【#三星开始开发DDR6内存#：消息称传输速度高达17000Mbps】7月16日消息，据 Sammobile 报道，三星副总裁 Younggwan Ko 最近在韩国水原举行的一次研讨会上表示，随着存储半导体变得更强大，封装技术必须与存储半导体一起发展。将MSAP工艺应用于其DDR6内存芯片将允许三星制造具有更精细电路的芯片。据了解，三星于本周早些时候推出了其首款用于显卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片，报道称，该公司处于 DDR6 开发的早期阶段，根据去年的一份报告，其 DDR6 设计可能会在 2024 年完成。预计DDR6的速度是DDR5的两倍，内存通道数也是DDR5的两倍。DDR6（JEDEC）可以实现大约 12800Mbps的传输速率，或支持超频到 17000Mbps。（IT之家）https://t.cn/A6aWeaep

#A股##今日分析# 据韩国电子媒体The Elec报道，三星电子测试与系统封装（TSP）副主管Younggwan Ko在一次研讨会上说，三星的竞争对手已经从DDR5内存开始应用MSAP（改良半加成法）封装技术，三星将从DDR6开始在DRAM生产中应用MSAP封装技术。在MSAP中，除了电路以外的区域被涂覆，空隙则被电镀，从而使电路更加精细。这位副主管说，随着存储芯片容量和数据处理速度的提高，必须设计出适合这种情况的封装。

DDR6内存首曝：容量、性能大增[吃瓜]

当下，DDR5内存还远未到要主流普及的程度。不过，DRAM内存芯片的头部厂商们已经着手DDR6研制了。

日前在韩国水原举办的一场研讨会上，三星测试与系统封装副总裁Younggwan Ko表示，为适配半导体存储产品的性能的增长，封装技术必须不断进步。

会上，他明确，在DDR6内存芯片的开发中，三星将使用MSAP，也就是改良型半加成工艺(Modified semi-additive process)。

资料显示，MSAP起初应用于IC载板高精密线路制作，技法是首先在附有超薄底铜的基板上贴合干膜使用正片进行图形转移，再通过图形电镀加成形成线路，最后去除干膜和底铜完成高精密布线，以实现提升PCB的高频高速性能。

和当前三星使用的隆起法相比，MSAP在空白部分也要镀层。

Ko指出，DDR6的存储容量和处理速度将大幅增加，需要更多的堆叠层数，对封装技术来说既是机遇也是挑战。

另外，Ko也坦言，友商已经先于自己在DDR5颗粒上使用MSAP技术了。

事实上，虽然出货上仍旧是DRAM龙头老大，但三星在技术开发上的确出现落后，抛开上文的MSAP，1a DRAM芯片量产进度也不及SK海力士和美光。

值得一提的是，根据早先爆料，DDR6内存的频率预计在12~17GHz，问世起码还要5年时间。#内存#