“网曝石家庄灵寿县启政建材公司存在环保措施不到位、压占农田等问题”事件舆情分析
近日，新浪微博、腾讯新闻企鹅号、微信等平台流传有一则图文爆料称，石家庄灵寿县塔上镇许家村附近有一家名为灵寿县启政建材公司的建材厂，生产中环保措施不到位，砂石料厂没有围挡、没有覆盖，甚至压占了周边农田，破坏耕地。爆料称，该建材厂位于塔上镇许家村西北侧，紧邻S241省道，路边的一些砂石料用苫布进行了简单的覆盖。建材公司西南角堆放有大量石料及建材细骨料，现场铲车等机器在露天作业，堆料场周围没有围挡、覆盖、喷淋、雾炮、除尘器等环保设施。
因为建材公司作业简单粗暴，且没有围挡和遮盖，一些砂石料随意堆放，已经侵占了周边的农田。有村民说部分被压占的耕地无法耕种，只得租给建材公司，于是他们的堆料越堆越远，越占越多，村民有苦难言。爆料称根据有关法律规定，严禁“以租代征”，违法占用耕地。而塔上镇许家村这家建材公司不断“蚕食”周边土地，压占村民耕地，破坏了土地耕种层，致使农田无法耕种，“当地有关部门为何视而不见？着实让人费解！”截至5月16日15时，相关事件传播量达到115条。
分析师点评：
该事件涉及“扬尘污染”“大气防治”“耕地保护”等敏感议题，并在文中直指当地有关部门“视而不见”、监管缺位，存在一定舆情隐患。
具体来看， 一是爆料中图文详尽，相应图片展现出厂区内未苫盖围挡的砂石料堆积成山、蔓延至周围植被的场景，印证文中所言的同时，易刺激公众敏感神经，使其对周围环境受到的污染感到忧虑，对附近村民的遭遇表示同情，并引发公众对涉事企业的行为进行追责的舆论导向。
二是近年来，全国各地大力开展耕地保护，筑牢粮食安全屏障，耕地保护话题频频受到关注。在此背景下，爆料称村民耕地因涉事企业违法行为受损无法耕种，只能反租给涉事企业，而涉事企业侵占的耕地也因此变得范围越来越大，这样的恶性循环与“耕地保护，寸土必‘珍’”的共识相违背，易于引发关注，并与近期耕地保护热点问题形成关联，舆情进一步扩散的风险不容忽视。
三是文章末尾直接将矛头指向政府监管部门，基于图文详实的举报内容，舆论对文章中监管缺位的质疑更易于采信，进而促使公众进一步追责有关部门政策落实不到位、不作为等方面，损害相关政府部门的公信力。
四是该事件目前尚未进行回应，舆情仍在持续发酵，存在后续炒作的风险。对此，建议涉事地区及相关部门及时进行线下核查，依法依规处理，杜绝后续发酵风险，并对后续事件传播态势保持关注，谨防舆情升级。相关部门亦应加强舆情意识，加强辖区内相关舆情线索的监测与研判。
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近日，新浪微博、腾讯新闻企鹅号、微信等平台流传有一则图文爆料称，石家庄灵寿县塔上镇许家村附近有一家名为灵寿县启政建材公司的建材厂，生产中环保措施不到位，砂石料厂没有围挡、没有覆盖，甚至压占了周边农田，破坏耕地。爆料称，该建材厂位于塔上镇许家村西北侧，紧邻S241省道，路边的一些砂石料用苫布进行了简单的覆盖。建材公司西南角堆放有大量石料及建材细骨料，现场铲车等机器在露天作业，堆料场周围没有围挡、覆盖、喷淋、雾炮、除尘器等环保设施。
因为建材公司作业简单粗暴，且没有围挡和遮盖，一些砂石料随意堆放，已经侵占了周边的农田。有村民说部分被压占的耕地无法耕种，只得租给建材公司，于是他们的堆料越堆越远，越占越多，村民有苦难言。爆料称根据有关法律规定，严禁“以租代征”，违法占用耕地。而塔上镇许家村这家建材公司不断“蚕食”周边土地，压占村民耕地，破坏了土地耕种层，致使农田无法耕种，“当地有关部门为何视而不见？着实让人费解！”截至5月16日15时，相关事件传播量达到115条。
分析师点评：
该事件涉及“扬尘污染”“大气防治”“耕地保护”等敏感议题，并在文中直指当地有关部门“视而不见”、监管缺位，存在一定舆情隐患。
具体来看， 一是爆料中图文详尽，相应图片展现出厂区内未苫盖围挡的砂石料堆积成山、蔓延至周围植被的场景，印证文中所言的同时，易刺激公众敏感神经，使其对周围环境受到的污染感到忧虑，对附近村民的遭遇表示同情，并引发公众对涉事企业的行为进行追责的舆论导向。
二是近年来，全国各地大力开展耕地保护，筑牢粮食安全屏障，耕地保护话题频频受到关注。在此背景下，爆料称村民耕地因涉事企业违法行为受损无法耕种，只能反租给涉事企业，而涉事企业侵占的耕地也因此变得范围越来越大，这样的恶性循环与“耕地保护，寸土必‘珍’”的共识相违背，易于引发关注，并与近期耕地保护热点问题形成关联，舆情进一步扩散的风险不容忽视。
三是文章末尾直接将矛头指向政府监管部门，基于图文详实的举报内容，舆论对文章中监管缺位的质疑更易于采信，进而促使公众进一步追责有关部门政策落实不到位、不作为等方面，损害相关政府部门的公信力。
四是该事件目前尚未进行回应，舆情仍在持续发酵，存在后续炒作的风险。对此，建议涉事地区及相关部门及时进行线下核查，依法依规处理，杜绝后续发酵风险，并对后续事件传播态势保持关注，谨防舆情升级。相关部门亦应加强舆情意识，加强辖区内相关舆情线索的监测与研判。
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近日，多款采用4nm制程芯片的手机，被用户吐槽存在发热量高和功耗高等方面的问题。据了解，此次涉嫌功耗过热的3款顶级手机芯片，分别是高通骁龙8Gen1、三星Exynos2200、联发科天玑9000，均为目前各厂商高端芯片的代表。同时，天玑9000的生产商是台积电，Exynos2200和骁龙8Gen1的生产商是三星，为排名前两位的芯片代工制造商。
去年年初，5nm芯片就因发热问题被频频吐槽，如今4nm芯片再度陷入同样的困境：先进工艺制程芯片存在漏电流问题，导致发热量过高，似乎已经成为一种“魔咒”，是芯片制程工艺最大的障碍之一。芯片的制程工艺仍在不断延伸，未来如何有效破解漏电“魔咒”已经成为整个芯片制造领域的努力方向。
短沟道效应带来挑战
一般情况下，根据登纳徳缩放比例定律，随着芯片尺寸的缩小，所需的电压和电流也会下降，由于功耗会受电压和电流的影响，当制程工艺提升、电压和电流随之下降时，其芯片产生的功耗也会降低。台积电表示，与7nm工艺相比，同样性能下5nm工艺的功耗降低30%，同样的功耗下则性能提升了15%。
然而，芯片制程进入5nm时，却频频出现功耗过高的问题。北京超弦存储器研究院执行副院长、北京航空航天大学兼职博导赵超认为，短沟道效应是造成4nm、5nm等先进工艺出现功耗问题的主要原因之一，也成为了先进制程发展过程中最大的阻碍。
半导体制造领域，集成电路的尺寸随着摩尔定律的发展而持续缩小，沟道长度也相应地缩短，这就导致了沟道管中的S和D（源和漏）的距离越来越短。因此栅极对沟道的控制能力变差，这就意味着栅极电压夹断沟道的难度变大，即产生短沟道效应，从而出现严重的电流泄露（漏电）现象，最终令芯片的发热和耗电失控。
“5nm、4nm芯片所采用的都是FinFET（鳍式场效应晶体管）结构。FinFET结构在芯片制程进入28nm后，相较于平面MOSFET器件结构，具有更强的栅极控制能力，FinFET结构可通过增加栅极与沟道的接触面积，来增强对导电沟道的控制。沟道接触面积的增加，可以从一定程度上缓解短沟道效应，从而将芯片制程继续延伸。然而，随着芯片制程逐渐发展到5nm及5nm以下，采用FinFET结构先进制程的芯片，也出现了短沟道效益造成的漏电现象，这也与FinFET本身的结构有关。FinFET所采用的是三面栅的结构，并非四面环绕式的结构，其中一个方向没有栅极的包裹。随着芯片制程的不断减小，FinFET三面栅的结构对于漏电的控制能力也在逐渐减弱，造成芯片再次出现功耗问题。”赵超表示。
如何破解漏电“魔咒”？
未来芯片制程仍将继续向3nm甚至2nm延伸，人们也在积极考虑如何解决漏电流所导致的功耗与发热问题，包括更换新材料、采用新架构——GAA（环绕式栅极）等，以期打破长久以来存在的漏电“魔咒”。
在材料方面，赵超介绍，采用具有高介电常数的栅介质材料替代原本的二氧化硅材料，可有效解决短沟道效应造成栅极漏电的问题。而二氧化铪属于高介电常数的材料，以二氧化铪替代二氧化硅作为栅介质材料，可有效提高介电常数，减少漏电情况，并有效增加电容荷电的能力。
同时，随着芯片制程的延伸，采用四面环栅结构的GAA技术逐渐受到更多关注。复旦大学微电子学院副院长周鹏表示，相较于三面围栅的FinFET结构，GAA技术的四面环栅结构可以更好地抑制漏电流的形成以及增大驱动电流，进而更有利于实现性能和功耗之间的有效平衡。因此，GAA技术在5nm之后更小的制程中，更受到业界的普遍认可和青睐。
然而，无论是新材料，还是GAA技术，都难以在短时间内解决问题。有研究人员发现，若想在碳纳米管晶体管中使用二氧化铪来替代二氧化硅成为栅极电介质材料也存在困难，二氧化铪同样难以在所需的薄层中形成高介电常数的电介质。
GAA结构实现量产同样困难重重。据了解，近期三星采用GAA结构打造的3nm芯片，良率仅在10%~20%之间。而台积电在其第一代3nm制程中仍将采用FinFET工艺。
“在半导体领域当中，任何一种技术的转换或更迭，往往都需要经历多年的试错和改进。GAA结构虽然在5nm以下的制程中具有较为明显的优势，但其最终能否实现预期的高性能和低功耗，还取决于其制程中所面临的技术难题能否被一一攻克。”周鹏说。
4nm并非噱头
对于此次4nm芯片出现功耗问题，也有消费者质疑，4nm是否只是一个商业噱头？4nm与5nm技术实则并无太大差异，否则为何高功耗、高发热的问题依然如故？
一般而言，对于芯片工艺的名称数字，是以0.7倍的节奏演进的，例如，14nm工艺之后，完整的工艺迭代应当是10nm（14nm×0.7≈10nm），10nm之后是7nm，7nm之后是5nm。若按此规则演进，5nm后究竟应该是4nm还是3nm，在四舍五入规则下似乎并不明确。但在代工厂的约定俗成下，5nm的完整工艺迭代应为3nm。因此，4nm应当属于5nm和3nm的过渡工艺，其角色定位与此前推出的8nm（10nm和7nm的过渡工艺）
去年年初，5nm芯片就因发热问题被频频吐槽，如今4nm芯片再度陷入同样的困境：先进工艺制程芯片存在漏电流问题，导致发热量过高，似乎已经成为一种“魔咒”，是芯片制程工艺最大的障碍之一。芯片的制程工艺仍在不断延伸，未来如何有效破解漏电“魔咒”已经成为整个芯片制造领域的努力方向。
短沟道效应带来挑战
一般情况下，根据登纳徳缩放比例定律，随着芯片尺寸的缩小，所需的电压和电流也会下降，由于功耗会受电压和电流的影响，当制程工艺提升、电压和电流随之下降时，其芯片产生的功耗也会降低。台积电表示，与7nm工艺相比，同样性能下5nm工艺的功耗降低30%，同样的功耗下则性能提升了15%。
然而，芯片制程进入5nm时，却频频出现功耗过高的问题。北京超弦存储器研究院执行副院长、北京航空航天大学兼职博导赵超认为，短沟道效应是造成4nm、5nm等先进工艺出现功耗问题的主要原因之一，也成为了先进制程发展过程中最大的阻碍。
半导体制造领域，集成电路的尺寸随着摩尔定律的发展而持续缩小，沟道长度也相应地缩短，这就导致了沟道管中的S和D（源和漏）的距离越来越短。因此栅极对沟道的控制能力变差，这就意味着栅极电压夹断沟道的难度变大，即产生短沟道效应，从而出现严重的电流泄露（漏电）现象，最终令芯片的发热和耗电失控。
“5nm、4nm芯片所采用的都是FinFET（鳍式场效应晶体管）结构。FinFET结构在芯片制程进入28nm后，相较于平面MOSFET器件结构，具有更强的栅极控制能力，FinFET结构可通过增加栅极与沟道的接触面积，来增强对导电沟道的控制。沟道接触面积的增加，可以从一定程度上缓解短沟道效应，从而将芯片制程继续延伸。然而，随着芯片制程逐渐发展到5nm及5nm以下，采用FinFET结构先进制程的芯片，也出现了短沟道效益造成的漏电现象，这也与FinFET本身的结构有关。FinFET所采用的是三面栅的结构，并非四面环绕式的结构，其中一个方向没有栅极的包裹。随着芯片制程的不断减小，FinFET三面栅的结构对于漏电的控制能力也在逐渐减弱，造成芯片再次出现功耗问题。”赵超表示。
如何破解漏电“魔咒”？
未来芯片制程仍将继续向3nm甚至2nm延伸，人们也在积极考虑如何解决漏电流所导致的功耗与发热问题，包括更换新材料、采用新架构——GAA（环绕式栅极）等，以期打破长久以来存在的漏电“魔咒”。
在材料方面，赵超介绍，采用具有高介电常数的栅介质材料替代原本的二氧化硅材料，可有效解决短沟道效应造成栅极漏电的问题。而二氧化铪属于高介电常数的材料，以二氧化铪替代二氧化硅作为栅介质材料，可有效提高介电常数，减少漏电情况，并有效增加电容荷电的能力。
同时，随着芯片制程的延伸，采用四面环栅结构的GAA技术逐渐受到更多关注。复旦大学微电子学院副院长周鹏表示，相较于三面围栅的FinFET结构，GAA技术的四面环栅结构可以更好地抑制漏电流的形成以及增大驱动电流，进而更有利于实现性能和功耗之间的有效平衡。因此，GAA技术在5nm之后更小的制程中，更受到业界的普遍认可和青睐。
然而，无论是新材料，还是GAA技术，都难以在短时间内解决问题。有研究人员发现，若想在碳纳米管晶体管中使用二氧化铪来替代二氧化硅成为栅极电介质材料也存在困难，二氧化铪同样难以在所需的薄层中形成高介电常数的电介质。
GAA结构实现量产同样困难重重。据了解，近期三星采用GAA结构打造的3nm芯片，良率仅在10%~20%之间。而台积电在其第一代3nm制程中仍将采用FinFET工艺。
“在半导体领域当中，任何一种技术的转换或更迭，往往都需要经历多年的试错和改进。GAA结构虽然在5nm以下的制程中具有较为明显的优势，但其最终能否实现预期的高性能和低功耗，还取决于其制程中所面临的技术难题能否被一一攻克。”周鹏说。
4nm并非噱头
对于此次4nm芯片出现功耗问题，也有消费者质疑，4nm是否只是一个商业噱头？4nm与5nm技术实则并无太大差异，否则为何高功耗、高发热的问题依然如故？
一般而言，对于芯片工艺的名称数字，是以0.7倍的节奏演进的，例如，14nm工艺之后，完整的工艺迭代应当是10nm（14nm×0.7≈10nm），10nm之后是7nm，7nm之后是5nm。若按此规则演进，5nm后究竟应该是4nm还是3nm，在四舍五入规则下似乎并不明确。但在代工厂的约定俗成下，5nm的完整工艺迭代应为3nm。因此，4nm应当属于5nm和3nm的过渡工艺，其角色定位与此前推出的8nm（10nm和7nm的过渡工艺）
#援沪采样队陆续离开上海#
以下内容均来自上海发布微信公众号
“近期，援沪采样队陆续离开上海。在这里，向大家通报几个数字：从3月28日第一支援沪采样队伍抵沪至今，苏浙皖等省市约有2.5万名采样队员开展核酸筛查工作。在此期间，全市累计筛查了4.3亿人次，其中近4成的采样量由援沪采样队员们承担的。
援沪采样队在上海的这段日子里，不怕苦、不怕累、连续战斗，很多队员都是临时接到通知，凌晨从外省市的驻地出发，在完成当天采样任务后又连夜赶回驻地，非常辛苦。同时，在工作中始终坚持规范为先，用专业的技术和拼搏的勇气彰显了大爱无疆的医者情怀。他们在我们疫情防控最吃劲的时候，白衣执甲、坚定守“沪”，为疫情防控取得阶段性成果作出了重要贡献。
在这里，向援沪采样队及其家人致以最崇高的敬意和最衷心的感谢！[good][good][good]
近期，随着疫情形势的逐步好转，援沪采样队伍正在陆续离沪，大家担心上海的核酸筛查能力是否会随着外援的离开而下降？请放心。自疫情以来，一方面上海得益于外省市支援，完成了多轮的核酸筛查任务；另一方面通过外省市支援，上海赢得了宝贵的时间窗口，通过引进、培育等方式，不断完善、强化和提升自身的核酸筛查能力。
在核酸筛查中，主要有两个关键环节，一是现场采样，二是实验室检测。经过各方努力，在采样能力上，通过挖潜、招募等多种形式，不断增加采样人员的储备，并进行专项培训，目前，已储备了约3.8万人的采样队伍，这支队伍不仅将成为后续筛查工作的重要力量，而且为全面推进常态化采样点布局并发挥作用打下了坚实的基础。在实验室检测能力上，通过增设检测机构、增配方舱实验室和移动检测车等方式，使本市单日最大检测能力从本轮疫情前的102.8万管，增长到850万管以上。实验室检测能力提升不仅可以满足上海常态化检测的需要，而且能够更快地报告检测结果，更好地满足市民工作、生活的需要。
这两方面工作能力提高，将有力支撑起本市自身的核酸筛查能力，所以请广大市民放心，我们将从需求出发，从实际出发，全力以赴、尽心尽责做好后续的各项筛查任务和日常检测工作，请大家一如既往地给予支持和配合。谢谢大家！”
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“近期，援沪采样队陆续离开上海。在这里，向大家通报几个数字：从3月28日第一支援沪采样队伍抵沪至今，苏浙皖等省市约有2.5万名采样队员开展核酸筛查工作。在此期间，全市累计筛查了4.3亿人次，其中近4成的采样量由援沪采样队员们承担的。
援沪采样队在上海的这段日子里，不怕苦、不怕累、连续战斗，很多队员都是临时接到通知，凌晨从外省市的驻地出发，在完成当天采样任务后又连夜赶回驻地，非常辛苦。同时，在工作中始终坚持规范为先，用专业的技术和拼搏的勇气彰显了大爱无疆的医者情怀。他们在我们疫情防控最吃劲的时候，白衣执甲、坚定守“沪”，为疫情防控取得阶段性成果作出了重要贡献。
在这里，向援沪采样队及其家人致以最崇高的敬意和最衷心的感谢！[good][good][good]
近期，随着疫情形势的逐步好转，援沪采样队伍正在陆续离沪，大家担心上海的核酸筛查能力是否会随着外援的离开而下降？请放心。自疫情以来，一方面上海得益于外省市支援，完成了多轮的核酸筛查任务；另一方面通过外省市支援，上海赢得了宝贵的时间窗口，通过引进、培育等方式，不断完善、强化和提升自身的核酸筛查能力。
在核酸筛查中，主要有两个关键环节，一是现场采样，二是实验室检测。经过各方努力，在采样能力上，通过挖潜、招募等多种形式，不断增加采样人员的储备，并进行专项培训，目前，已储备了约3.8万人的采样队伍，这支队伍不仅将成为后续筛查工作的重要力量，而且为全面推进常态化采样点布局并发挥作用打下了坚实的基础。在实验室检测能力上，通过增设检测机构、增配方舱实验室和移动检测车等方式，使本市单日最大检测能力从本轮疫情前的102.8万管，增长到850万管以上。实验室检测能力提升不仅可以满足上海常态化检测的需要，而且能够更快地报告检测结果，更好地满足市民工作、生活的需要。
这两方面工作能力提高，将有力支撑起本市自身的核酸筛查能力，所以请广大市民放心，我们将从需求出发，从实际出发，全力以赴、尽心尽责做好后续的各项筛查任务和日常检测工作，请大家一如既往地给予支持和配合。谢谢大家！”
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