1）生长温度高。SiC 晶体需要在 2300°C 以上的高温环境中生长，且在生产中需要精确调控 生长温度，控制难度极大，Si 生长温度为 1600°C；

2）生长速度慢。SiC 7 天才能生长 2cm 左右，而硅棒拉晶 2-3 天即可拉出约 2m 长的 8 英 寸硅棒；

3）晶体类型多。SiC 存在 200 多种晶体结构类型，其中六方结构的 4H 型（4H-SiC）等少数 几种晶体结构的单晶型碳化硅才是所需的半导体材料，在晶体生长过程中需要精确控制硅碳 比、生长温度梯度、晶体生长速率以及气流气压等参数，否则容易产生多晶型夹杂，导致产 出的晶体不合格；

4）扩径难度大。气相传输法下，SiC 晶体生长的扩径技术难度极大，随着晶体尺寸的扩大， 其生长难度工艺呈几何级增长；

5）材料硬度高。SiC 莫氏硬度为 9.2-9.6，与金刚石接近，切割、研磨、抛光技术难度大， 工艺水平的提高需要长期的研发积累。

由于 SiC 晶体生长速率慢、制备技术难度较大，导致大尺寸、高品质 SiC 衬底生产成本依旧 较高，产量低、价格高成为制约 SiC 大规模应用推广的主要因素。根据 CASA 数据，近年来 SiC SBD 和 SiC MOSFET 器件呈现逐步下降趋势，并且与 Si FRD 和 Si IGBT器件的价格 差也在缩小。

650V SiC SBD vs Si FRD：2017-2020 年 SiC SBD 价格由 4.1 元/A 下降至 1.58 元/A，降幅 达 61.5%。价格差则由 2.6 元/A 下降至 2.97 元/A；

1200V SiC SBD vs Si FRD：2017-2020 年 SiC SBD 价格由 6.55 元/A 下降至 3.83 元/A，降 幅达 41.5%。价格差则由 4.55 元/A 下降至 1.16 元/A；

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优点：3房格局、平成年建、平成28年共用区大规模修缮、宅配箱

【国内首款！宁波前湾新区一数字经济企业新品比肩国际一流水平】近日，位于宁波前湾新区数字经济产业园的清纯半导体（宁波）有限公司，发布了国内首款15V驱动的 1200V SiC Mosfet器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品的空白，使国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

该系列产品与国际主流产品相比，具有更低的导通损耗、更低的热阻、较低开关损耗，综合损耗更小，效率更高，其首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单。https://t.cn/A6XvaHAv