#光明追思#【半导体材料专家#梁骏吾院士逝世#】半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾，因病医治无效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89岁。

梁骏吾，1933年9月18日出生，湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学，1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位，1960年获技术科学副博士学位。1997年当选为中国工程院院士。曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。

梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家，在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。上世纪80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。

梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴，他曾在采访中说，希望通过自己的科研经历，带给年轻科研人员一些启发，让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩。（光明日报全媒体记者李苑）

【半导体材料专家#梁骏吾院士逝世#】半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾，因病医治无效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89岁。

梁骏吾，1933年9月18日出生，湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学，1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位，1960年获技术科学副博士学位。1997年当选为中国工程院院士。曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。

梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家，在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。上世纪80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。

梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴，他曾在采访中说，希望通过自己的科研经历，带给年轻科研人员一些启发，让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩。（光明日报全媒体记者李苑）

【半导体材料专家#梁骏吾院士逝世#】半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾，因病医治无效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89岁。#半导体材料专家梁骏吾院士逝世#

梁骏吾，1933年9月18日出生，湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学，1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位，1960年获技术科学副博士学位。1997年当选为中国工程院院士。曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。

梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家，在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。上世纪80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。

梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴，他曾在采访中说，希望通过自己的科研经历，带给年轻科研人员一些启发，让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩。（光明日报）