/5岁半，GE3.7/
今年4月测试GE3.1 美国小学生3年级第一个月阅读水平。
4月—-7月，断了3个月的阅读，原因是对某套Non-fiction不感兴趣，而我又偏想让他读那套。小人儿干脆罢工，不读了。这几个月阅读肯定退步了，但没有测试，具体退步数值不知。
7月去泰国，Dogman让他重拾了阅读兴趣，每天恢复阅读，8月测试AR值没有变化，还是GE3.1。推测7月份的阅读把之前的退步给弥补到4月阅读值。要不数值一定会下降的。
8月下旬开始有规律的每天读神奇树屋，一天不落。平均每天阅读1000多字，11月份开始自己加码，每天读几千字。读完会时不时的做quiz。这也是我放手后，唯一能检验他阅读理解程度的方式。
我已经半年多没有管过他阅读了，每天自己安排时间自己读书。今天测试想看看，就这么自己泛读，做做quiz，是否会稳步提升。
结果证明，坚持阅读，阅读能力就会稳步提升，恩恩用了4个半月的时间，进步了6个月内容，现在是美国小学生3年级第7个月阅读水平。但只要断了阅读，就一定会退步。
让孩子能自己坚持的唯一方式就是他得有阅读兴趣。阅读兴趣的培养比让读几本书难多了，低龄娃赶紧抓。
懒妈给自己找到了继续懒下去的理由，不用管也是在提高，但是，如果我勤快点，带着他做做精读，效果肯定会更好。不-能-继续-懒下去-了... 希望我明年忙碌的同时也能兼顾到他[委屈]
今年4月测试GE3.1 美国小学生3年级第一个月阅读水平。
4月—-7月，断了3个月的阅读，原因是对某套Non-fiction不感兴趣，而我又偏想让他读那套。小人儿干脆罢工，不读了。这几个月阅读肯定退步了，但没有测试，具体退步数值不知。
7月去泰国，Dogman让他重拾了阅读兴趣，每天恢复阅读，8月测试AR值没有变化，还是GE3.1。推测7月份的阅读把之前的退步给弥补到4月阅读值。要不数值一定会下降的。
8月下旬开始有规律的每天读神奇树屋，一天不落。平均每天阅读1000多字，11月份开始自己加码，每天读几千字。读完会时不时的做quiz。这也是我放手后，唯一能检验他阅读理解程度的方式。
我已经半年多没有管过他阅读了，每天自己安排时间自己读书。今天测试想看看，就这么自己泛读，做做quiz，是否会稳步提升。
结果证明，坚持阅读，阅读能力就会稳步提升，恩恩用了4个半月的时间，进步了6个月内容，现在是美国小学生3年级第7个月阅读水平。但只要断了阅读，就一定会退步。
让孩子能自己坚持的唯一方式就是他得有阅读兴趣。阅读兴趣的培养比让读几本书难多了，低龄娃赶紧抓。
懒妈给自己找到了继续懒下去的理由，不用管也是在提高，但是，如果我勤快点，带着他做做精读，效果肯定会更好。不-能-继续-懒下去-了... 希望我明年忙碌的同时也能兼顾到他[委屈]
什么是核心交换机？与普通交换机有什么区别？
有很多朋友问到，核心交换机与普通交换机有什么区别，今天我们一起来了解下。
数据中心级交换机以高质量的业务保证和控制识别能力为特征，端到端的流控与背压机制，保证数据传输的稳定可靠，平抑网络浪涌。可靠性、安全性更高，组网方式更简单，业务部署更快捷。
一、什么是数据中心核心交换机？
核心交换机并不是交换机的一种类型，而是放在核心层（网络主干部分）的交换机叫核心交换机，一般大型企业网络和网吧需要购买核心交换机来实现强大的网络扩展能力，以保护原有的投资，电脑达到一定数量才会要用上核心 交换机，而基本在50台以下无需用核心交换机，有个 路由器即可，所谓的核心交换机是针对网络架构而言，如果是个几台电脑的小局域网，一个8口的小交换机就可以称之为核心交换机！而在网络行业中核心交换机是指有网管功能，吞吐量强大的2层或者3层交换机，一个超过100台电脑的网络，如果想稳定并高速的运行，核心交换机必不可少。
二、核心交换机与普通交换机的区别
1、端口的区别
普通交换机端口数量一般为24-48个，网口大部分为千兆以太网或者百兆以太网口，主要功能用于接入用户数据或者汇聚一些接入层的交换机数据，这种交换机最多可以配置Vlan简单路由协议和一些简单的SNMP等功能，背板带宽相对较小。
核心交换机端口数量较多，通常采用模块化，可以自由搭配光口和千兆以太网口。一般核心交换机都是三层交换机，可设置路由协议/ACL/QoS/负载均衡等各种高级网络协议。最主要的一点是核心交换机的背板带宽远远高于普通交换机，且通常有单独引擎模块，并且为主备用。
2、用户连接或访问网络的区别
通常将网络中直接面向用户连接或访问网络的部分称为接入层，将位于接入层和核心层之间的部分称为分布层或汇聚层，接入层目的是允许终端用户连接到网络，因此接入层交换机具有低成本和高端口密度特性。汇聚层交换机是多台接入层交换机的汇聚点，它必须能够处理来自接入层设备的所有通信量，并提供到核心层的上行链路，因此汇聚层交换机具备更高的性能，更少的接口和更高的交换速率。
而网络主干部分则称为核心层，核心层的主要目的在于通过高速转发通信，提供优化、可靠的骨干传输结构，因此核心层交换机应用有更高的可靠性、性能和吞吐量。
相比普通交换机，核心交换机需具备：大缓存、高容量、虚拟化、可扩展性、模块冗余技术等方面的特征。
3、大缓存技术
数据中心交换机改变了传统交换系统的出端口缓存方式，采用分布式缓存架构，缓存比普通交换机也大许多，缓存能力可达1G以上，而一般的交换机只能达到2~4M。对于每端口在万兆全线速条件下达到200毫秒的突发流量缓存能力，从而在突发流量的情况下，大缓存仍能保证网络转发零丢包，正好适应数据中心服务器量大，突发流量大的特点。
4、高容量设备
数据中心的网络流量具有高密度应用调度、浪涌式突发缓冲的特点，而普通交换机以满足互连互通为主要目的，无法实现对业务精确识别与控制，在大业务情况无法做到快速响应和零丢包，无法保证业务的连续性，系统的可靠性主要依赖于设备的可靠性。
所以普通交换机无法满足数据中心的需要，数据中心交换机需要具备高容量转发特点，数据中心交换机必须支持高密万兆板卡，即48口万兆板卡，为使48口万兆板卡能够全线速转发，数据中心交换机只能采用CLOS分布式交换架构。除此之外，随着40G和100G的普及，支持8端口40G板卡和4端口的100G板卡也逐渐商用，数据中心交换机40G、100G的板卡早已出现进入市场，从而满足数据中心高密度应用的需求。
5、虚拟化技术
数据中心的网络设备需要具有高管理性和高安全可靠性的特点，因此数据中心的交换机也需要支持虚拟化，虚拟化就是把物理资源转变为逻辑上可以管理的资源，以打破物理结构之间的壁垒，网络设备的虚拟化主要包括多虚一，一虚多技术，多虚多等技术。
通过虚拟化技术，可以对多台网络设备统一管理，也可以对一台设备上的业务进行完全隔离，从而可以将数据中心管理成本减少40%，将IT利用率提高大约25%。
7、可扩展性
可扩展性应当包括两个方面：
a、插槽数量：插槽用于安装各种功能模块和接口模块。由于 每个接口模块所提供的端口数量是一定的，因此插槽数量也就从根本上决定着交换机所能容纳的端口数量。另外，所有功能模块(如超级引擎模块、IP语音模块、 扩展服务模块、网络监控模块、安全服务模块等)都需要占用一个插槽，因此插槽数量也就从根本上决定着交换机的可扩展性。
b、模块类型：毫无疑问，支持的模块类型(如LAN接口模块、WAN接口模块、ATM接口模块、 扩展功能模块等)越多，交换机的可扩展性越强。仅以局域网接口模块为例，就应当包括RJ-45模块、GBIC模块、SFP模块、10Gbps模块等，以适 应大中型网络中复杂环境和网络应用的需求。
8、模块冗余
冗余能力是网络安全运行的保证。任何厂商都不能保证其产品在运行的过程中不发生故障。而故障发生时能否迅速切换就取决于设备的冗余能力。对于核心交换机而 言，重要部件都应当拥有冗余能力，比如管理模块冗余、电源冗余等，这样才可以在最大程度上保证网络稳定运行。
9、路由冗余
利用HSRP、VRRP协议保证核心设备的负荷分担和热备份，在核心交换机和双汇聚交换机中的某台交换机出现故障时，三层路由设备和虚拟网关能够快速切换，实现双线路的冗余备份，保证整网稳定性。
三、总结
核心交换机简单的总结下来，就是这16点：
1、背板带宽大，数据转发速度更快。
2、组网灵活，应用大中型网络的接入层。
3、提供的端口灵活，根据网络的应用选择不同的接口形式如：SFP、GE、快速以太口、以太口等。
4、支持vlan的划分，用户可以针对不同的应用进行区域划分，有效的对网络进行控制和管理。进步抑制广播风暴。 5、可网管交换机的数据吞吐量(Throughput)大、包丢失率(PacketLoss)小、延迟(Latency)低。
6、可以基于源、目的、网段进行数据信息流的控制。
7、链路聚合可以让交换机和交换机以及交换机和服务器之间通过多个以太网端口绑定在一起，实现负载均衡。
8、具有ARP的防护功能，进步减少网络的ARP欺骗。
9、具有MAC地址的绑定。
10、端口镜像功能可以将一个端口的流量和状态复制到交换机的另一个端口，用于监管。
11、支持DHCP的功能。
12、访问控制列表它可以对IP数据包进行控制，比如限制它的流量、出入以及提供QoS等等。
13、具有较好的安全性能：交换机都可以进行MAC地址的过滤、MAC地址锁定，并可以构建静态的MAC转发表。
14、能够支持IEEE802.1Q和基于端口技术的VLAN。而IEEE802.1QVLAN中涉及的GVRP(GARP，VLAN注册协议)和GMRP(GARP组播注册协议)也被广泛地支持。
15、具有SNMP功能，更能对网络实现很好的管理和控制。
16、易于扩展，灵活应用，可以通过网络管理软件进行管理，也可以通过其本身的访问控制对其进行远程访问。增加网络的安全性和可控制性。
有很多朋友问到，核心交换机与普通交换机有什么区别，今天我们一起来了解下。
数据中心级交换机以高质量的业务保证和控制识别能力为特征，端到端的流控与背压机制，保证数据传输的稳定可靠，平抑网络浪涌。可靠性、安全性更高，组网方式更简单，业务部署更快捷。
一、什么是数据中心核心交换机？
核心交换机并不是交换机的一种类型，而是放在核心层（网络主干部分）的交换机叫核心交换机，一般大型企业网络和网吧需要购买核心交换机来实现强大的网络扩展能力，以保护原有的投资，电脑达到一定数量才会要用上核心 交换机，而基本在50台以下无需用核心交换机，有个 路由器即可，所谓的核心交换机是针对网络架构而言，如果是个几台电脑的小局域网，一个8口的小交换机就可以称之为核心交换机！而在网络行业中核心交换机是指有网管功能，吞吐量强大的2层或者3层交换机，一个超过100台电脑的网络，如果想稳定并高速的运行，核心交换机必不可少。
二、核心交换机与普通交换机的区别
1、端口的区别
普通交换机端口数量一般为24-48个，网口大部分为千兆以太网或者百兆以太网口，主要功能用于接入用户数据或者汇聚一些接入层的交换机数据，这种交换机最多可以配置Vlan简单路由协议和一些简单的SNMP等功能，背板带宽相对较小。
核心交换机端口数量较多，通常采用模块化，可以自由搭配光口和千兆以太网口。一般核心交换机都是三层交换机，可设置路由协议/ACL/QoS/负载均衡等各种高级网络协议。最主要的一点是核心交换机的背板带宽远远高于普通交换机，且通常有单独引擎模块，并且为主备用。
2、用户连接或访问网络的区别
通常将网络中直接面向用户连接或访问网络的部分称为接入层，将位于接入层和核心层之间的部分称为分布层或汇聚层，接入层目的是允许终端用户连接到网络，因此接入层交换机具有低成本和高端口密度特性。汇聚层交换机是多台接入层交换机的汇聚点，它必须能够处理来自接入层设备的所有通信量，并提供到核心层的上行链路，因此汇聚层交换机具备更高的性能，更少的接口和更高的交换速率。
而网络主干部分则称为核心层，核心层的主要目的在于通过高速转发通信，提供优化、可靠的骨干传输结构，因此核心层交换机应用有更高的可靠性、性能和吞吐量。
相比普通交换机，核心交换机需具备：大缓存、高容量、虚拟化、可扩展性、模块冗余技术等方面的特征。
3、大缓存技术
数据中心交换机改变了传统交换系统的出端口缓存方式，采用分布式缓存架构，缓存比普通交换机也大许多，缓存能力可达1G以上，而一般的交换机只能达到2~4M。对于每端口在万兆全线速条件下达到200毫秒的突发流量缓存能力，从而在突发流量的情况下，大缓存仍能保证网络转发零丢包，正好适应数据中心服务器量大，突发流量大的特点。
4、高容量设备
数据中心的网络流量具有高密度应用调度、浪涌式突发缓冲的特点，而普通交换机以满足互连互通为主要目的，无法实现对业务精确识别与控制，在大业务情况无法做到快速响应和零丢包，无法保证业务的连续性，系统的可靠性主要依赖于设备的可靠性。
所以普通交换机无法满足数据中心的需要，数据中心交换机需要具备高容量转发特点，数据中心交换机必须支持高密万兆板卡，即48口万兆板卡，为使48口万兆板卡能够全线速转发，数据中心交换机只能采用CLOS分布式交换架构。除此之外，随着40G和100G的普及，支持8端口40G板卡和4端口的100G板卡也逐渐商用，数据中心交换机40G、100G的板卡早已出现进入市场，从而满足数据中心高密度应用的需求。
5、虚拟化技术
数据中心的网络设备需要具有高管理性和高安全可靠性的特点，因此数据中心的交换机也需要支持虚拟化，虚拟化就是把物理资源转变为逻辑上可以管理的资源，以打破物理结构之间的壁垒，网络设备的虚拟化主要包括多虚一，一虚多技术，多虚多等技术。
通过虚拟化技术，可以对多台网络设备统一管理，也可以对一台设备上的业务进行完全隔离，从而可以将数据中心管理成本减少40%，将IT利用率提高大约25%。
7、可扩展性
可扩展性应当包括两个方面：
a、插槽数量：插槽用于安装各种功能模块和接口模块。由于 每个接口模块所提供的端口数量是一定的，因此插槽数量也就从根本上决定着交换机所能容纳的端口数量。另外，所有功能模块(如超级引擎模块、IP语音模块、 扩展服务模块、网络监控模块、安全服务模块等)都需要占用一个插槽，因此插槽数量也就从根本上决定着交换机的可扩展性。
b、模块类型：毫无疑问，支持的模块类型(如LAN接口模块、WAN接口模块、ATM接口模块、 扩展功能模块等)越多，交换机的可扩展性越强。仅以局域网接口模块为例，就应当包括RJ-45模块、GBIC模块、SFP模块、10Gbps模块等，以适 应大中型网络中复杂环境和网络应用的需求。
8、模块冗余
冗余能力是网络安全运行的保证。任何厂商都不能保证其产品在运行的过程中不发生故障。而故障发生时能否迅速切换就取决于设备的冗余能力。对于核心交换机而 言，重要部件都应当拥有冗余能力，比如管理模块冗余、电源冗余等，这样才可以在最大程度上保证网络稳定运行。
9、路由冗余
利用HSRP、VRRP协议保证核心设备的负荷分担和热备份，在核心交换机和双汇聚交换机中的某台交换机出现故障时，三层路由设备和虚拟网关能够快速切换，实现双线路的冗余备份，保证整网稳定性。
三、总结
核心交换机简单的总结下来，就是这16点：
1、背板带宽大，数据转发速度更快。
2、组网灵活，应用大中型网络的接入层。
3、提供的端口灵活，根据网络的应用选择不同的接口形式如：SFP、GE、快速以太口、以太口等。
4、支持vlan的划分，用户可以针对不同的应用进行区域划分，有效的对网络进行控制和管理。进步抑制广播风暴。 5、可网管交换机的数据吞吐量(Throughput)大、包丢失率(PacketLoss)小、延迟(Latency)低。
6、可以基于源、目的、网段进行数据信息流的控制。
7、链路聚合可以让交换机和交换机以及交换机和服务器之间通过多个以太网端口绑定在一起，实现负载均衡。
8、具有ARP的防护功能，进步减少网络的ARP欺骗。
9、具有MAC地址的绑定。
10、端口镜像功能可以将一个端口的流量和状态复制到交换机的另一个端口，用于监管。
11、支持DHCP的功能。
12、访问控制列表它可以对IP数据包进行控制，比如限制它的流量、出入以及提供QoS等等。
13、具有较好的安全性能：交换机都可以进行MAC地址的过滤、MAC地址锁定，并可以构建静态的MAC转发表。
14、能够支持IEEE802.1Q和基于端口技术的VLAN。而IEEE802.1QVLAN中涉及的GVRP(GARP，VLAN注册协议)和GMRP(GARP组播注册协议)也被广泛地支持。
15、具有SNMP功能，更能对网络实现很好的管理和控制。
16、易于扩展，灵活应用，可以通过网络管理软件进行管理，也可以通过其本身的访问控制对其进行远程访问。增加网络的安全性和可控制性。
影响硅片倒角加工效率的工艺研究
康洪亮 陶术鹤 张伟才
一、引言
在半导体晶圆的加工工艺中,对晶圆边缘磨削是非常重要的一环。晶锭材料被切割成晶圆后会形成锐利边缘,有棱角、毛刺、崩边，甚至有小的裂缝或其它缺陷，边缘的表面也比较粗糙。而晶圆的构成材料如Si、Ge、InP、GaAs、SiC等均有脆性。通过对晶圆边缘进行倒角处理可将切割成的晶圆锐利边修整成圆弧形,防止晶圆边缘破裂及晶格缺陷产生,，增加晶圆边缘表面的机械强度，减少颗粒污染。同时也可以避免和减少后面的工序在加工、运输、检验等等工序时产生的崩边。倒角后的晶圆由于有了一个比较圆滑的边缘，不易再产生崩边，使后面工序加工的合格率大幅提高。在抛光工艺中，如果晶圆不被倒角，晶圆锋利的边缘将会给抛光布带来划伤，影响抛光布的使用寿命，同时也影响到产品的加工质量（如晶圆的划道）。如硅晶圆除用于太阳能电池制造还常用于制造集成电路。晶圆在制造集成电路的多个工序中，需要多次在 1000多度的高温中进行氧化、扩散和光刻。如果晶圆边缘不好，如有崩边、或边缘没有被倒角，升温和降温的过程中，晶圆的内应力得不到均匀的释放。在高温中晶圆非常容易碎裂或变形，最终使产品报废，造成较大的损失。由于晶圆边缘不好，掉下来的晶渣，如果粘在硅晶圆的表面，将会给光刻工艺的光刻版造成损坏，同时造成器件的表面有针孔和曝光不好，影响产品的成品率。同时，通过边缘倒角可以规范晶圆直径。通常晶圆的直径是由滚圆工序来控制的，由于滚圆设备的精度所限，表面的粗糙度和直径均无法达到客户的要求，倒角工序能很好的控制晶圆直径和边缘粗糙度。晶棒滚磨后，其表面十分粗糙，在后续的传递和切割过程中，边缘损伤会因为机械撞击向内延伸，晶圆切割成型后，边缘存在一圈微观的损伤区域[1]。
在今年的目标责任书中，今年产量比去年增加30%，此外，在今年的生产加工中，多次由于倒角设备故障及检修影响整个生产线的进度，在不增加设备的情况下，如何挖掘现有设备及人员的潜力，提高倒角加工效率，是个重要的研究课题。
二、实验原理
目前国内半导体材料加工厂家，大多使用的设备是日本东精精密产的W-GM系列倒角机和大途株式会社的WBM系列倒角机[2]，普遍采用八英寸倒角砂轮。当前国内倒角机设备使用的磨轮从制造方法上分主要有两种类型：一种是电镀法的磨轮；一种是烧结法的磨轮。电镀法的磨轮主要是美国生产的Diamotec和Nifec等,烧结法的磨轮主要有日本的 Asahi(SUN)、KGW 等。
倒角工艺主要是根据倒角设备的情况和所使用的磨轮磨削材料的粒度选定合适的磨轮转速、硅片转速、硅片去除量、倒角圈数、磨轮型号、切削液类型、切削液流量等来生产出满足客户需求的产品。倒角机用于对晶圆边缘进行磨削,晶圆通常被真空吸附在承片台上旋转,通过控制晶圆运动,由带V型槽的砂轮高速旋转对晶圆边缘进行磨削[3]。
我们单位自动倒角机最多的是大途株式会社的WBM-2200倒角机，其加工步骤是：取片→测厚→对中→移载到倒角吸盘→倒角→移载到甩干吸盘→甩干→测直径对位→放回花栏。其中取片 测厚 对中 移载 等加工步骤时间是比较固定的，只有 倒角和甩干时间是可以进一步挖掘潜力的。所以我们从这两方面进行分析。为了实验方便 我们只选用带一个参考面的晶圆进行分析
三、实验部分
3.1 设备和仪器
WBM-2200倒角机，秒表。
3.2 原材料
2、3、4、5英寸硅切割片，2寸晶圆主参16mm，3寸晶圆主参22mm，4寸晶圆主参32.5mm，5寸晶圆主参42mm，厚度260～620um，晶片TTV值不大于10um，Warp值不大于30um。
槽半径127um～228.6um(22。、11。)的金刚石倒角砂轮。
3.3 实验过程
利用不同尺寸的晶圆，不同的倒角吸盘转速，不同甩干程序对晶片进行倒角，并记录加工100片的总时间。
四、结果与讨论
4.1 在相同的倒角清洗甩干程序（即图2 所设程序）时，加工100片晶圆的实验数据为：
硅片尺寸（英寸）
吸盘转速（mm/s） 12 15 18
2寸（50.8） 3461 3458 3457
3寸（76.2） 3473 3464 3475
4寸（100） 3480 3476 3472
5寸（125） 4230 3492 3482
5寸精倒(11。) 9275 7820 6860
分析表一数据可知，在相同的清洗甩干程序下，2寸、3寸、4寸、5寸吸盘转速在15mm/s和18mm/s时，每百片加工时间基本一样。在5寸吸盘转速12mm/s时和加工5寸（11。）时才需较长时间。我们做了一下统计：
步骤1：机械手从甩干台取片→测直径→放回花栏→取下一片→测厚、对中 时间为21.6秒;
步骤2：机械手从对中取片到放到倒角吸盘时间 32.3秒；
步骤3：机械手从倒角吸盘取片放到清洗甩干台上 时间 28.6秒。
因此 只有在5寸吸盘转速12mm/s时和加工5寸（11。）时 平均每片倒角加工时间为42.3s 、92.75s、 78.2s、68.6s，此时均大于步骤1、2、3所需时间 此时提高吸盘转速，可提高加工效率。其他加工情况均不能提高加工效率
此外选用合适的磨轮转速，还需要全方面的考虑。在相同磨削量的情况下，提高磨轮转速，可以降低硅片在磨削时的受力，所以不仅提高了磨轮的使用寿命，也降低了磨削后在硅片上残余的机械应力和硅片磨削表面的粗糙度，但磨轮转速的提高，同样也增加了磨削时产生的热量，使磨削区的温度升高，而温度的升高，使硅材料的抗拉强度显著下降，也影响了单晶硅的组织结构，增加了磨削区域残余的热应力，且温度的升高，降低了磨轮金刚砂粒的硬度，也使磨粒与磨削材料之间产生扩散磨损和粘接磨损，使磨粒迅速钝化，降低了磨轮的使用寿命，也使磨削时磨削表面出现浅坑或沟痕，增加了表面粗糙度。同时磨轮转速的提高也降低了磨轮轴的使用寿命，且提高磨轮转速时若磨轮安装动平衡不好时磨轮轴在磨削时的轴向和径向跳动量也会增加，不利于加工出光滑的表面。所以，磨轮转速的选择原则是在保证磨削区域温度不影响硅片和磨粒性能和磨轮轴寿命的情况下尽可能选择高的转速。磨轮在一定转速下磨削区域的温度又与磨粒粒径、磨削量、磨削液流量有关系。
4.2 在相同的倒角吸盘转速时
从图二所示的倒角清洗程序中，清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干（下面干燥 干燥时间）分别为9s和10s,再结合上面分析，若适当调整我们得到下面数据（以2寸晶圆加工）
吸盘干燥\加载晶圆后甩干（秒） 9\10 8\9 7\8 6\7 5\6 4\5
每百片加工（秒） 3458 3263 3085 3065 3081 3075
从表2可知 在清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干（下面干燥 干燥时间）分别为7s和8s时（24h为2805片），6s和7s，5s和6s，4s和5s百片加工时间为3080秒左右（此时步骤1、2、3为限制加工效率的因素，均不可调，影响机器和轴承寿命），比清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干时间分别为9s和10s（24h为2498片）时，缩短400秒，在一天（24小时）的加工中可提高300片，每月（30天）产量可提高7200片。此外在清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干时间分别为4s和5s时，晶圆开始有机械手把晶圆放入花栏中失败和甩不干现象，不利于加工和检查。故应根据晶圆尺寸的大小和冷却水的情况适当调节清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干时间，比如在加工4寸晶圆时可以把清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干时间设为7s和8s。
五、总结
由以上分期可知，我们在实际加工中应根据晶圆的实际情况作合理的程序设定。此外，在我们实际工作中最最最重要的根本因素是人。我们研究设备最优的加工效率，归根结底是要解放人的双手，充分调动人的积极性，改变人的精神状态，只有同事们的热情得到了充分的发挥，我们的事业才会生机勃勃，大有可为。
倒角工艺的制定需要考虑各个方面的因素，需要根据设备能达到的状态和客户需求来选择出最佳的工艺参数，也要根据设备状态选用合适的磨轮，以达到最佳的倒角效果。
参考文献
[1] 康自卫，王丽 《硅片加工技术》化学工业出版社2010；
[2] 张厥宗. 硅单晶抛光片的加工技术 [M]. 北京: 化学工业出版社,2005；
[3] 杨树文.倒角机磨削系统关键技术研究[D].华中科技大学,2006.
作者简介
康洪亮（1987-）毕业于河北工业大学，在中国电子科技集团公司第四十六研究所工作，主要研究硅、锗等半导体材料的加工。
康洪亮 陶术鹤 张伟才
一、引言
在半导体晶圆的加工工艺中,对晶圆边缘磨削是非常重要的一环。晶锭材料被切割成晶圆后会形成锐利边缘,有棱角、毛刺、崩边，甚至有小的裂缝或其它缺陷，边缘的表面也比较粗糙。而晶圆的构成材料如Si、Ge、InP、GaAs、SiC等均有脆性。通过对晶圆边缘进行倒角处理可将切割成的晶圆锐利边修整成圆弧形,防止晶圆边缘破裂及晶格缺陷产生,，增加晶圆边缘表面的机械强度，减少颗粒污染。同时也可以避免和减少后面的工序在加工、运输、检验等等工序时产生的崩边。倒角后的晶圆由于有了一个比较圆滑的边缘，不易再产生崩边，使后面工序加工的合格率大幅提高。在抛光工艺中，如果晶圆不被倒角，晶圆锋利的边缘将会给抛光布带来划伤，影响抛光布的使用寿命，同时也影响到产品的加工质量（如晶圆的划道）。如硅晶圆除用于太阳能电池制造还常用于制造集成电路。晶圆在制造集成电路的多个工序中，需要多次在 1000多度的高温中进行氧化、扩散和光刻。如果晶圆边缘不好，如有崩边、或边缘没有被倒角，升温和降温的过程中，晶圆的内应力得不到均匀的释放。在高温中晶圆非常容易碎裂或变形，最终使产品报废，造成较大的损失。由于晶圆边缘不好，掉下来的晶渣，如果粘在硅晶圆的表面，将会给光刻工艺的光刻版造成损坏，同时造成器件的表面有针孔和曝光不好，影响产品的成品率。同时，通过边缘倒角可以规范晶圆直径。通常晶圆的直径是由滚圆工序来控制的，由于滚圆设备的精度所限，表面的粗糙度和直径均无法达到客户的要求，倒角工序能很好的控制晶圆直径和边缘粗糙度。晶棒滚磨后，其表面十分粗糙，在后续的传递和切割过程中，边缘损伤会因为机械撞击向内延伸，晶圆切割成型后，边缘存在一圈微观的损伤区域[1]。
在今年的目标责任书中，今年产量比去年增加30%，此外，在今年的生产加工中，多次由于倒角设备故障及检修影响整个生产线的进度，在不增加设备的情况下，如何挖掘现有设备及人员的潜力，提高倒角加工效率，是个重要的研究课题。
二、实验原理
目前国内半导体材料加工厂家，大多使用的设备是日本东精精密产的W-GM系列倒角机和大途株式会社的WBM系列倒角机[2]，普遍采用八英寸倒角砂轮。当前国内倒角机设备使用的磨轮从制造方法上分主要有两种类型：一种是电镀法的磨轮；一种是烧结法的磨轮。电镀法的磨轮主要是美国生产的Diamotec和Nifec等,烧结法的磨轮主要有日本的 Asahi(SUN)、KGW 等。
倒角工艺主要是根据倒角设备的情况和所使用的磨轮磨削材料的粒度选定合适的磨轮转速、硅片转速、硅片去除量、倒角圈数、磨轮型号、切削液类型、切削液流量等来生产出满足客户需求的产品。倒角机用于对晶圆边缘进行磨削,晶圆通常被真空吸附在承片台上旋转,通过控制晶圆运动,由带V型槽的砂轮高速旋转对晶圆边缘进行磨削[3]。
我们单位自动倒角机最多的是大途株式会社的WBM-2200倒角机，其加工步骤是：取片→测厚→对中→移载到倒角吸盘→倒角→移载到甩干吸盘→甩干→测直径对位→放回花栏。其中取片 测厚 对中 移载 等加工步骤时间是比较固定的，只有 倒角和甩干时间是可以进一步挖掘潜力的。所以我们从这两方面进行分析。为了实验方便 我们只选用带一个参考面的晶圆进行分析
三、实验部分
3.1 设备和仪器
WBM-2200倒角机，秒表。
3.2 原材料
2、3、4、5英寸硅切割片，2寸晶圆主参16mm，3寸晶圆主参22mm，4寸晶圆主参32.5mm，5寸晶圆主参42mm，厚度260～620um，晶片TTV值不大于10um，Warp值不大于30um。
槽半径127um～228.6um(22。、11。)的金刚石倒角砂轮。
3.3 实验过程
利用不同尺寸的晶圆，不同的倒角吸盘转速，不同甩干程序对晶片进行倒角，并记录加工100片的总时间。
四、结果与讨论
4.1 在相同的倒角清洗甩干程序（即图2 所设程序）时，加工100片晶圆的实验数据为：
硅片尺寸（英寸）
吸盘转速（mm/s） 12 15 18
2寸（50.8） 3461 3458 3457
3寸（76.2） 3473 3464 3475
4寸（100） 3480 3476 3472
5寸（125） 4230 3492 3482
5寸精倒(11。) 9275 7820 6860
分析表一数据可知，在相同的清洗甩干程序下，2寸、3寸、4寸、5寸吸盘转速在15mm/s和18mm/s时，每百片加工时间基本一样。在5寸吸盘转速12mm/s时和加工5寸（11。）时才需较长时间。我们做了一下统计：
步骤1：机械手从甩干台取片→测直径→放回花栏→取下一片→测厚、对中 时间为21.6秒;
步骤2：机械手从对中取片到放到倒角吸盘时间 32.3秒；
步骤3：机械手从倒角吸盘取片放到清洗甩干台上 时间 28.6秒。
因此 只有在5寸吸盘转速12mm/s时和加工5寸（11。）时 平均每片倒角加工时间为42.3s 、92.75s、 78.2s、68.6s，此时均大于步骤1、2、3所需时间 此时提高吸盘转速，可提高加工效率。其他加工情况均不能提高加工效率
此外选用合适的磨轮转速，还需要全方面的考虑。在相同磨削量的情况下，提高磨轮转速，可以降低硅片在磨削时的受力，所以不仅提高了磨轮的使用寿命，也降低了磨削后在硅片上残余的机械应力和硅片磨削表面的粗糙度，但磨轮转速的提高，同样也增加了磨削时产生的热量，使磨削区的温度升高，而温度的升高，使硅材料的抗拉强度显著下降，也影响了单晶硅的组织结构，增加了磨削区域残余的热应力，且温度的升高，降低了磨轮金刚砂粒的硬度，也使磨粒与磨削材料之间产生扩散磨损和粘接磨损，使磨粒迅速钝化，降低了磨轮的使用寿命，也使磨削时磨削表面出现浅坑或沟痕，增加了表面粗糙度。同时磨轮转速的提高也降低了磨轮轴的使用寿命，且提高磨轮转速时若磨轮安装动平衡不好时磨轮轴在磨削时的轴向和径向跳动量也会增加，不利于加工出光滑的表面。所以，磨轮转速的选择原则是在保证磨削区域温度不影响硅片和磨粒性能和磨轮轴寿命的情况下尽可能选择高的转速。磨轮在一定转速下磨削区域的温度又与磨粒粒径、磨削量、磨削液流量有关系。
4.2 在相同的倒角吸盘转速时
从图二所示的倒角清洗程序中，清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干（下面干燥 干燥时间）分别为9s和10s,再结合上面分析，若适当调整我们得到下面数据（以2寸晶圆加工）
吸盘干燥\加载晶圆后甩干（秒） 9\10 8\9 7\8 6\7 5\6 4\5
每百片加工（秒） 3458 3263 3085 3065 3081 3075
从表2可知 在清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干（下面干燥 干燥时间）分别为7s和8s时（24h为2805片），6s和7s，5s和6s，4s和5s百片加工时间为3080秒左右（此时步骤1、2、3为限制加工效率的因素，均不可调，影响机器和轴承寿命），比清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干时间分别为9s和10s（24h为2498片）时，缩短400秒，在一天（24小时）的加工中可提高300片，每月（30天）产量可提高7200片。此外在清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干时间分别为4s和5s时，晶圆开始有机械手把晶圆放入花栏中失败和甩不干现象，不利于加工和检查。故应根据晶圆尺寸的大小和冷却水的情况适当调节清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干时间，比如在加工4寸晶圆时可以把清洗部吸盘干燥时间和加载晶圆后甩干时间设为7s和8s。
五、总结
由以上分期可知，我们在实际加工中应根据晶圆的实际情况作合理的程序设定。此外，在我们实际工作中最最最重要的根本因素是人。我们研究设备最优的加工效率，归根结底是要解放人的双手，充分调动人的积极性，改变人的精神状态，只有同事们的热情得到了充分的发挥，我们的事业才会生机勃勃，大有可为。
倒角工艺的制定需要考虑各个方面的因素，需要根据设备能达到的状态和客户需求来选择出最佳的工艺参数，也要根据设备状态选用合适的磨轮，以达到最佳的倒角效果。
参考文献
[1] 康自卫，王丽 《硅片加工技术》化学工业出版社2010；
[2] 张厥宗. 硅单晶抛光片的加工技术 [M]. 北京: 化学工业出版社,2005；
[3] 杨树文.倒角机磨削系统关键技术研究[D].华中科技大学,2006.
作者简介
康洪亮（1987-）毕业于河北工业大学，在中国电子科技集团公司第四十六研究所工作，主要研究硅、锗等半导体材料的加工。
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