利用铁电范德华α-In 2 Se 3中独特的面内/面外极化耦合，在二维（2D）MoS 2中铁电极化控制的电导调制具有超过展示了 5 个数量级和出色的非挥发性。通过原子层沉积生长的Al 2 O 3作为电介质增强电容耦合，促进了对电导的这种高效控制。通过改变对铁电体 α-In 2 Se 3的面内极化偏压，垂直堆叠的 2D MoS 2的电导可以连续调。这种方法能够简化器件设计并在器件集成方面提供极大的灵活性，并且原则上可以应用于操纵任何二维半导体中的电子状态，以用于各种应用，例如晶体管、隧道器件和可重构电子器件。结果还提供了对环境化学物质对铁电极化筛选的深入了解，突出了对表面钝化和/或器件封装的需求。

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