#英特尔[超话]# 【#英特尔# 介绍 #intel# 4 工艺：2 倍密度，性能提升超 20%，14 代酷睿首发】据 AnandTech 消息，英特尔现已分享了一些有关其下一代 Intel 4 工艺的消息。
据报道，该工艺将用于 2023 年发布的产品，它是英特尔第一个采用 EUV 的工艺。
Intel 4 将首先用于英特尔即将推出的 Meteor Lake 处理器，该处理器将属于英特尔第 14 代酷睿家族。除了在工艺技术上取得显着进步外，Meteor Lake 还将成为英特尔的第一个基于 tile / chiplet 的客户端 CPU，使用 I / O 内核、CPU 内核和 GPU 内核等 tile 模块。
英特尔公布的数据显示，Intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米，是 Intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。同样，接触栅之间的间距现在为 50nm，低于之前的 60nm。英特尔声称 Intel 4 的密度是 Intel 7 的 2 倍，或者更具体地说，晶体管的尺寸减少了一半。
此外，新工艺对金属层进行了重大更改。英特尔在其 Intel 7 工艺的最底层用钴代替了铜，该公司认为出于晶体管寿命的原因，这是必要的。然而，从性能的角度来看，钴并没有那么好，长期以来人们一直怀疑钴是英特尔 Intel 7 的主要绊脚石之一。
对于 Intel 4，英特尔仍在使用钴，但现在他们使用的不是纯钴，而是所谓的增强铜 (eCu)，即铜包覆钴。
性能方面，报道称在 0.65v 的等功率下，Intel 4 的频率与 Intel 7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上时，等功率增益接近 10%。
英特尔称，Intel 4 在电源效率方面的收益更大。在等频（ 2.1 GHz 左右）下，Intel 4 的功耗降低了 40%。随着频率的增加，收益递减。
据报道，该工艺将用于 2023 年发布的产品，它是英特尔第一个采用 EUV 的工艺。
Intel 4 将首先用于英特尔即将推出的 Meteor Lake 处理器，该处理器将属于英特尔第 14 代酷睿家族。除了在工艺技术上取得显着进步外，Meteor Lake 还将成为英特尔的第一个基于 tile / chiplet 的客户端 CPU，使用 I / O 内核、CPU 内核和 GPU 内核等 tile 模块。
英特尔公布的数据显示，Intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米，是 Intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。同样，接触栅之间的间距现在为 50nm，低于之前的 60nm。英特尔声称 Intel 4 的密度是 Intel 7 的 2 倍，或者更具体地说，晶体管的尺寸减少了一半。
此外，新工艺对金属层进行了重大更改。英特尔在其 Intel 7 工艺的最底层用钴代替了铜，该公司认为出于晶体管寿命的原因，这是必要的。然而，从性能的角度来看，钴并没有那么好，长期以来人们一直怀疑钴是英特尔 Intel 7 的主要绊脚石之一。
对于 Intel 4，英特尔仍在使用钴，但现在他们使用的不是纯钴，而是所谓的增强铜 (eCu)，即铜包覆钴。
性能方面，报道称在 0.65v 的等功率下，Intel 4 的频率与 Intel 7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上时，等功率增益接近 10%。
英特尔称，Intel 4 在电源效率方面的收益更大。在等频（ 2.1 GHz 左右）下，Intel 4 的功耗降低了 40%。随着频率的增加，收益递减。
英特尔现已分享了一些有关其下一代 Intel 4 工艺的消息，该工艺将用于 2023 年发布的产品，它是英特尔第一个采用 EUV 的工艺。Intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米，是 Intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。同样，接触栅之间的间距现在为 50nm，低于之前的 60nm。英特尔声称 Intel 4 的密度是 Intel 7 的 2 倍，或者更具体地说，晶体管的尺寸减少了一半。
Intel 4 将首先用于英特尔即将推出的 Meteor Lake 处理器，该处理器将属于英特尔第 14 代酷睿家族。除了在工艺技术上取得显着进步外，Meteor Lake 还将成为英特尔的第一个基于 tile / chiplet 的客户端 CPU，使用 I / O 内核、CPU 内核和 GPU 内核等 tile 模块。
此外，新工艺对金属层进行了重大更改。英特尔在其 Intel 7 工艺的最底层用钴代替了铜，该公司认为出于晶体管寿命的原因，这是必要的。然而，从性能的角度来看，钴并没有那么好，长期以来人们一直怀疑钴是英特尔 Intel 7 的主要绊脚石之一。
对于 Intel 4，英特尔仍在使用钴，但现在他们使用的不是纯钴，而是所谓的增强铜 (eCu)，即铜包覆钴。性能方面，报道称在 0.65v 的等功率下，Intel 4 的频率与 Intel 7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上时，等功率增益接近 10%。
英特尔称，Intel 4 在电源效率方面的收益更大。在等频（ 2.1 GHz 左右）下，Intel 4 的功耗降低了 40%。随着频率的增加，收益递减。
Intel 4 将首先用于英特尔即将推出的 Meteor Lake 处理器，该处理器将属于英特尔第 14 代酷睿家族。除了在工艺技术上取得显着进步外，Meteor Lake 还将成为英特尔的第一个基于 tile / chiplet 的客户端 CPU，使用 I / O 内核、CPU 内核和 GPU 内核等 tile 模块。
此外，新工艺对金属层进行了重大更改。英特尔在其 Intel 7 工艺的最底层用钴代替了铜，该公司认为出于晶体管寿命的原因，这是必要的。然而，从性能的角度来看，钴并没有那么好，长期以来人们一直怀疑钴是英特尔 Intel 7 的主要绊脚石之一。
对于 Intel 4，英特尔仍在使用钴，但现在他们使用的不是纯钴，而是所谓的增强铜 (eCu)，即铜包覆钴。性能方面，报道称在 0.65v 的等功率下，Intel 4 的频率与 Intel 7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上时，等功率增益接近 10%。
英特尔称，Intel 4 在电源效率方面的收益更大。在等频（ 2.1 GHz 左右）下，Intel 4 的功耗降低了 40%。随着频率的增加，收益递减。
【缓解自旋电子器件发热难题，科学家造出6nm超薄二维磁性纳米片，可用于低功耗信息处理和高密度存储】
“本次成果表明，Cr5Te8 纳米片在自旋电子器件应用潜力巨大，为二维磁性材料的可控合成提供了重要参考。同时，除了厚度效应外，我们也揭示了相结构对磁有序的显著影响，这极大拓展了二维磁性的调控空间。”新加坡南洋理工大学材料科学与工程学院教授刘政表示。
近日，该课题组在最新研究论文中，提出并开发一种简便有效的调整二维极限内的铁磁 Cr5Te8 磁序的方法。他们通过调控反应温度和降温速率，利用化学气相沉积 （CVD，Chemical Vapor Deposition）法，合成出相结构可调的超薄二维铁磁 Cr5Te8 纳米片，分别为三方相和单斜相，最小厚度为 6nm（如图一所示）。
在应用前景上，刘政表示：
首先，在当前电子信息器件不断小型化的主流趋势下，二维超薄铁磁材料有希望应用于新型的高密度磁存储和磁传感器。
此外，二维 Cr5Te8 相比于传统铁磁材料具有较大的反常霍尔角，有望减小自旋电子器件中发热问题，这是因为反常霍尔角反映了纵向驱动电流转换为横向霍尔电流的效率，所以具有较大反常霍尔角的铁磁材料实现相同的霍尔电流所需要的驱动电流较小。
因此，在未来基于自旋载体的低功耗信息处理和高密度存储方面（如自旋晶体管和非易失性磁随机存储器），二维铁磁材料具备巨大的应用潜力。
戳链接查看详情：https://t.cn/A6XBmZKc
“本次成果表明，Cr5Te8 纳米片在自旋电子器件应用潜力巨大，为二维磁性材料的可控合成提供了重要参考。同时，除了厚度效应外，我们也揭示了相结构对磁有序的显著影响，这极大拓展了二维磁性的调控空间。”新加坡南洋理工大学材料科学与工程学院教授刘政表示。
近日，该课题组在最新研究论文中，提出并开发一种简便有效的调整二维极限内的铁磁 Cr5Te8 磁序的方法。他们通过调控反应温度和降温速率，利用化学气相沉积 （CVD，Chemical Vapor Deposition）法，合成出相结构可调的超薄二维铁磁 Cr5Te8 纳米片，分别为三方相和单斜相，最小厚度为 6nm（如图一所示）。
在应用前景上，刘政表示：
首先，在当前电子信息器件不断小型化的主流趋势下，二维超薄铁磁材料有希望应用于新型的高密度磁存储和磁传感器。
此外，二维 Cr5Te8 相比于传统铁磁材料具有较大的反常霍尔角，有望减小自旋电子器件中发热问题，这是因为反常霍尔角反映了纵向驱动电流转换为横向霍尔电流的效率，所以具有较大反常霍尔角的铁磁材料实现相同的霍尔电流所需要的驱动电流较小。
因此，在未来基于自旋载体的低功耗信息处理和高密度存储方面（如自旋晶体管和非易失性磁随机存储器），二维铁磁材料具备巨大的应用潜力。
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