【聚焦秦创原建设】光电子信息产业如何突围？西安高新区这些家底有看点！
自秦创原建设以来，西安高新区秉承“发展高科技、实现产业化”的初心使命，以“追光计划”为牵引，推动光电子信息产业提能级、创名片，孕育出一批新技术、新企业，实现了从0到1、从弱到强的一系列重大跨越，打响了“西高芯”品牌，光电子产业规模、技术水平和产业发展成熟度均已得到显著提升。
如今，一家家龙头企业在这里相继落户、开枝散叶，并攻克多项“卡脖子”技术难题；一批批基础、应用研发平台陆续建成投用，推动科技成果就地转化；一个个高质量光电子产业项目也在如火如荼建设，为西安高新区光电子产业集群化发展、进一步叫响“西高芯”品牌打下坚实的基础。2021年，辖区光电子信息产业规模已突破3344.63亿元，同比增长17.13%。
西安高新区“西高芯”品牌的背后究竟有怎样的实力，请随小编一探究竟。
龙头企业引领
目前，西安高新区在光电子信息产业领域主要形成了光子、半导体及集成电路、智能终端三大产业链，并涌现出一大批具有行业引领作用的龙头企业。
其中，光子产业已实现部分核心关键技术与全球基本同步。材料环节，赛富乐斯在全球首次实现光电芯片核心材料半极性氮化镓的量产，唐晶量子是国内唯一具备量产能力的可商用大尺寸VCSEL外延片企业；器件环节，拥有炬光科技、奇芯光电、中科微精、中科原子、博瑞集信、欣创电子等全国领先企业，部分成果已达国际领先水平；加工平台环节，陕西省光电子先导院提供小试中试服务，先进光子器件柔性制造平台正在加速建设；系统设备和应用环节，落地华为、海康威视等企业的研发设计环节。
半导体及集成电路领域拥有较为完整的产业链，形成了以硅晶圆材料—芯片设计—芯片制造—封装测试为主的产业布局。在材料与设备环节，集聚了奕斯伟、华晶电子、空气化工、住化等企业。在芯片设计环节，涌现出紫光国芯、克瑞斯、航天民芯等一批国内一流的芯片设计企业。在芯片制造环节，集聚了三星、美光等国际领先的存储芯片制造企业以及卫光科技、芯派、炬光科技、奇芯光电等中小半导体制造企业。在芯片封测环节，形成以三星、美光、力成、陕西电子信息等为代表的封装测试企业群。
电子元器件领域以本土创新型中小企业为主，拥有创联电气、派瑞功率等电子元器件制造企业，西古光通信、北方光通信等光纤光缆制造企业，中航富士达、摩比科技等射频通信制造企业、盛赛尔电子等传感器、仪表研发制造企业。
此外，智能终端领域加快形成产业集聚虹吸效应，拥有华为、中兴和比亚迪电子三大智能终端研发制造企业。其中，中兴通讯落地全球最大的研发基地和智能终端生产基地；华为建设了除深圳总部以外最大的研发基地；比亚迪建成高端智能终端产业园、半导体西安研发中心，西安高新区成为比亚迪除深圳总部之外布局最全、业务最广的地区。同时，还集聚了奇维科技、天成益邦等特种计算机制造企业，烽火、蜂语科技等通讯设备制造企业。
软件与信息服务领域，则形成了以应用软件、互联网与相关服务为主，系统集成服务、信息技术咨询等为支撑的产业体系。目前，集聚有华为、中兴、阿里巴巴、腾讯、科大讯飞、美林数据等一批国内外知名企业。
研发平台助力
多年来，西安高新区聚焦硬核技术强化基础研发平台建设，聚焦成果转化强化应用研究平台建设，聚焦产业生态强化创业服务平台建设，光电子产业已初步形成了从基础研究、应用研究到产业化的完整创新平台体系，集聚了全市70%以上的高端创新资源。
光电子产业基础研发平台
西安市存储器工程技术研究中心：以紫光国芯为中心，主要开展存储器产品关键技术的研发，开发高性能存储器产品；研究新型DRAM存储技术，完善DRAM存储器技术创新平台；开展存储器设计测试开发、人才引进、培训，为行业培养存储器设计的高层次人才。
晶体生长设备与系统集成国家地方联合工程研究中心：依托西安理工大学组建，自主研制生产的TDR90型单晶炉投放太阳能用单晶炉市场，TDR90型单晶炉已由西安理工晶体科技有限公司生产销售70余台（套），TDR100型硅单晶炉已销往芬兰OKMETIC电子公司并投入使用。核心方向为晶体生长工艺及其控制系统、大尺寸晶体生长设备中的关键基础研究和技术开发、大直径单晶炉。
陕西省集成电路技术工程研究中心：依托西北工业技术研究院，该工程研究中心在嵌入式微处理器及其IP核、工控系统SOC芯片、特种集成电路封装工艺及测试技术等方面，具有国内领先水平的自主知识产权和成果。核心方向为嵌入式微处理器及其IP核、工控系统SOC芯片、特种集成电路封装工艺及测试技术。
集成电路技术国家地方联合工程研究中心：2011年11月，国家发展改革委正式批复，由西北工业大学联合多家集成电路设计、制造、封装、测试的企业组建。核心方向为解决行业重大工程技术问题，致力于嵌入式微处理器及其IP核、工控系统SOC芯片、特种集成电路封装工艺及测试技术研究开发。
光电子产业应用研发平台
中科创星科技孵化器：专注于硬科技创业投资与孵化，围绕国产芯片和半导体有着核心技术的硬科技领域投资布局，致力于打造以“研究机构+天使投资+孵化服务+创业培训”为一体的硬科技创业生态。目前已投资近百家半导体公司，从材料、外延、芯片、设备等全产业链布局，为高新区培育了奇芯光电、唐晶量子、知象光电等一批具有全球竞争力的企业。
陕西光电子先导院：在原西安华新联合厂区基础上，形成了占地83亩、建筑面积2.1万平方米的光电子集成公共孵化平台。已累计引进30多个海外领军人才及项目，累计孵化投资了60多个光电子相关企业。
此外，西安高新区还强化光电子产业公共服务平台功能。为小微企业及正在孵化培育的创业企业提供相对优质的设计工具、IP授权、芯片测试、法律辅导、上市引导、指示产权保护等公共服务。并设立验证设备仪器仪表共享平台，整合高校、研究院所及企业现有仪器设备，完善芯片中测环境，弥补西安中测空白，降低企业新产品开发周期和研发成本。
重点项目支撑
秦创原建设以来，西安高新区还积极在项目谋划、建设、招引等方面发力，以更大雄心和魄力推动光电子产业发展成势。目前，区内光电子信息产业在建项目共23个，总投资额达954.87亿元。部分重点在建项目如下：
秦创原集成电路产业加速器项目：致力于打造新一代半导体产业策源地和环大学经济带核心区，包括西安电子谷总部、西安人工智能园、西安工业互联网园、西安国家电子实验园四大功能园区。建成运营后，预计带动相关企业600家，聚集产业人口3万人。
先导院南区建设项目：建成后将扩大先导院生产规模，提高园区生产能力，打造“硬科技”产业集群和创业生态，推动我国光电子产业的发展。
奕斯伟集成电路产业基地项目：主要建设产品研发与生产测试中心、软件开发与生产测试中心、工艺开发与生产测试中心、应用创新中心、若干专业实验室和数据中心等，以及奕斯伟西北地区AIoT（人工智能物联网）芯片与方案应用创新推广总部。
奕斯伟硅产业基地项目（一期二阶段）：主要生产集成电路硅抛光片和外延片。项目一期总占地面积540亩，1期2阶段新增25万片/月设备，产能将达到30万片/月。建成后预计带动就业1200人，将有效提高西安半导体产业国际竞争力和产业上下游配套能力，填补我国半导体行业硅材料空白。
比亚迪高端智能终端产业园项目（组装）：将构建集研发、设计、精密部件生产和精益制造于一体的世界级高端智能制造生产系统，新建厂房、仓库、综合站房、配套房等生产及生活、办公配套设施，建成后形成年产1亿部智能终端产品能力。
莱特光电OLED材料研发生产基地建设项目：通过新建厂房及新增设备建设“莱特研发生产基地二期”项目，建成后主要生产OLED（有机电激光显示、有机发光半导体）用空穴传输层材料、R-prime材料以及蓝光材料。
诺瓦光电显示控制系统产业化研发基地项目：建成后用于光电显示控制系统的研发和产业化，可大大提高我国LED显示屏行业在全球的市场份额与利润份额，推动我国LED产业的快速发展。
与此同时，西安高新区今年以来还启动了化合物半导体延片研发生产项目、光电子产品研发基地、中兴通讯西安研发中心二区三期、美光封测扩能项目、奕斯伟第二工厂项目、派瑞大功率电力半导体器件及新型功率器件产业化项目等11个新开工项目。同时，积极推动西驰电力电子产业园、飞秒激光精密智造装备产业化（二期）、航天七七一所计算机混合集成电路二期生产大楼和生产工艺厂房及配套设施建设等9个前期项目签约落地，并形成总投资额近1880亿元。
未来，随着一系列项目的建成投用，西安高新区光电子信息产业势必将“秀木成林”，“西高芯”的品牌也必将叫响世界。
自秦创原建设以来，西安高新区秉承“发展高科技、实现产业化”的初心使命，以“追光计划”为牵引，推动光电子信息产业提能级、创名片，孕育出一批新技术、新企业，实现了从0到1、从弱到强的一系列重大跨越，打响了“西高芯”品牌，光电子产业规模、技术水平和产业发展成熟度均已得到显著提升。
如今，一家家龙头企业在这里相继落户、开枝散叶，并攻克多项“卡脖子”技术难题；一批批基础、应用研发平台陆续建成投用，推动科技成果就地转化；一个个高质量光电子产业项目也在如火如荼建设，为西安高新区光电子产业集群化发展、进一步叫响“西高芯”品牌打下坚实的基础。2021年，辖区光电子信息产业规模已突破3344.63亿元，同比增长17.13%。
西安高新区“西高芯”品牌的背后究竟有怎样的实力，请随小编一探究竟。
龙头企业引领
目前，西安高新区在光电子信息产业领域主要形成了光子、半导体及集成电路、智能终端三大产业链，并涌现出一大批具有行业引领作用的龙头企业。
其中，光子产业已实现部分核心关键技术与全球基本同步。材料环节，赛富乐斯在全球首次实现光电芯片核心材料半极性氮化镓的量产，唐晶量子是国内唯一具备量产能力的可商用大尺寸VCSEL外延片企业；器件环节，拥有炬光科技、奇芯光电、中科微精、中科原子、博瑞集信、欣创电子等全国领先企业，部分成果已达国际领先水平；加工平台环节，陕西省光电子先导院提供小试中试服务，先进光子器件柔性制造平台正在加速建设；系统设备和应用环节，落地华为、海康威视等企业的研发设计环节。
半导体及集成电路领域拥有较为完整的产业链，形成了以硅晶圆材料—芯片设计—芯片制造—封装测试为主的产业布局。在材料与设备环节，集聚了奕斯伟、华晶电子、空气化工、住化等企业。在芯片设计环节，涌现出紫光国芯、克瑞斯、航天民芯等一批国内一流的芯片设计企业。在芯片制造环节，集聚了三星、美光等国际领先的存储芯片制造企业以及卫光科技、芯派、炬光科技、奇芯光电等中小半导体制造企业。在芯片封测环节，形成以三星、美光、力成、陕西电子信息等为代表的封装测试企业群。
电子元器件领域以本土创新型中小企业为主，拥有创联电气、派瑞功率等电子元器件制造企业，西古光通信、北方光通信等光纤光缆制造企业，中航富士达、摩比科技等射频通信制造企业、盛赛尔电子等传感器、仪表研发制造企业。
此外，智能终端领域加快形成产业集聚虹吸效应，拥有华为、中兴和比亚迪电子三大智能终端研发制造企业。其中，中兴通讯落地全球最大的研发基地和智能终端生产基地；华为建设了除深圳总部以外最大的研发基地；比亚迪建成高端智能终端产业园、半导体西安研发中心，西安高新区成为比亚迪除深圳总部之外布局最全、业务最广的地区。同时，还集聚了奇维科技、天成益邦等特种计算机制造企业，烽火、蜂语科技等通讯设备制造企业。
软件与信息服务领域，则形成了以应用软件、互联网与相关服务为主，系统集成服务、信息技术咨询等为支撑的产业体系。目前，集聚有华为、中兴、阿里巴巴、腾讯、科大讯飞、美林数据等一批国内外知名企业。
研发平台助力
多年来，西安高新区聚焦硬核技术强化基础研发平台建设，聚焦成果转化强化应用研究平台建设，聚焦产业生态强化创业服务平台建设，光电子产业已初步形成了从基础研究、应用研究到产业化的完整创新平台体系，集聚了全市70%以上的高端创新资源。
光电子产业基础研发平台
西安市存储器工程技术研究中心：以紫光国芯为中心，主要开展存储器产品关键技术的研发，开发高性能存储器产品；研究新型DRAM存储技术，完善DRAM存储器技术创新平台；开展存储器设计测试开发、人才引进、培训，为行业培养存储器设计的高层次人才。
晶体生长设备与系统集成国家地方联合工程研究中心：依托西安理工大学组建，自主研制生产的TDR90型单晶炉投放太阳能用单晶炉市场，TDR90型单晶炉已由西安理工晶体科技有限公司生产销售70余台（套），TDR100型硅单晶炉已销往芬兰OKMETIC电子公司并投入使用。核心方向为晶体生长工艺及其控制系统、大尺寸晶体生长设备中的关键基础研究和技术开发、大直径单晶炉。
陕西省集成电路技术工程研究中心：依托西北工业技术研究院，该工程研究中心在嵌入式微处理器及其IP核、工控系统SOC芯片、特种集成电路封装工艺及测试技术等方面，具有国内领先水平的自主知识产权和成果。核心方向为嵌入式微处理器及其IP核、工控系统SOC芯片、特种集成电路封装工艺及测试技术。
集成电路技术国家地方联合工程研究中心：2011年11月，国家发展改革委正式批复，由西北工业大学联合多家集成电路设计、制造、封装、测试的企业组建。核心方向为解决行业重大工程技术问题，致力于嵌入式微处理器及其IP核、工控系统SOC芯片、特种集成电路封装工艺及测试技术研究开发。
光电子产业应用研发平台
中科创星科技孵化器：专注于硬科技创业投资与孵化，围绕国产芯片和半导体有着核心技术的硬科技领域投资布局，致力于打造以“研究机构+天使投资+孵化服务+创业培训”为一体的硬科技创业生态。目前已投资近百家半导体公司，从材料、外延、芯片、设备等全产业链布局，为高新区培育了奇芯光电、唐晶量子、知象光电等一批具有全球竞争力的企业。
陕西光电子先导院：在原西安华新联合厂区基础上，形成了占地83亩、建筑面积2.1万平方米的光电子集成公共孵化平台。已累计引进30多个海外领军人才及项目，累计孵化投资了60多个光电子相关企业。
此外，西安高新区还强化光电子产业公共服务平台功能。为小微企业及正在孵化培育的创业企业提供相对优质的设计工具、IP授权、芯片测试、法律辅导、上市引导、指示产权保护等公共服务。并设立验证设备仪器仪表共享平台，整合高校、研究院所及企业现有仪器设备，完善芯片中测环境，弥补西安中测空白，降低企业新产品开发周期和研发成本。
重点项目支撑
秦创原建设以来，西安高新区还积极在项目谋划、建设、招引等方面发力，以更大雄心和魄力推动光电子产业发展成势。目前，区内光电子信息产业在建项目共23个，总投资额达954.87亿元。部分重点在建项目如下：
秦创原集成电路产业加速器项目：致力于打造新一代半导体产业策源地和环大学经济带核心区，包括西安电子谷总部、西安人工智能园、西安工业互联网园、西安国家电子实验园四大功能园区。建成运营后，预计带动相关企业600家，聚集产业人口3万人。
先导院南区建设项目：建成后将扩大先导院生产规模，提高园区生产能力，打造“硬科技”产业集群和创业生态，推动我国光电子产业的发展。
奕斯伟集成电路产业基地项目：主要建设产品研发与生产测试中心、软件开发与生产测试中心、工艺开发与生产测试中心、应用创新中心、若干专业实验室和数据中心等，以及奕斯伟西北地区AIoT（人工智能物联网）芯片与方案应用创新推广总部。
奕斯伟硅产业基地项目（一期二阶段）：主要生产集成电路硅抛光片和外延片。项目一期总占地面积540亩，1期2阶段新增25万片/月设备，产能将达到30万片/月。建成后预计带动就业1200人，将有效提高西安半导体产业国际竞争力和产业上下游配套能力，填补我国半导体行业硅材料空白。
比亚迪高端智能终端产业园项目（组装）：将构建集研发、设计、精密部件生产和精益制造于一体的世界级高端智能制造生产系统，新建厂房、仓库、综合站房、配套房等生产及生活、办公配套设施，建成后形成年产1亿部智能终端产品能力。
莱特光电OLED材料研发生产基地建设项目：通过新建厂房及新增设备建设“莱特研发生产基地二期”项目，建成后主要生产OLED（有机电激光显示、有机发光半导体）用空穴传输层材料、R-prime材料以及蓝光材料。
诺瓦光电显示控制系统产业化研发基地项目：建成后用于光电显示控制系统的研发和产业化，可大大提高我国LED显示屏行业在全球的市场份额与利润份额，推动我国LED产业的快速发展。
与此同时，西安高新区今年以来还启动了化合物半导体延片研发生产项目、光电子产品研发基地、中兴通讯西安研发中心二区三期、美光封测扩能项目、奕斯伟第二工厂项目、派瑞大功率电力半导体器件及新型功率器件产业化项目等11个新开工项目。同时，积极推动西驰电力电子产业园、飞秒激光精密智造装备产业化（二期）、航天七七一所计算机混合集成电路二期生产大楼和生产工艺厂房及配套设施建设等9个前期项目签约落地，并形成总投资额近1880亿元。
未来，随着一系列项目的建成投用，西安高新区光电子信息产业势必将“秀木成林”，“西高芯”的品牌也必将叫响世界。
【广汽菲克即将退市，仅保留Jeep进口车】
7月18日，Stellantis集团宣布将与广汽集团合作，有序终止2010年3月成立的合资企业广汽菲克，该企业近年来一直处于亏损状态，并将在2022年上半年业绩中确认约2.97亿欧元的非现金减值费用。
Stellantis将采用轻资产方式在中国发展Jeep品牌，Stellantis将专注于在中国分销Jeep品牌的进口汽车。并继续加强Jeep品牌在中国的产品供应，增强进口汽车的电气化阵容。
据广汽集团产销快报数据显示，广汽菲克6月份产销量均为“-”，1-6月累计产销量分别为822辆和1,861辆，同比分别下滑89.35%和84.18%，其中3-6月几乎为0，生产处于停滞状态。也就是说广汽菲克已经连续四个月停产。
7月18日，Stellantis集团宣布将与广汽集团合作，有序终止2010年3月成立的合资企业广汽菲克，该企业近年来一直处于亏损状态，并将在2022年上半年业绩中确认约2.97亿欧元的非现金减值费用。
Stellantis将采用轻资产方式在中国发展Jeep品牌，Stellantis将专注于在中国分销Jeep品牌的进口汽车。并继续加强Jeep品牌在中国的产品供应，增强进口汽车的电气化阵容。
据广汽集团产销快报数据显示，广汽菲克6月份产销量均为“-”，1-6月累计产销量分别为822辆和1,861辆，同比分别下滑89.35%和84.18%，其中3-6月几乎为0，生产处于停滞状态。也就是说广汽菲克已经连续四个月停产。
如何提高防水层 #防水补漏##防水鸭#
根据结构部位和选材,增强层作法如下：
1.阴阳角
屋面的平面与立面交角处、地下室底面与墙面内外交角处、檐口与天沟交接处、天沟转角处、两个立面转角处形成阴阳角。这些部位常由于混凝土、砂浆干缩和温差变形产生应力集中导致开裂,有些裂缝宽度可扩展到5mm。阴阳角的增强层可采用卷材条,即在交角处铺贴1层100～150mm宽的卷材条予以加强。但由于卷材较硬挺,在交角处难以铺平、铺实,往往采用涂料加增强胎体布作为增强层,即在交角处涂150～200mm宽、厚1～2mm的加胎体的涂层。胎体铺贴时切忌拉紧,应松弛不皱。在3面交角处采用涂料增强,效果就更好了。
2.屋面天沟、檐口
天沟、檐沟和檐口处不但容易变形,而且受雨水严重冲刷,沟中也常常因长期积水、干湿交替而对防水造成严重破坏。很多工程的防水层,首先是沟中或沟沿防水层提早失效而发生渗漏,因此应在这些部位作增强层。由于天沟平面多变,施工工作面小,采用卷材是很不利的,当今许多设计以涂膜防水予以配套,这完全是正确的。对于天沟、檐沟和水落口处一般都作涂膜增强,有一布三涂和二布四涂作法,即在天沟交角处或者整个天沟和檐口先涂涂料,再铺增强胎体,再涂涂料1～2mm厚;在檐口处,构件断面形状复杂,可采取增强空铺层处理,或先涂隔离剂或压敏型抗裂胶后再作增强层。
3.水落口、地漏、过水孔
这些部位处在两种材料交接处,由于混凝土和砂浆干缩和两种材料的胀缩不同,会使水落口、地漏、过水孔的周边产生裂缝。另外它也是雨水集中且容易积水的部位,而且所处位置工作面狭小,施工工序又多,施工质量难以保证。根据节点设防原则,应进行多道设防和节点密封处理,所以在水落口、漏斗和套管的周边,预留10mm。
4.防水层收头
柔性柔性防水层的末端(卷材和涂膜)收头处,由于防水层的收缩,再经雨水和风力作用,常常提前翘边、脱层,在大面防水层之前渗漏。因此规范规定在卷材收头处必须用压条钉压固定,再用密封材料封口;在砖泛水处预留凹槽,收头压入槽中,再用水泥砂浆保护;混凝土泛水处理,收头上部要用卷材或金属覆盖保护;涂膜的收头,则要求每遍涂膜层错开,不可集中于一处。
5.穿过防水层的管道和预埋件
由于管道或预埋件和周围混凝土胀缩系数的不同,在管道和预埋件周围就会开裂发生渗水。因此抹找平层时管道根部应高出屋面并增设二布五涂的涂膜附加层。地下室及水池穿过防水层的管道周围应留槽并用密封胶密封,管子中部加1圈遇水膨胀橡胶条。
6.屋面出入口屋面出入口
因人们活动频繁会造成提早破损,出入口处防水层收头应处理妥贴,除外,应适当作增强层,并要求表面作保护层,如水泥砂浆保护层等。
7.压顶
压顶处于屋面的最高处,直接暴露于自然环境中,受气候影响大,受整个纵向墙体温差、结构受力变形及墙体混凝土与砂浆干缩变形的影响也很大,因此即使是配筋混凝土压顶,其横向裂缝也是不可避免的。一般在3～5年内裂缝均会明显地开展,配筋混凝土压顶,在5～8m之内就会有1条裂缝开展,不配筋混凝土在1m左右就有1条裂缝。雨水顺裂缝到墙内,绕过防水层漏到室内,所以压顶必须作柔性材料增强层。一般是作在压顶下,如果选材不当,可能会造成压顶与女儿墙分层,目前只有聚合物水泥基涂料和聚合物水泥砂浆可以用于此处防水;另一种是将防水层作在压顶上面,采取卷材粘贴或用涂料涂刷。
8.后浇带
了克服建筑物温差伸缩或沉降引起建筑物开裂,往往设置变形缝;不设置时采用后浇带技术。当施工原因和技术要求不能满足后浇带的施工要求时,往往在后浇带与原混凝土间出现收缩裂缝而导致漏水。因此在施工后浇带时,对后浇缝两侧要进行增强防水处理。一般作法,在迎水面作表面增强处理或在缝中部埋止水带或遇水膨胀橡胶止水条。
9.排水沟、坑及室内厨浴间
沟坑的交角处是最易发生开裂的部位。地面与沟、坑的交角处,有盖板时的凹槽处常因形状复杂而发生质量问题,因此在这些部位应作增强层处理。一般增强层为一布三涂,因室内地沟和坑基层形状复杂,应采用涂料防水,不宜用卷材。
10.门窗框周边和腰线?
门窗框的周边是漏水的主要点,腰线的上下部位也都是容易开裂处。因此要进行密封材料防水增强处理,即在门窗框与墙间留凹槽,填嵌高弹性密封胶,腰线上下交角处应作较大圆角和向外的坡度,涂刷透明防水胶增强。
11.结构混凝土开裂
构裂缝是目前既普遍又难处理的一个问题。由于配比、水灰比、材质、振捣、养护、模板、气候等多种因素,使混凝土在防水层施工前开裂。若在防水层施工后开裂,将更难处理。防水层施工前开裂时,可在裂缝处涂刷10～20mm的抗裂胶(压敏胶),然后施工防水层,如遇到裂缝较大时宜先进行灌浆堵漏处理；如在防水层施工后开裂,防水层粘接过牢,宽度大于0.2mm的混凝土裂缝就可能将防水层拉裂,而且很难预料裂缝的位置,因此如出现防水层被拉裂的现象,宜采用抗裂胶对裂缝两侧50～100mm范围进行处理后,再将防水层修补完整。
防水鸭专注防水行业十余年，拥有防水一级资质和丰富的防水修缮实战经验，一站式解决方案和高品质的防水系统，为防水补漏工程提供无忧保障服务。
根据结构部位和选材,增强层作法如下：
1.阴阳角
屋面的平面与立面交角处、地下室底面与墙面内外交角处、檐口与天沟交接处、天沟转角处、两个立面转角处形成阴阳角。这些部位常由于混凝土、砂浆干缩和温差变形产生应力集中导致开裂,有些裂缝宽度可扩展到5mm。阴阳角的增强层可采用卷材条,即在交角处铺贴1层100～150mm宽的卷材条予以加强。但由于卷材较硬挺,在交角处难以铺平、铺实,往往采用涂料加增强胎体布作为增强层,即在交角处涂150～200mm宽、厚1～2mm的加胎体的涂层。胎体铺贴时切忌拉紧,应松弛不皱。在3面交角处采用涂料增强,效果就更好了。
2.屋面天沟、檐口
天沟、檐沟和檐口处不但容易变形,而且受雨水严重冲刷,沟中也常常因长期积水、干湿交替而对防水造成严重破坏。很多工程的防水层,首先是沟中或沟沿防水层提早失效而发生渗漏,因此应在这些部位作增强层。由于天沟平面多变,施工工作面小,采用卷材是很不利的,当今许多设计以涂膜防水予以配套,这完全是正确的。对于天沟、檐沟和水落口处一般都作涂膜增强,有一布三涂和二布四涂作法,即在天沟交角处或者整个天沟和檐口先涂涂料,再铺增强胎体,再涂涂料1～2mm厚;在檐口处,构件断面形状复杂,可采取增强空铺层处理,或先涂隔离剂或压敏型抗裂胶后再作增强层。
3.水落口、地漏、过水孔
这些部位处在两种材料交接处,由于混凝土和砂浆干缩和两种材料的胀缩不同,会使水落口、地漏、过水孔的周边产生裂缝。另外它也是雨水集中且容易积水的部位,而且所处位置工作面狭小,施工工序又多,施工质量难以保证。根据节点设防原则,应进行多道设防和节点密封处理,所以在水落口、漏斗和套管的周边,预留10mm。
4.防水层收头
柔性柔性防水层的末端(卷材和涂膜)收头处,由于防水层的收缩,再经雨水和风力作用,常常提前翘边、脱层,在大面防水层之前渗漏。因此规范规定在卷材收头处必须用压条钉压固定,再用密封材料封口;在砖泛水处预留凹槽,收头压入槽中,再用水泥砂浆保护;混凝土泛水处理,收头上部要用卷材或金属覆盖保护;涂膜的收头,则要求每遍涂膜层错开,不可集中于一处。
5.穿过防水层的管道和预埋件
由于管道或预埋件和周围混凝土胀缩系数的不同,在管道和预埋件周围就会开裂发生渗水。因此抹找平层时管道根部应高出屋面并增设二布五涂的涂膜附加层。地下室及水池穿过防水层的管道周围应留槽并用密封胶密封,管子中部加1圈遇水膨胀橡胶条。
6.屋面出入口屋面出入口
因人们活动频繁会造成提早破损,出入口处防水层收头应处理妥贴,除外,应适当作增强层,并要求表面作保护层,如水泥砂浆保护层等。
7.压顶
压顶处于屋面的最高处,直接暴露于自然环境中,受气候影响大,受整个纵向墙体温差、结构受力变形及墙体混凝土与砂浆干缩变形的影响也很大,因此即使是配筋混凝土压顶,其横向裂缝也是不可避免的。一般在3～5年内裂缝均会明显地开展,配筋混凝土压顶,在5～8m之内就会有1条裂缝开展,不配筋混凝土在1m左右就有1条裂缝。雨水顺裂缝到墙内,绕过防水层漏到室内,所以压顶必须作柔性材料增强层。一般是作在压顶下,如果选材不当,可能会造成压顶与女儿墙分层,目前只有聚合物水泥基涂料和聚合物水泥砂浆可以用于此处防水;另一种是将防水层作在压顶上面,采取卷材粘贴或用涂料涂刷。
8.后浇带
了克服建筑物温差伸缩或沉降引起建筑物开裂,往往设置变形缝;不设置时采用后浇带技术。当施工原因和技术要求不能满足后浇带的施工要求时,往往在后浇带与原混凝土间出现收缩裂缝而导致漏水。因此在施工后浇带时,对后浇缝两侧要进行增强防水处理。一般作法,在迎水面作表面增强处理或在缝中部埋止水带或遇水膨胀橡胶止水条。
9.排水沟、坑及室内厨浴间
沟坑的交角处是最易发生开裂的部位。地面与沟、坑的交角处,有盖板时的凹槽处常因形状复杂而发生质量问题,因此在这些部位应作增强层处理。一般增强层为一布三涂,因室内地沟和坑基层形状复杂,应采用涂料防水,不宜用卷材。
10.门窗框周边和腰线?
门窗框的周边是漏水的主要点,腰线的上下部位也都是容易开裂处。因此要进行密封材料防水增强处理,即在门窗框与墙间留凹槽,填嵌高弹性密封胶,腰线上下交角处应作较大圆角和向外的坡度,涂刷透明防水胶增强。
11.结构混凝土开裂
构裂缝是目前既普遍又难处理的一个问题。由于配比、水灰比、材质、振捣、养护、模板、气候等多种因素,使混凝土在防水层施工前开裂。若在防水层施工后开裂,将更难处理。防水层施工前开裂时,可在裂缝处涂刷10～20mm的抗裂胶(压敏胶),然后施工防水层,如遇到裂缝较大时宜先进行灌浆堵漏处理；如在防水层施工后开裂,防水层粘接过牢,宽度大于0.2mm的混凝土裂缝就可能将防水层拉裂,而且很难预料裂缝的位置,因此如出现防水层被拉裂的现象,宜采用抗裂胶对裂缝两侧50～100mm范围进行处理后,再将防水层修补完整。
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