“NS是最佳的模块化电子产品”

我想说有的人给这种低性能廉价产品塞的名号真的多

一款便宜游戏机还是掌机，一两千块钱的，先不说集成度怎么样，能拆的无非也就是两个手柄，这叫最佳模块化?那你这个最佳广告法同不同意我不知道，IEEE协会应该要先不同意了，做安卓设备的更是直接笑的人仰马翻

另外，我想说有没有可能有这样的设备，可以自定义CPU，显卡，内存和内置存储容量，同时不用花一百多块去买本来免费送的游戏?也不用充值会员才能联机?一个猜测不一定对

NS定位就是便宜货，低功耗，掌机，这很难搞懂么，先假设都买得起3080，PS5和XBSX，那么会去买这样一款产品，多数也不过是可能联机需求，随手抓随手玩，还有旅行时期旅途上带着玩一下

在家时候，一款不能玩老头环，不能打派派，CSGO，没有几个流行新游戏的产品，除了独占，怀旧和双人游戏，谁玩啊

噢，除非没有能运行优秀游戏，高画质游戏的设备

在消费程度没达到能想玩啥买啥情况下，吹这样一款产品，那也就变得很容易理解了。

IEEE SA（电气与电子工程师协会）标准委员会正式通过了 “隐私计算安全需求”（ Standard for Security Requirement of Privacy-preserving computation，P3169）国际标准的立项，该标准由蚂蚁集团主导，行业内专家共同参与，将对隐私计算技术本身潜在的安全隐患进行分析，并对隐私计算系统抵御的安全风险进行分级。

【外媒：华为提出了适用于3D-DRAM的CAA晶体管】
中国通信设备巨头华为提出了一种适用于3D-DRAM构建的垂直通道全能（channel-all-around，CAA）晶体管。

据eeNews报道，该提案被包含在一篇论文中，将在2022年IEEE超大规模集成电路技术和电路研讨会上提交，该研讨会定于6月12日至17日在夏威夷檀香山举行。

该器件是一种铟镓氧化锌（IGZO）场效应晶体管（FET），其IGZO、高k电介质氧化铪和IZO层围绕一个垂直柱排列。IGZO厚度约为3nm。HfOx和IZO的厚度约为8nm。垂直方向的通道长度为55nm，平面内的临界尺寸为50nm。

该晶体管在Vth+1V时达到32.8microamps/micron的电流密度，亚阈值摆幅为92mV/decade。

作者声称，在-40摄氏度到+120摄氏度之间，该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，有望成为未来超越1-alpha节点的高性能3D-DRAM的候选产品。