板块异动:芯片封装测试股集体表现抢眼
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通富微电(002156)公司主营业务为集成电路封装测试。
长电科技(600584)公司的主营业务为集成电路、分立器件的封装与测试以及分立器件的芯片设计、制造;为海内外客户提供涵盖封装设计、焊锡凸块、针探、组装、测试、配送等一整套半导体封装测试解决方案。目前公司产品主要有DIP/SDIP、SOT、SOP、SSOP、TSSOP、QFN/DFN、BGA/LGA、FCBGA/LGA、SiP、WLCSP、TSV、CopperPillarBumping、3D封装、MEMS、Fan-outeWLB、POP、PiP等多个系列。产品主要应用于计算机、网络通讯、消费电子及智能移动终端、工业自动化控制、电源管理、汽车电子等电子整机和智能化领域。
晶方科技(603005 )公司主营业务:公司专注于传感器领域的封装测试业务,拥有多样化的先进封装技术,同时具备8英寸、12英寸晶圆级芯片尺寸封装技术规模量产封装能力,为全球晶圆级芯片尺寸封装服务的主要提供者与技术引领者。封装产品主要包括影像传感器芯片、生物身份识别芯片、微机电系统芯片(MEMS)、环境光感应芯片、医疗电子器件、射频芯片等,该等产品广泛应用在消费电子(手机、电脑、照相机、游戏机)、安防监控、身份识别、汽车电子、虚拟现实、智能卡、医学电子等诸多领域。
三安光电(600703)公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用,着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片为核心主业。产品主要包含LED芯片、LED特殊应用和第二代、第三代半导体芯片,主要应用于照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域。
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长电科技(600584)公司的主营业务为集成电路、分立器件的封装与测试以及分立器件的芯片设计、制造;为海内外客户提供涵盖封装设计、焊锡凸块、针探、组装、测试、配送等一整套半导体封装测试解决方案。目前公司产品主要有DIP/SDIP、SOT、SOP、SSOP、TSSOP、QFN/DFN、BGA/LGA、FCBGA/LGA、SiP、WLCSP、TSV、CopperPillarBumping、3D封装、MEMS、Fan-outeWLB、POP、PiP等多个系列。产品主要应用于计算机、网络通讯、消费电子及智能移动终端、工业自动化控制、电源管理、汽车电子等电子整机和智能化领域。
晶方科技(603005 )公司主营业务:公司专注于传感器领域的封装测试业务,拥有多样化的先进封装技术,同时具备8英寸、12英寸晶圆级芯片尺寸封装技术规模量产封装能力,为全球晶圆级芯片尺寸封装服务的主要提供者与技术引领者。封装产品主要包括影像传感器芯片、生物身份识别芯片、微机电系统芯片(MEMS)、环境光感应芯片、医疗电子器件、射频芯片等,该等产品广泛应用在消费电子(手机、电脑、照相机、游戏机)、安防监控、身份识别、汽车电子、虚拟现实、智能卡、医学电子等诸多领域。
三安光电(600703)公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用,着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片为核心主业。产品主要包含LED芯片、LED特殊应用和第二代、第三代半导体芯片,主要应用于照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域。
#黄致列[超话]# 【任務帖2】號外!號外!!!十二月初冬第四擊——油管HCY Music 翻譯製作了黃致列先生2016年7月在電影〈夏有喬木 雅望天空〉中的SOT《最遠的距離》,而且是中英韓日文,四種語言[good][good][good]當年的驚喜和驚嘆歷歷在目!此刻再細細品味,你一定會被歐巴完美的中文,深情的演繹驚艷到!可以期待濟州島聽現場嗎?[笑cry][笑cry][笑cry][心][心][心]https://t.cn/AieD1Ohi黄致列HCY
台工业技术研究院昨天在国际电子元件会议(IEDM)中发表6篇技术论文,都是关于下一代储存器,读写速度比闪存快上百倍。
FRAM的操作功耗极低,适合物联网、可携式设备应用,主要研发厂商是德仪、富士通;MRAM速度快、可靠性好,适合需要高性能的场域,如自动驾驶、云端数据中心等,主要开发厂商有台积电、三星、英特尔、格芯等。
下面是技术内容。简单说,强。
现存FRAM使用钙钛矿(Perovskite)晶体作为材料,由于其化学成分复杂、制作不易且内含的元素会干扰硅电晶体,因此提高了FRAM元件尺寸微缩难度与制造成本。工研院成功以易取得的氧化铪锆铁电材料替代,可靠度好,还由二维平面推展至三维立体结构,展现出应用于28纳米以下嵌入式存储器的微缩潜力。工研院使用独特量子穿隧效应达到非挥发性储存的效果,通过氧化铪锆铁电穿隧接面,可使用比现有存储器低上1000倍的极低电流运作,并达到50纳秒的快速存取效率与大于1000万次操作的耐久性。将来可用于实现如人脑中的复杂神经网络,进行准确高效的AI运算。
MRAM技术开发方面,工研院发表自旋轨道转矩(Spin Orbit Torque,SOT)相关成果,已成功导入自有的试量产晶圆厂,持续走向商品化。比台积电、三星的MRAM技术更稳定、快速。
FRAM的操作功耗极低,适合物联网、可携式设备应用,主要研发厂商是德仪、富士通;MRAM速度快、可靠性好,适合需要高性能的场域,如自动驾驶、云端数据中心等,主要开发厂商有台积电、三星、英特尔、格芯等。
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现存FRAM使用钙钛矿(Perovskite)晶体作为材料,由于其化学成分复杂、制作不易且内含的元素会干扰硅电晶体,因此提高了FRAM元件尺寸微缩难度与制造成本。工研院成功以易取得的氧化铪锆铁电材料替代,可靠度好,还由二维平面推展至三维立体结构,展现出应用于28纳米以下嵌入式存储器的微缩潜力。工研院使用独特量子穿隧效应达到非挥发性储存的效果,通过氧化铪锆铁电穿隧接面,可使用比现有存储器低上1000倍的极低电流运作,并达到50纳秒的快速存取效率与大于1000万次操作的耐久性。将来可用于实现如人脑中的复杂神经网络,进行准确高效的AI运算。
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