4 条新闻连连看：

存储芯片大厂美光（Micron）于 7 月 28 日宣布，其 232 层 NAND 闪存芯片已实现量产。这也是全球首款突破 200 层大关的固态存储芯片。

韩国半导体制造商 SK 海力士 3 日表示，公司成功研发出全球首款业界最高层数的 238 层 512GB TLC（Triple Level Cell）4D 闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。

8月2日，国产闪存制造商长江存储在 2022 年闪存峰会（FMS）上宣布，正式推出了基于晶栈® 3.0（Xtacking®3.0）技术的第四代 TLC 三维闪存 X3-9070。消息显示，该3D NAND闪存堆叠层数已经达到了业界领先的 232 层。

据据路透社 8 月 1 日报道，四位知情人士透露称，美国正考虑限制向中国存储芯片制造商出口美国的芯片制造设备。至于，限制的对象，其中就包括长江存储，美国希望借此来限制中国的半导体产业发展，并保护美国的相关企业。

对此，消息来源指出，目前针对相关计划正在讨论阶段，还没有任何的法案起草程序。而美国商务部也不愿评论相关新闻消息，仅指出美国政府的重点是削弱中国制造先进半导体的能力，以应对美国的重大国家安全风险。

三条新闻连连看：

存储芯片大厂美光（Micron）于 7 月 28 日宣布，其 232 层 NAND 闪存芯片已实现量产。这也是全球首款突破 200 层大关的固态存储芯片。

韩国半导体制造商 SK 海力士 3 日表示，公司成功研发出全球首款业界最高层数的 238 层 512GB TLC（Triple Level Cell）4D 闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。

据据路透社 8 月 1 日报道，四位知情人士透露称，美国正考虑限制向中国存储芯片制造商出口美国的芯片制造设备。至于，限制的对象，其中就包括长江存储，美国希望借此来限制中国的半导体产业发展，并保护美国的相关企业。

对此，消息来源指出，目前针对相关计划正在讨论阶段，还没有任何的法案起草程序。而美国商务部也不愿评论相关新闻消息，仅指出美国政府的重点是削弱中国制造先进半导体的能力，以应对美国的重大国家安全风险。

■ 以动力电池项目为代表，盐城经开区动力电池产业项目展现出串珠成链、压茬推进的良好态势：
#盐城商业荟##盐城产业# ​​​

·SK3.5GWh动力电池模组、磷酸锰铁锂电池正极材料、衡川湿法锂离子电池隔膜、威蜂4GWh动力电池、NS自动化设备、易事特新能源等一批上下游产业链项目加快建设

·星恒16GWh动力电池、 LG6GWh新能源动力电池模组等重大项目即将开工

·涵盖动力电池电芯、模组、电池包、正极材料、隔膜材料、极耳材料、结构件材料、成套设备以及研发检测、储能快充、回收利用等领域较为完整的动力电池全产业链条正在加速形成。