据外媒报道，华为公司将于集成电路领域顶会-VLSI Symposium 2022上，发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术。

报道称，华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧（IGZO）材料的CAA（Channel-All-Around）构型晶体管，具有出色的温度稳定性和可靠性。

根据此前报道，在去年举办的IEDM 2021上，中科院微电子所李泠研究员团队联合华为/海思团队，首次提出了新型垂直环形沟道器件结构（CAA），该结构有效减小了器件面积，且支持多层堆叠，通过将上下两个CAA器件直接相连，每个存储单元的尺寸可减小至4F2，使IGZO-DRAM拥有了密度优势，有望克服传统1T1C-DRAM的微缩挑战。

【华为与中科院共研新3D DRAM芯片】近日，有外媒表示，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术，进行各种有关内存的演示。据外媒透露，华为这次发布的3D DRAM 技术，是基于铟镓锌氧 IGZO-FET材料的 CAA 构型晶体管 3D DRAM 技术，具有出色的温度稳定性和可靠性。

【#CAA表白日# 】520大声说出你的爱

那些没说出口的爱
让我们趁着“520”
勇敢表白吧！

大家可以进入#CAA表白日# 话题参与互动
也可进入微信留言区（https://t.cn/A6X6Un82）
写下自己对祖国、对中国自动化学会、对家人或朋友的爱的表白！

活动截止到2022年5月20日中午12:00
我们将精选部分内容于5月20日登上CAA表白墙
快快敲敲手指留言吧
小编在520等你哦！