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根据英飞凌数据，对于直流充电桩，20kW 充电桩充满电需要 120min，150kW 需要 16mi n， 而 350kW 仅需要 7min，因此 800V 高压平台+超级充电桩已成为趋势，而在 800V 及以上高压情况下，Si 基材料由于其材料的局限性，SiC 等第三代半导体将有望大放异彩。

半导体衬底材料历经发展，一共经历了 3 个阶段：

1、第一阶段：1950 年代开始，以 Si 和 Ge 为代表的第一代半导体材料制备而成的晶体管取 代电子管，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中， 95%以上的集成电路都是以硅基材料制作；

2、第二阶段：1990 年代开始，以 GaAs 为代表的第二代半导体材料崭露头角，由于其电子 迁移率是 Si 的 6 倍，具有直接带隙，因此具有高频、高速的光电性能，被广泛用于制作半导 体发光二极管和通信器件；

3、第三阶段：近年来，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿场强、饱 和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等方面具有显著优势，可以满足对高温、高功率、高压、 高频及抗辐射等恶劣工作条件的要求，同时功耗更低，体积更小。

具体表现在：

1）能量损耗低。SiC 模块的开关损耗和导通损耗显著低于同等 IGBT模块，且随着开关频率 的提高，损耗越低，同时可以实现高速开关，有助于降低电池用量，提高续航里程；

2）封装尺寸小。在功率相同条件下，SiC 功率模块的体积显著小于硅基模块，有助于提升系统的功率密度；

3）实现高频开关。SiC 材料的饱和电子漂移速率是 Si 的 2 倍，有助于提升器件的工作频率； 高临界击穿电场的特性使其能够将 MOSFET 带入高压领域，克服 IGBT 在开关过程中的拖 尾电流问题，降低开关损耗和整车能耗，减少无源器件如电容、电感等的使用，从而减少系 统体积和重量；

4）耐高温、散热能力强。SiC 的禁带宽度、热导率约是 Si 的 3 倍，可承受更高温度，高热 导率也将带来功率密度的提升和热量的更易释放，冷却部件可小型化，有利于系统的小型化 和轻量化。