看，又是相貌宛然，即假；空、假原是诸法一体的两个对立侧面，从全体看不应偏于任何一面，空即假，假即空，空假不二即是中。空、假、中同时具于一念，叫做“一念三千空假中”。空、假、中都是真实，称为三谛。三即一，一即三，三一融通无障无碍，是为三谛圆融。修此一念三千空、假、中的三谛圆融，见空为一切智，见假为道种智，见中为一切种智。所以三谛圆融也就是三智圆融。通过圆修三谛，达到顿断三惑，圆证三智，此即天台宗的中心理论。用此一念三千和三谛圆融两层实相说作为观法修行，即观三千、三谛诸法具于现前介尔阴妄一念之心，心即诸法，诸法即心，心法一体，无待绝待，谓之“观不思议境”，此中能观之智对所观之境为第一重能所，能观智境对所观阴妄一念为第二重能所，这是总观。另有九种助观，即真正发菩提心、善巧安心、破法遍、识通塞、道品调适，对治助开、知位次、能安忍、离法爱等。合称十乘观法。是为天台宗的圆顿止观（禅法）。止观是融为一体的。止是定，观是慧，摄（散）心入止为定，静明观照为慧，止中有观，观中有止。“止观明静”，即含止观并运、定慧力等之意。影响该宗是中国佛教最早创立的一个宗派。它集合南北各家义学和禅观之说，加以整理和发展而成一家之言，当时得到朝野的支持和信奉，对隋唐以后成立的各宗派多有影响。元明以后，该宗学者往往兼倡并净土，形成“教在天台，行归净土”之风。该宗在汉族地区虽几经兴衰，但仍廷续至今不绝。9世纪初，日本僧人最澄将此宗传到日本，在平安时代（784～1192），与真言宗并列发展，史称“平安二宗”。13世纪由此宗分出日莲宗。当今，日本天台本宗、日莲宗都很兴旺，而日莲宗在20世纪又分出几个新兴教派。 https://t.cn/ROPJ7v2
来源：登封市人民政府 时间：2010-12-09 11:28:00
中国佛教宗派。因创始人智顗常住浙江天台山而得名。其教义主要依据《妙法莲华经》，故亦也称法华宗。史略天台宗学统自称是龙树、慧文、慧思、智顗、灌顶、智威、玄朗、湛然九祖相承。该宗思想，虽肇于龙树，实则启蒙于北齐慧文。他从《大智度论》卷二十七关于解释《大品》“道种智”、“一切智”和“一切种智”之文，悟解到三智“一心中得”的道理，又结合《中论·观四谛品》的三是偈：“因缘所生法，我说即是空，亦为是假名，亦是中道义”，确立了一心中观空、观假、观中的“一心三观”理论。慧思继承此说，并结合《妙法莲华经》要义，又阐发“诸法实相”之说，慧思兼重定慧，实为以后天台宗止观双修的起缘。后慧思传智顗，智顗再发挥，终于形成以“一念三千”和“三谛圆融”为中心思想的独立学派。智顗一本师传的宗旨，教观总持，解行并进，一变当时南义北禅的佛教学风。著作主要有《法华玄义》、《法华文句》、《摩诃止观》，世称天台三大部。弟子灌顶得其真传，作《涅槃玄义》和《涅槃经疏》，很有发挥。灌顶以后，四传到湛然，以中兴天台宗为已任，对天台三大部都有翔实注解，发挥三谛圆融的义理。又针对华严宗、法相宗和禅宗，写了《金刚錍》、《法华五百问论》和《止观义例》等著作，提出了无情有性的观点，虽不免门户之见，但对天台宗以后的发展有很大影响。湛然的弟子有道邃、行满等。经过会昌禁佛和五代之乱，典籍湮没殆尽，遂一蹶不振。道邃下五传弟子义寂，通过吴越王钱俶遣使到高丽、日本访求天台宗典籍，高丽派谛观送来教典等，才使该宗学说得以延续和发展。义寂的再传弟子知礼，因受同学之请，撰《释难扶宗记》，驳同门另一僧人晤恩等以《金光明经玄义》广本为伪作而引起了一场历时七年的山家、山外之争。争论的焦点是：真心观还是妄心观，色法具否三千等问题。山家主张妄心观与色心共具三千；山外相反，主张真心观，色法不具三千。山外的主张有些接近华严宗的教观，被山家斥为不纯，不久即衰。这次争论记载在《四明十义书》中。天台宗在元、明两代式微。明末有智旭自“私淑台宗”，著《法华会义》等多种，对天台教观颇有发挥。晚近有谛闲著《大乘止观述记》等十余种。经典与判教以《妙法莲华经》为宗旨，《大智度论》作指南，《大般涅槃经》为扶疏，《大般若经》为观法。智顗的天台三大部，是该宗的根本典籍。智顗判佛一代说法为五时八教。五时即华严时、阿含时、方等时、般若时、法华涅槃时。这是根据《大般涅槃经》中从牛出乳、从乳出酪，次第而出生酥、熟酥、醍醐五味的譬喻而立的。乳譬第一华严时，说《华严经》；酪譬第二鹿苑时，说“阿含经”；生酥喻第三方等时，说《大方等大集经》、《宝积经》、《维摩经》、《楞伽经》、《胜鬘经》等；熟酥喻第四般若时，说《般若经》；醍醐喻第五法华涅槃时，说《妙法莲华经》、《大般涅槃经》。这是佛陀在不同时机、对不同听众分五个阶段说出的五类不同教法，叫“别义五时”。又佛陀宣说教法，并非按五大类绝对分界，而是将华严的义理分散在各个时教，如在鹿苑时里，就间说到无相教法等，表明各时相互融通，谓之“通义五时”。从佛陀教法的方式方面判为化仪四教，从其内容方面判为化法四教，合称八教。化仪四教为顿、秘密、不定。配合五时，佛陀对具有高深教理知识的众生说《华严经》，令其顿悟究竟教理，为顿；佛陀对教理知识较差的众生渐次说《阿含经》（鹿苑时）、《大方等大集经》、《大般若经》，使其由浅入深，转小向大，渐次深悟教理，为渐；在顿、渐中都有秘密和不定二教，秘密与不定只是显与隐的区别，同席听讲，各自悟解的教理浅深不同，或顿或渐，隐而互不相知的为秘密教；显而互知的为不定教；到了讲《妙法莲华经》、《大般涅槃经》时，听众已经成熟，佛陀演教超出于方式之外，称之为非顿、非渐、非秘密、非不定。化法四教为藏、通、别、圆，与五时所说诸经相配，《华严经》就是圆教，并兼别教。鹿苑时“阿含经”是藏教，小乘奉为圭臬。《大方等大集经》没有一定，四教比较对说，看其所对而异，是别教。《般若经》中诸部般若，是阐明通、别、圆三教的，称为通教。最后《妙法莲华经》、《大般涅槃经》专显圆理，是纯圆教。理论此宗的主要思想是实相和止观，以实相阐明理论，用止观指导实修。实相渊源于南岳慧思。他建立“十如”(即如是相、如是性、如是体、如是力、如是作、如是因、如是缘、如是果、如是报、如是本末究竟)的诸法实相说。智顗用以与十法界（即佛、菩萨、缘觉、声闻四圣与天、人、阿修罗、畜生、饿鬼、地狱六凡）、三种世间（即五阴世间、众生世间、依报国土世间）等相配，构成“一念三千”的理论。认为一心具有十法界，十法界一一互具成百法界。而十法界又各具有三种世间，成三十种世间。依此推算，百法界就具有三千种世间。这三千种世间，都不过是具在介尔（微细）一念心中，谓之“一念三千”，亦名“性具”，或名“理具”。依此理具三千，而有事造三千。智顗又用此三千诸法为介尔现前一念心的所观之境，进而联系慧文的“一心三观”来考察，认为一切事物都由因缘所生，没有固定不变的实体，即空；但从另一方面来看，又是相貌宛然，即假；空、假原是诸法一体的两个对立侧面，从全体看不应偏于任何一面，空即假，假即空，空假不二即是中。空、假、中同时具于一念，叫做“一念三千空假中”。空、假、中都是真实，称为三谛。三即一，一即三，三一融通无障无碍，是为三谛圆融。修此一念三千空、假、中的三谛圆融，见空为一切智，见假为道种智，见中为一切种智。所以三谛圆融也就是三智圆融。通过圆修三谛，达到顿断三惑，圆证三智，此即天台宗的中心理论。用此一念三千和三谛圆融两层实相说作为观法修行，即观三千、三谛诸法具于现前介尔阴妄一念之心，心即诸法，诸法即心，心法一体，无待绝待，谓之“观不思议境”，此中能观之智对所观之境为第一重能所，能观智境对所观阴妄一念为第二重能所，这是总观。另有九种助观，即真正发菩提心、善巧安心、破法遍、识通塞、道品调适，对治助开、知位次、能安忍、离法爱等。合称十乘观法。是为天台宗的圆顿止观（禅法）。止观是融为一体的。止是定，观是慧，摄（散）心入止为定，静明观照为慧，止中有观，观中有止。“止观明静”，即含止观并运、定慧力等之意。影响该宗是中国佛教最早创立的一个宗派。它集合南北各家义学和禅观之说，加以整理和发展而成一家之言，当时得到朝野的支持和信奉，对隋唐以后成立的各宗派多有影响。元明以后，该宗学者往往兼倡并净土，形成“教在天台，行归净土”之风。该宗在汉族地区虽几经兴衰，但仍廷续至今不绝。9世纪初，日本僧人最澄将此宗传到日本，在平安时代（784～1192），与真言宗并列发展，史称“平安二宗”。13世纪由此宗分出日莲宗。当今，日本天台本宗、日莲宗都很兴旺，而日莲宗在20世纪又分出几个新兴教派。 https://t.cn/ROPJ7v2
写给岁月，写给自己
文丨琉璃疏影
人生如旅，生命在时光的轮上转了一圈又一圈。蓦然回首时，忽然发现，生命里痛过的早就好了伤疤，路过的也都成了美景。
原来，人间正道是沧桑，生活一直如此美好，赠你黯然，必会予你明媚。
虽然那些青葱的岁月，总是让人怀念与留恋。可是，与年少时候相比，我更喜欢现在的自己。
现在的我，尽管缺少了小姑娘左顾右盼的娇羞、粉里透红的脸蛋、杨柳一般的盈盈细腰，人却变得更加成熟，人生变得更加丰富多姿。
岁月，因经历而厚重。它已经把我从不谙世事的小女孩，变成了有思想、有主见的小女人。
驻足于喧嚣的俗世，知道让自己随遇而安，也知道该柔软的时候，能微笑着沉默。
回眸，曾经的天真与执拗，早已被岁月磨尽，骨子里多了一份宠辱不惊的从容。出则风起云涌，入则贤良安端。
纵使，生活忙忙碌碌，也可以让每一个平凡的日子安恬静怡，充满诗意。
途经沧桑，尝尽百味，再也不会在乎别人的品头论足。凡事，看淡，看轻，自己喜欢就好。
风雨兼程的路上，我会爱人，但从不缠人；会为爱的人放下一切，但不会没有了自我。
现在的我，可以很乖很温柔很娴静，却也可以自由到不看任何人的脸色行事；我可以在情感上拿得起，也可以放得下；是我的不拒绝，不是我的，也不会去强求。
生命那么短，随缘聚散，随遇而安，就好。
经历过悲欢离合，爱恨幽怨。已经明白，爱的基础是友谊，因为懂得，所以倍加珍惜。爱你，我们是情侣；不爱，我们还是朋友。
繁华流年中，即使跋山涉水，再也不会畏惧未来所有的风雨。我会逆流而上，追寻自己想要的东西；也会顺流而下，任一切自自然然，尘埃落定。
面对人生，再也不会去计较得到与失去的多与少，再也不会去关心聚散与离合的喜与悲。成功或失败，真的不是那么重要。
再繁华的过往，都将如云烟一样，变淡变远。能留下来的，只有自己的一颗素心，还有那一个已经百毒不侵的自己。
纵使沧桑，再也不会轻易纵容悲伤。会时常提醒自己，不要跌入虚空的泥潭，而自哀自怜。对于每一季的轮回，会一直心怀感激。
它虽然让我失去了很多，却也馈赠了我很多。
有失才有得，没有付出，哪有收获？所以，一直在珍惜着所有该珍惜的，哪怕是一片落叶、一缕微风。
从容之后，觉得现在的时光，好美好美。是它褪去我青涩的味道，将我打磨得像红酒一样，散发着醉人的清香。
曾经的那些青春，那些绚烂，且让它们随岁月流逝。而我，依然携一颗初心的温婉，不俗，不媚，只为懂得的人低眉。知道自己可以不漂亮，却不可以不温柔。漂亮能怎样？不漂亮又能怎样？还不是照样都离不开柴米油盐，一日三餐？
有时候觉得，容貌的改变，真的不如想象中那般重要。弱水三千，我只取一瓢饮。
感谢岁月，让我走过夏花绚烂，走进秋叶静美。因为懂得，所以慈悲！因为爱，所以宽容。
文丨琉璃疏影
人生如旅，生命在时光的轮上转了一圈又一圈。蓦然回首时，忽然发现，生命里痛过的早就好了伤疤，路过的也都成了美景。
原来，人间正道是沧桑，生活一直如此美好，赠你黯然，必会予你明媚。
虽然那些青葱的岁月，总是让人怀念与留恋。可是，与年少时候相比，我更喜欢现在的自己。
现在的我，尽管缺少了小姑娘左顾右盼的娇羞、粉里透红的脸蛋、杨柳一般的盈盈细腰，人却变得更加成熟，人生变得更加丰富多姿。
岁月，因经历而厚重。它已经把我从不谙世事的小女孩，变成了有思想、有主见的小女人。
驻足于喧嚣的俗世，知道让自己随遇而安，也知道该柔软的时候，能微笑着沉默。
回眸，曾经的天真与执拗，早已被岁月磨尽，骨子里多了一份宠辱不惊的从容。出则风起云涌，入则贤良安端。
纵使，生活忙忙碌碌，也可以让每一个平凡的日子安恬静怡，充满诗意。
途经沧桑，尝尽百味，再也不会在乎别人的品头论足。凡事，看淡，看轻，自己喜欢就好。
风雨兼程的路上，我会爱人，但从不缠人；会为爱的人放下一切，但不会没有了自我。
现在的我，可以很乖很温柔很娴静，却也可以自由到不看任何人的脸色行事；我可以在情感上拿得起，也可以放得下；是我的不拒绝，不是我的，也不会去强求。
生命那么短，随缘聚散，随遇而安，就好。
经历过悲欢离合，爱恨幽怨。已经明白，爱的基础是友谊，因为懂得，所以倍加珍惜。爱你，我们是情侣；不爱，我们还是朋友。
繁华流年中，即使跋山涉水，再也不会畏惧未来所有的风雨。我会逆流而上，追寻自己想要的东西；也会顺流而下，任一切自自然然，尘埃落定。
面对人生，再也不会去计较得到与失去的多与少，再也不会去关心聚散与离合的喜与悲。成功或失败，真的不是那么重要。
再繁华的过往，都将如云烟一样，变淡变远。能留下来的，只有自己的一颗素心，还有那一个已经百毒不侵的自己。
纵使沧桑，再也不会轻易纵容悲伤。会时常提醒自己，不要跌入虚空的泥潭，而自哀自怜。对于每一季的轮回，会一直心怀感激。
它虽然让我失去了很多，却也馈赠了我很多。
有失才有得，没有付出，哪有收获？所以，一直在珍惜着所有该珍惜的，哪怕是一片落叶、一缕微风。
从容之后，觉得现在的时光，好美好美。是它褪去我青涩的味道，将我打磨得像红酒一样，散发着醉人的清香。
曾经的那些青春，那些绚烂，且让它们随岁月流逝。而我，依然携一颗初心的温婉，不俗，不媚，只为懂得的人低眉。知道自己可以不漂亮，却不可以不温柔。漂亮能怎样？不漂亮又能怎样？还不是照样都离不开柴米油盐，一日三餐？
有时候觉得，容貌的改变，真的不如想象中那般重要。弱水三千，我只取一瓢饮。
感谢岁月，让我走过夏花绚烂，走进秋叶静美。因为懂得，所以慈悲！因为爱，所以宽容。
【又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅 如何跑得更快更远 - 原创 ZeR0 芯东西 2022-7-04 发表于北京】
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
『又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅』https://t.cn/A6SAXrmu
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
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