5·19中国旅游日｜芦山多彩线路，总有一款适合您
五月，是一个缤纷多彩的季节
五月的天，像一抹温柔的笑
温和而不疏淡，热烈但不拘束；
五月的风，似一弯浅浅的水
轻轻柔柔，带着花草的清香，让大地换上新装。
在这个出游的好季节，
我们迎来了第11个旅游日，
您准备好去哪里玩了吗?
小编为您准备了多彩线路、惠民大餐
快来PICK一下吧。
一
红色寻根之旅
今年是中国共产党建党100周年，
芦山作为革命老区县，
红色打卡经典景点众多，
请听小编一一向您道来。
中国工农红军第四方面军三十军司令部旧址：位于雅安市芦山县龙门古镇景区古城坪村。1935年11月，红四方面军第三十军指挥部设在芦山县龙门镇古城坪村袁国聪等农户家。原址为穿斗式木结构三个四合院,总面积2660平方米，因遭受火灾，现仅保存两个半四合院，东面完整的四合院挂有省委组织部授牌的“四川省（汶川特大地震）重灾区党性课堂示范教育基地”雅安市授牌的“雅安市党史教育基地”，为四川省第七批文物保护单位和第一批市级爱国主义教育基地。军部旧址在震中丝毫无损，被媒体称为“屋坚强”。在这里，红军精神同伟大的抗震救灾精神融为一体。
东汉石刻馆（红军石刻标语展馆）：位于雅安市芦山县汉姜古城景区内，主要展示红军长征在芦山留下的石刻标语，在这里可以感悟红军坚韧不屈的革命信念，以及了解当时的路线方针政策。红军石刻标语充分展现了长征是宣言书、长征是宣传队、长征是播种机。同时在这里也可一睹素有汉艺精粹的汉代石刻，全国重点文物保护单位----樊敏碑阙及石刻。
县博物馆（红军在芦山展厅）：位于雅安市芦山县汉姜古城景区内，馆内的图片及场景设置为我们展示了红军经过芦山的线路及芦山人民踊跃支援红军的动人场景，还可一睹那首被尘封60余载的红军诀别诗，听红军在芦山的故事，感军民鱼水情，诵激昂悲壮又依依惜别的红军诗歌。
二
欢乐亲子之旅
父母的陪伴是最好的爱，带着孩子一起从餐桌到地头，去感受田园风光，体验自然野趣吧。
川西药谷·禾茂田园:位于G351飞仙关镇三友村，是集吃、住、行、游、购、娱为一体的景点，如果您带着小孩，那么这里更是您的不二选择。田园小火车、魔幻迷宫、昆虫博物馆、三味书屋、月季园、蝴蝶馆、绳网蹦床等项目，可以让孩子在玩中学到丰富知识；父母还可以带着孩子一起去体验亲自抓南美对虾，田边地头摘野菜的乐趣。
锦绣田园：坐落在川西生态原乡、漏斗溶洞奇观的芦山县龙门古镇景区内，有艺术紫薇花廊、孔雀花海、湿地秘境、河心岛等打卡点。在这里，可与孔雀嬉戏、荡旋转秋千、赏荷塘月色、逐风吹麦浪；在这里，还可以走进有机菜园、有机茶园，来一场采摘体验，尽情享受大自然的田园风光。
三
地学研学之旅
地学研学游是近期热门的旅游体验项目，带着家人、朋友，去实地探索，体验人生中一场别开生面的户外地学游。
龙门溶洞：坐落在国家AAAA级旅游景区龙门古镇内，是亚洲最长的砾岩溶洞。洞内四季恒温，夏日凉云外涌，会在洞外形成一个云涌洞口的仙境奇观，有着“中国地质奇观、巴蜀砾岩世界”的美称。
射箭坪：位于芦山县龙门镇、太平镇、宝盛乡交界处，是一处风景独特的低海拔观景平台，可近看云海、远眺贡嘎；晨看日出、夜观星空。
围塔漏斗：位于双石镇围塔村，是世界最大的人居漏斗，这里的原住民世代居住在漏斗里，过着田园般的悠然生活。俯瞰围塔漏斗，形似人耳，相传是古青衣羌人的居住地，有着古老神秘的民俗文化。峰丛、漏斗、峡谷、溶洞集地表与地下多种岩溶现象之大成，具有原始、自然、雄奇、美妙组合，在这里可以探寻人与自然和谐共生，触摸地心脉搏。
总有一些美景不期而遇，
总有一段旅途时刻铭记，
趁着春光无限，
去收获一份曾忽略的小惊喜吧。
优惠多多，惊喜连连
龙门溶洞景点：1.团队游（16人以上），6折，30元/人；2.散客游，8折，40元/人。（注：全票：50元/人），活动时间：2021年5月19日--2021年7月2日
川西药谷·禾茂田园（大伯生态农庄）：“五一”活动期间，购买田园小火车、魔幻迷宫、月季园、蝴蝶馆等项目门票均享受7折优惠。小火车门票原价40元/张，活动价28元/张；迷宫项目门票原价30元/张，活动价21元/张；绳网蹦床项目门票原价40元/张，活动价28元/张；蝴蝶馆项目门票原价20元/张，活动价14元/张；购买田园小火车、魔幻迷宫、月季园、蝴蝶馆等项目套票原价100元/张，活动价70元/张。
大伯生态农庄：消费满300送1张100元代金券;消费满500送200元代金券或面值100元提货券（鱼券）；消费满800送300元代金券或2张面值100元提货券（鱼券）或1张面值136元提货券（虾券）。活动时间：全年。
路线推荐
线路一
成都--（汽车自驾90分钟）雅安--（汽车自驾30分钟）芦山县东汉石刻馆（参观红军石刻标语展馆）--（汽车自驾5分钟）县博物馆（参观红军在芦山展厅）--（汽车自驾20分钟）龙门古镇景区中国工农红军第四方面军第三十军指挥部旧址（了解青龙关战役历史）--（汽车自驾5分钟，青龙山庄0835-6673099）/龙门方舟0835--5955666）--（汽车自驾20分钟）邛崃市红军村--（汽车自驾60分钟）成都。
线路二
成都--（汽车自驾90分钟）雅安--（汽车自驾30分钟）芦山县东汉石刻馆（参观红军石刻标语展馆）--（汽车自驾5分钟）县博物馆（参观红军在芦山展厅）--（汽车自驾20分钟）龙门古镇景区中国工农红军第四方面军第三十军指挥部旧址（了解青龙关战役历史）--（汽车自驾5分钟，青龙山庄0835-6673099）/龙门方舟0835--5955666）--（汽车自驾20分钟）邛崃市红军村--（汽车自驾60分钟）成都。
线路三
成都--（汽车自驾90分钟）雅安--（汽车自驾30分钟）汉姜古城景区（午餐，好吃兔中餐馆18981636333、随饭菜中餐馆0835-6569999、竹雄英小吃店15984533395）--（汽车自驾30分钟）龙门溶洞--（汽车自驾20分钟）射箭坪--（汽车自驾20分钟）围塔漏斗--（晚餐、住宿，漏斗印象13388341252、舒兴山庄13350563389）--（汽车自驾90分钟）大川河景区--（午餐、住宿，大川河乡村酒店、皂角楼、川梦苑）--（成温邛高速，汽车自驾90分钟）成都
游客咨询：
飞仙关游客中心： 0835--6572204
汉姜古城游客中心：0835--6527717
龙门古镇游客中心：0835--6673206
龙门锦绣田园游客中心：0835--6573518
龙门溶洞游客中心：0835--6673111
大川河游客中心： 0835--6688763
温馨提示：飞仙关景区暂未对外开放
五月，是一个缤纷多彩的季节
五月的天，像一抹温柔的笑
温和而不疏淡，热烈但不拘束；
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今年是中国共产党建党100周年，
芦山作为革命老区县，
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东汉石刻馆（红军石刻标语展馆）：位于雅安市芦山县汉姜古城景区内，主要展示红军长征在芦山留下的石刻标语，在这里可以感悟红军坚韧不屈的革命信念，以及了解当时的路线方针政策。红军石刻标语充分展现了长征是宣言书、长征是宣传队、长征是播种机。同时在这里也可一睹素有汉艺精粹的汉代石刻，全国重点文物保护单位----樊敏碑阙及石刻。
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二
欢乐亲子之旅
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三
地学研学之旅
地学研学游是近期热门的旅游体验项目，带着家人、朋友，去实地探索，体验人生中一场别开生面的户外地学游。
龙门溶洞：坐落在国家AAAA级旅游景区龙门古镇内，是亚洲最长的砾岩溶洞。洞内四季恒温，夏日凉云外涌，会在洞外形成一个云涌洞口的仙境奇观，有着“中国地质奇观、巴蜀砾岩世界”的美称。
射箭坪：位于芦山县龙门镇、太平镇、宝盛乡交界处，是一处风景独特的低海拔观景平台，可近看云海、远眺贡嘎；晨看日出、夜观星空。
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大伯生态农庄：消费满300送1张100元代金券;消费满500送200元代金券或面值100元提货券（鱼券）；消费满800送300元代金券或2张面值100元提货券（鱼券）或1张面值136元提货券（虾券）。活动时间：全年。
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线路三
成都--（汽车自驾90分钟）雅安--（汽车自驾30分钟）汉姜古城景区（午餐，好吃兔中餐馆18981636333、随饭菜中餐馆0835-6569999、竹雄英小吃店15984533395）--（汽车自驾30分钟）龙门溶洞--（汽车自驾20分钟）射箭坪--（汽车自驾20分钟）围塔漏斗--（晚餐、住宿，漏斗印象13388341252、舒兴山庄13350563389）--（汽车自驾90分钟）大川河景区--（午餐、住宿，大川河乡村酒店、皂角楼、川梦苑）--（成温邛高速，汽车自驾90分钟）成都
游客咨询：
飞仙关游客中心： 0835--6572204
汉姜古城游客中心：0835--6527717
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温馨提示：飞仙关景区暂未对外开放
《激光芯片封装部落-半导体激光器失效的内部因素 篇八》
对于光纤激光器的技术问题主要表现在光子暗化、受激拉曼散射及横向模式不稳定性等方面。解决问题的有效途径：减少光子暗化引起的损耗，可以采用降低光纤掺杂浓度；提升受激拉曼散射阈值，可以采用大芯径光纤、增大模场面积；减小光纤盘绕半径，提供双向泵浦能有效抑制横向模式不稳定现象。
半导体激光器在使用一段时间也会出现不同程度的退化现象，大功率半导体激光器在各种不同应用场合下,激光器的可靠性是至关重要的考量。对于大功率半导体激光器,在高光功率密度工作时,器件工作稳定性发生退化,最大输出功率受到限制,器件使用寿命将会缩短。
量子阱结构激光器来说，量子阱是由带隙较窄的材料被夹在带隙较宽的材料中间形成的。当在导带量子阱中的电子与价带量子阱中的空穴复合时，就会放出一个光子，从而实现了光的产生。这种有源区结构的缺点是不可避免地造成一定比例的载流子从量子阱泄漏出去，然后在量子阱区域外进行非辐射复合，从而降低了半导体激光器的量子效率，阈值电流也会增加。对于外延结构设计开发者来说，外延结构生长工艺要有针对性的改善。
主要失效模式及机理：
随着工作时间的增加,半导体激光器的工作性能将会劣化,最明显的变化是在保持输出功率不变的情况下,工作电流会增加以及斜率效率会下降,有时还会发生突然失效的灾变性损坏。对半导体激光器来说,除了工作温度、使用条件等环境因素会影响其工作可靠性和寿命外,其本身的内部的因素也是造成其退化的主要原因。
介绍下暗线缺陷（DLD）：
暗线缺陷（DLD）是激光器工作时形成的位错网络,这些缺陷一旦侵人光腔一有源区,就会增加载流子非辐射复合速率,形成强烈的光吸收,使阑值电流不断增加, 光转换效率下降,发射功率下降。暗线缺陷的形成除了材料衬底、外延生长和工 艺过程中引人之外,它还与非辐射电子一空穴复合引起的结构微观变化有关,非辐射复合产生的能量可传递给其它电子或以声子的形式释放,引起缺陷中心附近 的晶格构造发生改变,促使缺陷发生攀移或滑移,最终形成暗线缺陷。因此暗线缺陷的形成过程与温度有很大的关系,它所引起的退化速率强烈地依赖于温度。
材料内部晶体缺陷和应力位于半导体激光器有源区所产生的缺陷,或者是由其 它区域迁移扩散到有源区的位错会引起缺陷并在腔面造成主要缺陷。这些缺陷 可以分为两类：发生于有源区的均勾退化；因为有源区光吸收所产生的暗线缺陷 （DLD）和暗点缺陷（DSD）。这些缺陷的形成一方面是衬底和外延层在生长还有 工艺等过程中所造成的,另 一方面则受到激光器非辖射复合的影响。除此之外, 杂质也会引起器件发生退化,并且发生这些过程的程度均受温度影响,每次退化速率都强烈的依赖于温度的变化。材料内部缺陷会随着温度的升高而逐步扩大 , 最终影响到腔面。
暗线和暗点：
当半导体激光器在高功率密度工作时,有源区会产生许多非福射复合吸收强烈 的区域,随着半导体激光器发生退化,它们的尺寸会随着退化的过程而不断的增加,最终形成与。线位错是造成与的主要潜在因素。一方面,在外延材料生长时线 位错会形成于晶格缺陷的周围。当晶格中的杂质浓度达到时,线位错就会发生攀移并形成，另一方面,当器件工作时,有源区内缺陷相互作用,导致线位错发生攀移。激光器在高功率密度工作时,有源区局部焴融,溶化区域会由腔面慢慢向有源 区深入蔓延,最终在该处形成密集的点缺陷,造成器件失效。
非福射俄歇复合使半导体激光器对温度灵敏度升高,器件的阈值电流等性能参 数受温度影响显著。同时,对于三-五族的半导体激光器,其半导体材料的价带存在自旋轨道分裂带，电子吸收光子后跃迁到重空穴带会造成的光损耗,并会随着温度的升高而加剧,最终引起半导体激光器的阈值电流增加、量子效率降低、可 靠性变差,最后造成器件失效。
腔面损伤退化：
腔面损伤退化一般引起退化的腔面是指半导体激光器谐振腔面的解理面,它是激光器的重要组成部分，腔面的损伤退化一般有灾变性腔面损伤退化和腔面的化学腐蚀损伤退化。在高功率密度激光特别是在激光脉冲工作条件下的高峰值功率密度的作用下,由于近场的不均匀、局部过热、氧化、腐蚀、介质膜的针孔和杂质等因素使腔面遭受损伤,增加表面态复合或光吸收,使注人电流密度增加,局部大量发热,造成解理面局部熔融、分解,而且温度的增加又使吸收系数加大,形成恶性循环,最终导致灾变性的损伤,使器件完全失效。腔面的化学腐蚀是由于光化学作用使腔面表面发生氧化,并在腔面上形成局部缺陷,导致腔面局部的反射系数 的变化,影响激射光丝位置的稳定性,增加了非辐射复合速率。特别是含铝的Ga
As/AlGaAs材料半导体激光器,铝元素吸附水汽和氧而使端面氧化形成局部缺陷,影响表面对光的吸收,导致局部大量发热,使激光器性能退化甚至失效。
光学灾变损伤即COD（catastrophic optical damage）的发生对于激光器来说是及其危害的。COD的发生涉及到三个阶段：第一阶段,是激光器达到临界性腔面温度,在长时 连续波工作发生逐渐退化或者高强度电流脉冲作用下,激光器腔面温度超过设定范围，然后诱导热失控引起了最主要的腔面损害的发生,包括腔面培融、氧化和损伤；第三阶段,靠近腔面附近的缺陷蔓延扩散造成了继发性损害，最终发生损毁器件失效。而这一时刻的输出功率即为激光器的阈值。它表明了器件的最大输出功率和寿命。
电极退化：
电极退化高功率半导体激光器的欧姆接触退化和热阻退化与其它电子器件的电极退化类似,电极金属和半导体材料之间存在互扩散,在烧结的部位,孔洞和晶须 的生长现象是常见的退化模式飞，另外,作为三-五簇复合半导体材料,对电极材料间热膨胀和热匹配的要求是很高的,热应力导致的损伤比其它光电子器件更常见。 由于电极远离器件的有源区,电极退化对器件特性的影响一般在老化或工作一定时间后再表现出来。
主要失效模式及机理与芯片烧结工艺的关系：
半导体激光器的工作性能对温度非常敏感,温度升高将加速暗线曲线的产生和生长、腔面氧化等失效机理的失效进程,严重影响激光器的寿命。由于激光器因其转换效率不高,自身的功耗很大,降低热阻是提高激光器寿命和可靠性的主要方法之一。芯片电极烧结的质量好坏不但影响了热阻的大小,而且还关系到电极的电阻,因为激光器在正常工作时,其一般工作电流为几十甚至上百安培,即使很小的电极电阻,也将产生很大的热功耗,减小电极电阻可以减小激光器本身的热功耗。所以电极的烧结质量与半导体激光器的性能、稳定性和可靠性紧密相关。
半导体激光器在实际应用中，制作工艺过程至关重要。
激光芯片在烧结焊接过程中，焊料会引起PN结短路、烧结空洞、沾污腔面等是导致半导体激光器退化的主要方面，在激光器实际生产过程中值得多加注意。
对于光纤激光器的技术问题主要表现在光子暗化、受激拉曼散射及横向模式不稳定性等方面。解决问题的有效途径：减少光子暗化引起的损耗，可以采用降低光纤掺杂浓度；提升受激拉曼散射阈值，可以采用大芯径光纤、增大模场面积；减小光纤盘绕半径，提供双向泵浦能有效抑制横向模式不稳定现象。
半导体激光器在使用一段时间也会出现不同程度的退化现象，大功率半导体激光器在各种不同应用场合下,激光器的可靠性是至关重要的考量。对于大功率半导体激光器,在高光功率密度工作时,器件工作稳定性发生退化,最大输出功率受到限制,器件使用寿命将会缩短。
量子阱结构激光器来说，量子阱是由带隙较窄的材料被夹在带隙较宽的材料中间形成的。当在导带量子阱中的电子与价带量子阱中的空穴复合时，就会放出一个光子，从而实现了光的产生。这种有源区结构的缺点是不可避免地造成一定比例的载流子从量子阱泄漏出去，然后在量子阱区域外进行非辐射复合，从而降低了半导体激光器的量子效率，阈值电流也会增加。对于外延结构设计开发者来说，外延结构生长工艺要有针对性的改善。
主要失效模式及机理：
随着工作时间的增加,半导体激光器的工作性能将会劣化,最明显的变化是在保持输出功率不变的情况下,工作电流会增加以及斜率效率会下降,有时还会发生突然失效的灾变性损坏。对半导体激光器来说,除了工作温度、使用条件等环境因素会影响其工作可靠性和寿命外,其本身的内部的因素也是造成其退化的主要原因。
介绍下暗线缺陷（DLD）：
暗线缺陷（DLD）是激光器工作时形成的位错网络,这些缺陷一旦侵人光腔一有源区,就会增加载流子非辐射复合速率,形成强烈的光吸收,使阑值电流不断增加, 光转换效率下降,发射功率下降。暗线缺陷的形成除了材料衬底、外延生长和工 艺过程中引人之外,它还与非辐射电子一空穴复合引起的结构微观变化有关,非辐射复合产生的能量可传递给其它电子或以声子的形式释放,引起缺陷中心附近 的晶格构造发生改变,促使缺陷发生攀移或滑移,最终形成暗线缺陷。因此暗线缺陷的形成过程与温度有很大的关系,它所引起的退化速率强烈地依赖于温度。
材料内部晶体缺陷和应力位于半导体激光器有源区所产生的缺陷,或者是由其 它区域迁移扩散到有源区的位错会引起缺陷并在腔面造成主要缺陷。这些缺陷 可以分为两类：发生于有源区的均勾退化；因为有源区光吸收所产生的暗线缺陷 （DLD）和暗点缺陷（DSD）。这些缺陷的形成一方面是衬底和外延层在生长还有 工艺等过程中所造成的,另 一方面则受到激光器非辖射复合的影响。除此之外, 杂质也会引起器件发生退化,并且发生这些过程的程度均受温度影响,每次退化速率都强烈的依赖于温度的变化。材料内部缺陷会随着温度的升高而逐步扩大 , 最终影响到腔面。
暗线和暗点：
当半导体激光器在高功率密度工作时,有源区会产生许多非福射复合吸收强烈 的区域,随着半导体激光器发生退化,它们的尺寸会随着退化的过程而不断的增加,最终形成与。线位错是造成与的主要潜在因素。一方面,在外延材料生长时线 位错会形成于晶格缺陷的周围。当晶格中的杂质浓度达到时,线位错就会发生攀移并形成，另一方面,当器件工作时,有源区内缺陷相互作用,导致线位错发生攀移。激光器在高功率密度工作时,有源区局部焴融,溶化区域会由腔面慢慢向有源 区深入蔓延,最终在该处形成密集的点缺陷,造成器件失效。
非福射俄歇复合使半导体激光器对温度灵敏度升高,器件的阈值电流等性能参 数受温度影响显著。同时,对于三-五族的半导体激光器,其半导体材料的价带存在自旋轨道分裂带，电子吸收光子后跃迁到重空穴带会造成的光损耗,并会随着温度的升高而加剧,最终引起半导体激光器的阈值电流增加、量子效率降低、可 靠性变差,最后造成器件失效。
腔面损伤退化：
腔面损伤退化一般引起退化的腔面是指半导体激光器谐振腔面的解理面,它是激光器的重要组成部分，腔面的损伤退化一般有灾变性腔面损伤退化和腔面的化学腐蚀损伤退化。在高功率密度激光特别是在激光脉冲工作条件下的高峰值功率密度的作用下,由于近场的不均匀、局部过热、氧化、腐蚀、介质膜的针孔和杂质等因素使腔面遭受损伤,增加表面态复合或光吸收,使注人电流密度增加,局部大量发热,造成解理面局部熔融、分解,而且温度的增加又使吸收系数加大,形成恶性循环,最终导致灾变性的损伤,使器件完全失效。腔面的化学腐蚀是由于光化学作用使腔面表面发生氧化,并在腔面上形成局部缺陷,导致腔面局部的反射系数 的变化,影响激射光丝位置的稳定性,增加了非辐射复合速率。特别是含铝的Ga
As/AlGaAs材料半导体激光器,铝元素吸附水汽和氧而使端面氧化形成局部缺陷,影响表面对光的吸收,导致局部大量发热,使激光器性能退化甚至失效。
光学灾变损伤即COD（catastrophic optical damage）的发生对于激光器来说是及其危害的。COD的发生涉及到三个阶段：第一阶段,是激光器达到临界性腔面温度,在长时 连续波工作发生逐渐退化或者高强度电流脉冲作用下,激光器腔面温度超过设定范围，然后诱导热失控引起了最主要的腔面损害的发生,包括腔面培融、氧化和损伤；第三阶段,靠近腔面附近的缺陷蔓延扩散造成了继发性损害，最终发生损毁器件失效。而这一时刻的输出功率即为激光器的阈值。它表明了器件的最大输出功率和寿命。
电极退化：
电极退化高功率半导体激光器的欧姆接触退化和热阻退化与其它电子器件的电极退化类似,电极金属和半导体材料之间存在互扩散,在烧结的部位,孔洞和晶须 的生长现象是常见的退化模式飞，另外,作为三-五簇复合半导体材料,对电极材料间热膨胀和热匹配的要求是很高的,热应力导致的损伤比其它光电子器件更常见。 由于电极远离器件的有源区,电极退化对器件特性的影响一般在老化或工作一定时间后再表现出来。
主要失效模式及机理与芯片烧结工艺的关系：
半导体激光器的工作性能对温度非常敏感,温度升高将加速暗线曲线的产生和生长、腔面氧化等失效机理的失效进程,严重影响激光器的寿命。由于激光器因其转换效率不高,自身的功耗很大,降低热阻是提高激光器寿命和可靠性的主要方法之一。芯片电极烧结的质量好坏不但影响了热阻的大小,而且还关系到电极的电阻,因为激光器在正常工作时,其一般工作电流为几十甚至上百安培,即使很小的电极电阻,也将产生很大的热功耗,减小电极电阻可以减小激光器本身的热功耗。所以电极的烧结质量与半导体激光器的性能、稳定性和可靠性紧密相关。
半导体激光器在实际应用中，制作工艺过程至关重要。
激光芯片在烧结焊接过程中，焊料会引起PN结短路、烧结空洞、沾污腔面等是导致半导体激光器退化的主要方面，在激光器实际生产过程中值得多加注意。
和超有气质的杨.蓉小姐姐一起抗.糖
我在小.红.书里面关.注了挺多艺.人的，前几天杨.蓉开始发起「30天抗.糖大挑.战」
要说「抗.糖」这个话题，近两年都挺火的，我身边很多妹子也都在抗.糖
抗.糖其实就是身体里面多余的糖分会糖化，然后产生一种叫AGEs的生成物而AGEs很难被分解代谢，会影响皮肤的胶原蛋白和弹性蛋白，皮肤就会变得松 弛也就是所谓的皱纹
抗.糖不仅对皮肤有帮助，对身体本身也很好，但是我做不到完全的戒糖，只是把除了每顿的米饭之外，其它的含糖物都适当减少了再加上适当的有氧运动。
不过我觉得效.果不是很好，这次看到杨.蓉小姐姐的视频才知道，原来还需要搭配抗.糖.饮来强.化抗.糖效.果，既然如此，那我就积极响应一下杨蓉的号召吧，参与到了抗.糖的行列中来。
但她.推.荐的这个AG抗.糖饮，其实对我来说不算新种草，因为我之前就有发现吴.昕、秦.岚他们都在用.它，只是出于价格考虑，一直没有忍心购买，但既然这次杨.蓉也鼎.力推.荐，我就又仔细研究了一下这个产.品。
它里面有独♛家的抗.糖成分，还能促进胶原蛋白的合成
不过说真的味道还不错酸酸甜甜的 还是0热量
虽然只坚持了不到1周，但我会继续努力坚持下去，抗糖30天，必胜！
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